高考化學(xué)二輪復(fù)習(xí) 高頻考點精講 高頻考點30 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)課件

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1、最新考綱最新考綱1原子結(jié)構(gòu)與元素的性質(zhì)原子結(jié)構(gòu)與元素的性質(zhì)(1)了解原子核外電子的運(yùn)動狀態(tài)、能級分布和排布原理，能正了解原子核外電子的運(yùn)動狀態(tài)、能級分布和排布原理，能正確書寫確書寫136號元素原子核外電子、價電子的電子排布式和軌道號元素原子核外電子、價電子的電子排布式和軌道表達(dá)式。表達(dá)式。(2)了解電離能的含義，并能用以說明元素的某些性質(zhì)。了解電離能的含義，并能用以說明元素的某些性質(zhì)。(3)了解電子在原子軌道之間的躍遷及其簡單應(yīng)用。了解電子在原子軌道之間的躍遷及其簡單應(yīng)用。(4)了解電負(fù)性的概念，并能用以說明元素的某些性質(zhì)。了解電負(fù)性的概念，并能用以說明元素的某些性質(zhì)。2化學(xué)鍵與分子結(jié)構(gòu)化學(xué)鍵

2、與分子結(jié)構(gòu)(1)理解離子鍵的形成，能根據(jù)離子化合物的結(jié)構(gòu)特征解釋其物理解離子鍵的形成，能根據(jù)離子化合物的結(jié)構(gòu)特征解釋其物理性質(zhì)。理性質(zhì)。(2)了解共價鍵的形成、極性、類型了解共價鍵的形成、極性、類型(鍵和鍵和鍵鍵)，了解配位鍵的，了解配位鍵的含義。含義。(3)能用鍵能、鍵長、鍵角等說明簡單分子的某些性質(zhì)。能用鍵能、鍵長、鍵角等說明簡單分子的某些性質(zhì)。(4)了解雜化軌道理論及簡單的雜化軌道類型了解雜化軌道理論及簡單的雜化軌道類型(sp、sp2、sp3)。(5)能用價層電子對互斥理論或者雜化軌道理論推測簡單分子或能用價層電子對互斥理論或者雜化軌道理論推測簡單分子或離子的空間結(jié)構(gòu)。離子的空間結(jié)構(gòu)。3

3、分子間作用力與物質(zhì)的性質(zhì)分子間作用力與物質(zhì)的性質(zhì)(1)了解范德華力的含義及對物質(zhì)性質(zhì)的影響。了解范德華力的含義及對物質(zhì)性質(zhì)的影響。(2)了解氫鍵的含義，能列舉存在氫鍵的物質(zhì)，并能解釋氫鍵對了解氫鍵的含義，能列舉存在氫鍵的物質(zhì)，并能解釋氫鍵對物質(zhì)性質(zhì)的影響。物質(zhì)性質(zhì)的影響。4晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)(1)了解晶體的類型，了解不同類型晶體中結(jié)構(gòu)微粒、微粒間作了解晶體的類型，了解不同類型晶體中結(jié)構(gòu)微粒、微粒間作用力的區(qū)別。用力的區(qū)別。(2)了解晶格能的概念，了解晶格能對離子晶體性質(zhì)的影響。了解晶格能的概念，了解晶格能對離子晶體性質(zhì)的影響。(3)了解分子晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系。了解分子晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

4、的關(guān)系。(4)了解原子晶體的特征，能描述金剛石、二氧化硅等原子晶體了解原子晶體的特征，能描述金剛石、二氧化硅等原子晶體的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系。的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系。(5)理解金屬鍵的含義，能用金屬鍵理論解釋金屬的一些物理性理解金屬鍵的含義，能用金屬鍵理論解釋金屬的一些物理性質(zhì)。了解金屬晶體常見的堆積方式。質(zhì)。了解金屬晶體常見的堆積方式。(6)了解晶胞的概念，能根據(jù)晶胞確定晶體的組成并進(jìn)行相關(guān)的了解晶胞的概念，能根據(jù)晶胞確定晶體的組成并進(jìn)行相關(guān)的計算。計算。1(2017課標(biāo)全國課標(biāo)全國，35)鉀和碘的相關(guān)化合物在化工、醫(yī)藥、材料等領(lǐng)域有著廣鉀和碘的相關(guān)化合物在化工、醫(yī)藥、材料等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用?；卮?/p>

5、下列問題：泛的應(yīng)用?；卮鹣铝袉栴}：(1)元素元素K的焰色反應(yīng)呈紫紅色，其中紫色對應(yīng)的輻射波長為的焰色反應(yīng)呈紫紅色，其中紫色對應(yīng)的輻射波長為_ nm(填標(biāo)號填標(biāo)號)。命題點：波長判斷命題點：波長判斷(考查新角度考查新角度)A404.4 B. 553.5 C589.2 D670.8 E E766.5(2)基態(tài)基態(tài)K原子中，核外電子占據(jù)的最高能層的符號是原子中，核外電子占據(jù)的最高能層的符號是_，占據(jù)該能層電子的，占據(jù)該能層電子的電子云輪廓圖形狀為電子云輪廓圖形狀為_。K和和Cr屬于同一周期，且核外最外層電子構(gòu)型相同，屬于同一周期，且核外最外層電子構(gòu)型相同，但金屬但金屬K的熔點、沸點等都比金屬的熔點、

6、沸點等都比金屬Cr低，原因是低，原因是_。命題點：電子式及熔沸點比較命題點：電子式及熔沸點比較(3)X射線衍射測定等發(fā)現(xiàn)，射線衍射測定等發(fā)現(xiàn)，I3AsF6中存在中存在I離子。離子。I離子的幾何構(gòu)型為離子的幾何構(gòu)型為_，中心，中心原子的雜化類型為原子的雜化類型為_。命題點：空間構(gòu)型及雜化類型命題點：空間構(gòu)型及雜化類型(4)KIO3晶體是一種性能良好的非線性光學(xué)材料，具有鈣鈦礦型晶體是一種性能良好的非線性光學(xué)材料，具有鈣鈦礦型的立體結(jié)構(gòu)，邊長為的立體結(jié)構(gòu)，邊長為a0.446 nm，晶胞中，晶胞中K、I、O分別處于頂分別處于頂角、體心、面心位置，如圖所示。角、體心、面心位置，如圖所示。K與與O間的最

7、短距離為間的最短距離為_ nm，與，與K緊鄰的緊鄰的O個數(shù)為個數(shù)為_。命題點：晶體結(jié)構(gòu)及計算命題點：晶體結(jié)構(gòu)及計算(5)在在KIO3晶胞結(jié)構(gòu)的另一種表示中，晶胞結(jié)構(gòu)的另一種表示中，I處于各頂角位置，則處于各頂角位置，則K處于處于_位置，位置，O處于處于_位置。位置。命題點：晶體結(jié)構(gòu)命題點：晶體結(jié)構(gòu)2(2017課標(biāo)全國課標(biāo)全國，35)我國科學(xué)家最近成功合成了世界上首個五氮陰離子鹽我國科學(xué)家最近成功合成了世界上首個五氮陰離子鹽(N5)6(H3O)3(NH4)4Cl(用用R代表代表)?；卮鹣铝袉栴}：。回答下列問題：(1)氮原子價層電子對的軌道表達(dá)式氮原子價層電子對的軌道表達(dá)式(電子排布圖電子排布圖)

8、為為_。命題點：電子排布式命題點：電子排布式(2)元素的基態(tài)氣態(tài)原子得到一個電子形成氣態(tài)負(fù)一價離子時所放出的能量稱作第元素的基態(tài)氣態(tài)原子得到一個電子形成氣態(tài)負(fù)一價離子時所放出的能量稱作第一電子親和能一電子親和能(E1)。第二周期部分元素的。第二周期部分元素的E1變化趨勢如圖變化趨勢如圖(a)所示，其中除氮元素所示，其中除氮元素外，其他元素的外，其他元素的E1自左而右依次增大的原因是自左而右依次增大的原因是_；氮元素的氮元素的E1呈現(xiàn)異常的原因是呈現(xiàn)異常的原因是_。命題點：親和能比較命題點：親和能比較(3)經(jīng)經(jīng)X射線衍射測得化合物射線衍射測得化合物R的晶體結(jié)構(gòu)，其局部結(jié)構(gòu)如圖的晶體結(jié)構(gòu)，其局部結(jié)

9、構(gòu)如圖(b)所示。所示。從結(jié)構(gòu)角度分析，從結(jié)構(gòu)角度分析，R中兩種陽離子的相同之處為中兩種陽離子的相同之處為_，不同之處為不同之處為_。(填標(biāo)號填標(biāo)號)A中心原子的雜化軌道類型中心原子的雜化軌道類型B中心原子的價層電子對數(shù)中心原子的價層電子對數(shù)C立體結(jié)構(gòu)立體結(jié)構(gòu)D共價鍵類型共價鍵類型3(2016全國全國卷卷)鍺鍺(Ge)是典型的半導(dǎo)體元素，在電子、材料等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛?；厥堑湫偷陌雽?dǎo)體元素，在電子、材料等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛?；卮鹣铝袉栴}：答下列問題：(1)基態(tài)基態(tài)Ge原子的核外電子排布式為原子的核外電子排布式為Ar_，有，有_個未成對電子。個未成對電子。命題點：電子排布式命題點：電子排布式(2)Ge與與

10、C是同族元素，是同族元素，C原子之間可以形成雙鍵、叁鍵，但原子之間可以形成雙鍵、叁鍵，但Ge原子之間難以形成原子之間難以形成雙鍵或叁鍵。從原子結(jié)構(gòu)角度分析，原因是雙鍵或叁鍵。從原子結(jié)構(gòu)角度分析，原因是_。命題點：成鍵特點命題點：成鍵特點( 3 ) 比 較 下 列 鍺 鹵 化 物 的 熔 點 和 沸 點 ， 分 析 其 變 化 規(guī) 律 及 原 因比 較 下 列 鍺 鹵 化 物 的 熔 點 和 沸 點 ， 分 析 其 變 化 規(guī) 律 及 原 因_。命題點：結(jié)構(gòu)對性質(zhì)的影響命題點：結(jié)構(gòu)對性質(zhì)的影響 GeCl4GeBr4GeI4熔點熔點/49.526146沸點沸點/83.1186約約400(4)光催化

11、還原光催化還原CO2制備制備CH4反應(yīng)中，帶狀納米反應(yīng)中，帶狀納米Zn2GeO4是該反應(yīng)的良好催化劑。是該反應(yīng)的良好催化劑。Zn、Ge、O電負(fù)性由大至小的順序是電負(fù)性由大至小的順序是_。命題點：電負(fù)性命題點：電負(fù)性(5)Ge單晶具有金剛石型結(jié)構(gòu)，其中單晶具有金剛石型結(jié)構(gòu)，其中Ge原子的雜化方式為原子的雜化方式為_，微粒之間存在的作用力是微粒之間存在的作用力是_。命題點：雜化與化學(xué)鍵命題點：雜化與化學(xué)鍵晶胞參數(shù)，描述晶胞的大小和形狀，已知晶胞參數(shù)，描述晶胞的大小和形狀，已知Ge單晶的晶胞參數(shù)單晶的晶胞參數(shù)a565.76 pm，其，其密度為密度為_gcm3(列出計算式即可列出計算式即可)。命題點：

12、晶體結(jié)構(gòu)及運(yùn)算命題點：晶體結(jié)構(gòu)及運(yùn)算解 析解 析 鍺 元 素 在 周 期 表 的 第 四 周 期 、 第 鍺 元 素 在 周 期 表 的 第 四 周 期 、 第 A 族 ， 因 此 核 外 電 子 排 布 式 為族 ， 因 此 核 外 電 子 排 布 式 為Ar3d104s24p2，p軌道上的軌道上的2個電子是未成對電子。個電子是未成對電子。(2)鍺雖然與碳為同族元素，但比碳多了兩個電子層，因此鍺的原子半徑大，原子間鍺雖然與碳為同族元素，但比碳多了兩個電子層，因此鍺的原子半徑大，原子間形成的形成的單鍵較長，單鍵較長，pp軌道肩并肩重疊程度很小或幾乎不能重疊，難以形成軌道肩并肩重疊程度很小或幾乎

13、不能重疊，難以形成鍵。鍵。(3)由鍺鹵化物的熔沸點由由鍺鹵化物的熔沸點由Cl到到I呈增大的趨勢且它們的熔沸點較低，可判斷它們均為呈增大的趨勢且它們的熔沸點較低，可判斷它們均為分子晶體，而相同類型的分子晶體，其熔沸點取決于相對分子質(zhì)量的大小，因為相分子晶體，而相同類型的分子晶體，其熔沸點取決于相對分子質(zhì)量的大小，因為相對分子質(zhì)量越大，分子間的作用力就越大，熔沸點就越高。對分子質(zhì)量越大，分子間的作用力就越大，熔沸點就越高。分析評價分析評價題型：選做題填空題題型：選做題填空題評析：原子結(jié)構(gòu)在高考中常見的命題角度有原子核外電子的排布評析：原子結(jié)構(gòu)在高考中常見的命題角度有原子核外電子的排布規(guī)律及其表示方

14、法、原子結(jié)構(gòu)與元素電離能和電負(fù)性的關(guān)系及其規(guī)律及其表示方法、原子結(jié)構(gòu)與元素電離能和電負(fù)性的關(guān)系及其應(yīng)用；分子結(jié)構(gòu)則圍繞某物質(zhì)判斷共價鍵的類型和數(shù)目，分子的應(yīng)用；分子結(jié)構(gòu)則圍繞某物質(zhì)判斷共價鍵的類型和數(shù)目，分子的極性、中心原子的雜化方式，微粒的立體構(gòu)型，氫鍵的形成及對極性、中心原子的雜化方式，微粒的立體構(gòu)型，氫鍵的形成及對物質(zhì)的性質(zhì)影響等；晶體結(jié)構(gòu)在高考中常見的命題角度有晶體的物質(zhì)的性質(zhì)影響等；晶體結(jié)構(gòu)在高考中常見的命題角度有晶體的類型、結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系，晶體熔沸點高低的比較，配位數(shù)、晶類型、結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系，晶體熔沸點高低的比較，配位數(shù)、晶胞模型分析及有關(guān)計算等。上述考查知識點多以胞模型分析及有關(guān)計算等。上述考查知識點多以“拼盤拼盤”形式呈形式呈現(xiàn)，知識覆蓋較廣，命題角度具有相對獨(dú)立性。現(xiàn)，知識覆蓋較廣，命題角度具有相對獨(dú)立性。啟示啟示：特別關(guān)注：特別關(guān)注：第四周期元素原子或離子電子排布式的書寫；第四周期元素原子或離子電子排布式的書寫；晶胞微粒的計算方法。晶胞微粒的計算方法。