高考化學(xué)二輪復(fù)習(xí) 高頻考點(diǎn)精講 高頻考點(diǎn)31 原子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)課件

一、原子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)一、原子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)1基態(tài)原子的核外電子排布基態(tài)原子的核外電子排布(1)排布規(guī)律排布規(guī)律能量最低原理能量最低原理原子核外電子先占有能量最低的原子軌道原子核外電子先占有能量最低的原子軌道泡利不相容原理泡利不相容原理每個(gè)原子軌道中最多只能容納每個(gè)原子軌道中最多只能容納2個(gè)自旋狀態(tài)不個(gè)自旋狀態(tài)不同的電子同的電子洪特規(guī)則洪特規(guī)則原子核外電子在能量相同的各個(gè)軌道上排布時(shí)，原子核外電子在能量相同的各個(gè)軌道上排布時(shí)，電子盡可能分占不同的原子軌道，且自旋狀態(tài)電子盡可能分占不同的原子軌道，且自旋狀態(tài)相同相同原子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)原子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)說明說明：能量相同的原子軌道在全充滿、半充滿和全空狀態(tài)時(shí)，體系能量較低，原子：能量相同的原子軌道在全充滿、半充滿和全空狀態(tài)時(shí)，體系能量較低，原子較穩(wěn)定。較穩(wěn)定。(2)表示形式表示形式核外電子排布式，如核外電子排布式，如Cr：1s22s22p63s23p63d54s1，可簡(jiǎn)化為，可簡(jiǎn)化為Ar3d54s1。價(jià)層電子排布式：如價(jià)層電子排布式：如Fe：3d64s2。電子排布圖又稱軌道表示式：如電子排布圖又稱軌道表示式：如O：(3)基態(tài)原子核外電子排布表示方法中的常見誤區(qū)基態(tài)原子核外電子排布表示方法中的常見誤區(qū)在寫基態(tài)原子的電子排布圖時(shí)，常出現(xiàn)以下錯(cuò)誤：在寫基態(tài)原子的電子排布圖時(shí)，常出現(xiàn)以下錯(cuò)誤：當(dāng)出現(xiàn)當(dāng)出現(xiàn)d軌道時(shí)，雖然電子按軌道時(shí)，雖然電子按ns、(n1)d、np的順序填充，的順序填充，但在書寫電子排布式時(shí)，仍把但在書寫電子排布式時(shí)，仍把(n1)d放在放在ns前，如前，如Fe：1s22s22p63s23p63d64s2正確，正確，F(xiàn)e：1s22s22p63s23p64s23d6錯(cuò)誤。錯(cuò)誤。注意元素電子排布式、簡(jiǎn)化電子排布式、元素價(jià)電子排布式注意元素電子排布式、簡(jiǎn)化電子排布式、元素價(jià)電子排布式的區(qū)別與聯(lián)系。如的區(qū)別與聯(lián)系。如Fe的電子排布式：的電子排布式：1s22s22p63s23p63d64s2；簡(jiǎn)；簡(jiǎn)化電子排布式：化電子排布式：Ar3d64s2；價(jià)電子排布式：；價(jià)電子排布式：3d64s2。2第一電離能、電負(fù)性第一電離能、電負(fù)性二、分子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)二、分子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)1共價(jià)鍵共價(jià)鍵 配位鍵：形成配位鍵的條件是成鍵原子一方配位鍵：形成配位鍵的條件是成鍵原子一方(A)能夠提供孤能夠提供孤電子對(duì)，另一方電子對(duì)，另一方(B)具有能夠接受孤電子對(duì)的空軌道，可表示具有能夠接受孤電子對(duì)的空軌道，可表示為為AB。(2)鍵和鍵和鍵的判斷方法：鍵的判斷方法：共價(jià)單鍵全為共價(jià)單鍵全為鍵，雙鍵中有一個(gè)鍵，雙鍵中有一個(gè)鍵和一個(gè)鍵和一個(gè)鍵，三鍵中有鍵，三鍵中有一個(gè)一個(gè)鍵和兩個(gè)鍵和兩個(gè)鍵。鍵。2雜化軌道雜化軌道(1)方法：判斷分子或離子中中心原子的雜化軌道類型方法：判斷分子或離子中中心原子的雜化軌道類型看中心原子有沒有形成雙鍵或三鍵。如果有看中心原子有沒有形成雙鍵或三鍵。如果有1個(gè)三鍵，則其個(gè)三鍵，則其中有中有2個(gè)個(gè)鍵，用去了鍵，用去了2個(gè)個(gè)p軌道，則為軌道，則為sp雜化；如果有雜化；如果有1個(gè)雙個(gè)雙鍵則其中有鍵則其中有1個(gè)個(gè)鍵，則為鍵，則為sp2雜化；如果全部是單鍵，則為雜化；如果全部是單鍵，則為sp3雜化。雜化。由分子的空間構(gòu)型結(jié)合價(jià)層電子對(duì)互斥理論判斷。沒有填由分子的空間構(gòu)型結(jié)合價(jià)層電子對(duì)互斥理論判斷。沒有填充電子的空軌道一般不參與雜化，充電子的空軌道一般不參與雜化，1對(duì)孤電子對(duì)占據(jù)對(duì)孤電子對(duì)占據(jù)1個(gè)雜化個(gè)雜化軌道。如軌道。如NH3為三角錐形，且有一對(duì)孤電子對(duì)，即為三角錐形，且有一對(duì)孤電子對(duì)，即4條雜化軌條雜化軌道應(yīng)呈正四面體形，為道應(yīng)呈正四面體形，為sp3雜化。雜化。(2)識(shí)記：常見雜化軌道類型與分子構(gòu)型識(shí)記：常見雜化軌道類型與分子構(gòu)型3.三種作用力及對(duì)物質(zhì)性質(zhì)的影響三種作用力及對(duì)物質(zhì)性質(zhì)的影響 范德華力范德華力氫鍵氫鍵共價(jià)鍵共價(jià)鍵作用微粒作用微粒分子分子H與與N、O、F原子原子強(qiáng)度比較強(qiáng)度比較共價(jià)鍵氫鍵范德華力共價(jià)鍵氫鍵范德華力影響因素影響因素組成和結(jié)構(gòu)相似的組成和結(jié)構(gòu)相似的物質(zhì)，相對(duì)分子質(zhì)物質(zhì)，相對(duì)分子質(zhì)量越大，范德華力量越大，范德華力越大越大形成氫鍵元素的形成氫鍵元素的電負(fù)性電負(fù)性原子半徑原子半徑對(duì)性質(zhì)對(duì)性質(zhì)的影響的影響影響物質(zhì)的熔、沸影響物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)、溶解度等物理點(diǎn)、溶解度等物理性質(zhì)性質(zhì)分子間氫鍵使熔、分子間氫鍵使熔、沸點(diǎn)升高，溶解沸點(diǎn)升高，溶解度增大度增大鍵能越大，穩(wěn)鍵能越大，穩(wěn)定性越強(qiáng)定性越強(qiáng)三、晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)三、晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)1明確晶體類型的明確晶體類型的2種判斷方法種判斷方法(1)據(jù)各類晶體的概念判斷，即根據(jù)構(gòu)成晶體的粒子和粒子間據(jù)各類晶體的概念判斷，即根據(jù)構(gòu)成晶體的粒子和粒子間的作用力類別進(jìn)行判斷。如由分子通過分子間作用力的作用力類別進(jìn)行判斷。如由分子通過分子間作用力(范德華范德華力、氫鍵力、氫鍵)形成的晶體屬于分子晶體；由原子通過共價(jià)鍵形成形成的晶體屬于分子晶體；由原子通過共價(jià)鍵形成的晶體屬于原子晶體；由陰、陽離子通過離子鍵形成的晶體的晶體屬于原子晶體；由陰、陽離子通過離子鍵形成的晶體屬于離子晶體，由金屬陽離子和自由電子通過金屬鍵形成的屬于離子晶體，由金屬陽離子和自由電子通過金屬鍵形成的晶體屬于金屬晶體，或由金屬原子形成的晶體屬于金屬晶體。晶體屬于金屬晶體，或由金屬原子形成的晶體屬于金屬晶體。(2)據(jù)各類晶體的特征性質(zhì)判斷。如低熔、沸點(diǎn)的晶體屬于分據(jù)各類晶體的特征性質(zhì)判斷。如低熔、沸點(diǎn)的晶體屬于分子晶體；熔、沸點(diǎn)較高，且在水溶液中或熔化狀態(tài)下能導(dǎo)電子晶體；熔、沸點(diǎn)較高，且在水溶液中或熔化狀態(tài)下能導(dǎo)電的晶體屬于離子晶體；熔、沸點(diǎn)很高，不導(dǎo)電，不溶于一般的晶體屬于離子晶體；熔、沸點(diǎn)很高，不導(dǎo)電，不溶于一般溶劑的晶體屬于原子晶體；能導(dǎo)電、傳熱、具有延展性的晶溶劑的晶體屬于原子晶體；能導(dǎo)電、傳熱、具有延展性的晶體屬于金屬晶體。體屬于金屬晶體。2突破晶體熔、沸點(diǎn)高低的比較突破晶體熔、沸點(diǎn)高低的比較(1)不同類型晶體的熔、沸點(diǎn)高低一般規(guī)律不同類型晶體的熔、沸點(diǎn)高低一般規(guī)律原子晶體離子晶體分子晶體原子晶體離子晶體分子晶體金屬晶體的熔、沸點(diǎn)差別很大，如鎢、鉑等熔點(diǎn)很高，汞、金屬晶體的熔、沸點(diǎn)差別很大，如鎢、鉑等熔點(diǎn)很高，汞、銫等熔點(diǎn)很低。銫等熔點(diǎn)很低。(2)原子晶體原子晶體由共價(jià)鍵形成的原子晶體中，原子半徑小的鍵長(zhǎng)短，鍵能大，由共價(jià)鍵形成的原子晶體中，原子半徑小的鍵長(zhǎng)短，鍵能大，晶體的熔、沸點(diǎn)高。如熔點(diǎn)：金剛石碳化硅硅。晶體的熔、沸點(diǎn)高。如熔點(diǎn)：金剛石碳化硅硅。(3)離子晶體離子晶體一般地說，陰、陽離子的電荷數(shù)越多，離子半徑越小，則離一般地說，陰、陽離子的電荷數(shù)越多，離子半徑越小，則離子間的作用力就越強(qiáng)，其晶體的熔、沸點(diǎn)就越高，如熔點(diǎn)：子間的作用力就越強(qiáng)，其晶體的熔、沸點(diǎn)就越高，如熔點(diǎn)：MgONaClCsCl。(4)分子晶體分子晶體分子間作用力越大，物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)越高；具有氫鍵的分子分子間作用力越大，物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)越高；具有氫鍵的分子晶體熔、沸點(diǎn)反常地高。如晶體熔、沸點(diǎn)反常地高。如H2OH2TeH2SeH2S。組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量越大，熔、沸點(diǎn)組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量越大，熔、沸點(diǎn)越高。越高。SnH4GeH4SiH4CH4。組成和結(jié)構(gòu)不相似的分子晶體組成和結(jié)構(gòu)不相似的分子晶體(相對(duì)分子質(zhì)量接近相對(duì)分子質(zhì)量接近)，分子的，分子的極性越大，其熔、沸點(diǎn)越高。如極性越大，其熔、沸點(diǎn)越高。如CON2，CH3OHCH3CH3。(5)金屬晶體金屬晶體金屬離子半徑越小，離子電荷數(shù)越多，金屬鍵越強(qiáng)，金屬熔、金屬離子半徑越小，離子電荷數(shù)越多，金屬鍵越強(qiáng)，金屬熔、沸點(diǎn)就越高。如熔、沸點(diǎn)：沸點(diǎn)就越高。如熔、沸點(diǎn)：AlMgNa。3晶胞中微粒數(shù)目的計(jì)算方法晶胞中微粒數(shù)目的計(jì)算方法均攤法均攤法熟記幾種常見的晶胞結(jié)構(gòu)及晶胞含有的粒子數(shù)目熟記幾種常見的晶胞結(jié)構(gòu)及晶胞含有的粒子數(shù)目ANaCl(含含4個(gè)個(gè)Na，4個(gè)個(gè)Cl)B干冰干冰(含含4個(gè)個(gè)CO2)CCaF2(含含4個(gè)個(gè)Ca2，8個(gè)個(gè)F)D金剛石金剛石(含含8個(gè)個(gè)C)E體心立方體心立方(含含2個(gè)原子個(gè)原子)F面心立方面心立方(含含4個(gè)原子個(gè)原子)4晶胞求算晶胞求算靖宸靖宸(2)晶體微粒與晶體微粒與M、之間的關(guān)系之間的關(guān)系若若1個(gè)晶胞中含有個(gè)晶胞中含有x個(gè)微粒，則個(gè)微粒，則1 mol晶胞中含有晶胞中含有x mol微粒，其微粒，其質(zhì)量為質(zhì)量為xM g(M為微粒的相對(duì)原子質(zhì)量為微粒的相對(duì)原子質(zhì)量)；又；又1個(gè)晶胞的質(zhì)量為個(gè)晶胞的質(zhì)量為a3 g(a3為晶胞的體積，為晶胞的體積，a為晶胞邊長(zhǎng)或微粒間距離為晶胞邊長(zhǎng)或微粒間距離)，則，則1 mol晶胞晶胞的質(zhì)量為的質(zhì)量為a3 NA g，因此有，因此有xMa3 NA?？挤ㄖ笇?dǎo)考法指導(dǎo)【典例演示【典例演示1】 (2016全國(guó)全國(guó)卷卷)東晉華陽國(guó)志東晉華陽國(guó)志南中志卷四中已有關(guān)于白銅的記南中志卷四中已有關(guān)于白銅的記載，云南鎳白銅載，云南鎳白銅(銅鎳合金銅鎳合金)聞名中外，曾主要用于造幣，亦可用于制作仿銀飾品。聞名中外，曾主要用于造幣，亦可用于制作仿銀飾品?；卮鹣铝袉栴}：回答下列問題：(1)鎳元素基態(tài)原子的電子排布式為鎳元素基態(tài)原子的電子排布式為_，3d能級(jí)上的未能級(jí)上的未成對(duì)電子數(shù)為成對(duì)電子數(shù)為_。以指定元素或物質(zhì)為背景的多角度立體考查以指定元素或物質(zhì)為背景的多角度立體考查(難度系數(shù)難度系數(shù))(2)硫酸鎳溶于氨水形成硫酸鎳溶于氨水形成Ni(NH3)6SO4藍(lán)色溶液。藍(lán)色溶液。Ni(NH3)6SO4中陰離子的立體構(gòu)型是中陰離子的立體構(gòu)型是_。在在Ni(NH3)62中中Ni2與與NH3之間形成的化學(xué)鍵稱為之間形成的化學(xué)鍵稱為_，提供孤電子對(duì)的成鍵原子是提供孤電子對(duì)的成鍵原子是_。氨的沸點(diǎn)氨的沸點(diǎn)_(填填“高于高于”或或“低于低于”)膦膦(PH3)，原因是，原因是_；氨是；氨是_分子分子(填填“極性極性”或或“非極性非極性”)，中心，中心原子的軌道雜化類型為原子的軌道雜化類型為_。(3)單質(zhì)銅及鎳都是由單質(zhì)銅及鎳都是由_鍵形成的晶體；元素銅與鎳的第鍵形成的晶體；元素銅與鎳的第二電離能分別為：二電離能分別為：ICu1 958 kJmol1、INi1 753 kJmol1，ICuINi的原因是的原因是_。(4)某鎳白銅合金的立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。某鎳白銅合金的立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。晶胞中銅原子與鎳原子的數(shù)量比為晶胞中銅原子與鎳原子的數(shù)量比為_。若合金的密度為若合金的密度為d gcm3，晶胞參數(shù)，晶胞參數(shù)a_nm。由于由于NH3分子間可形成氫鍵，故分子間可形成氫鍵，故NH3的沸點(diǎn)高于的沸點(diǎn)高于PH3。NH3分子中，分子中，N原子形成原子形成3個(gè)個(gè)鍵，且有鍵，且有1個(gè)孤電子對(duì)，個(gè)孤電子對(duì)，N原子的軌道雜化類型為原子的軌道雜化類型為sp3，立體構(gòu)型為三角錐形。由于，立體構(gòu)型為三角錐形。由于空間結(jié)構(gòu)不對(duì)稱，空間結(jié)構(gòu)不對(duì)稱，NH3屬于極性分子。屬于極性分子。(3)Cu、Ni均屬于金屬晶體，它們均通過金屬鍵形成晶體。因均屬于金屬晶體，它們均通過金屬鍵形成晶體。因Cu元素基態(tài)原子的價(jià)層元素基態(tài)原子的價(jià)層電子排布式為電子排布式為3d104s1，3d能級(jí)全充滿，較穩(wěn)定，失去第能級(jí)全充滿，較穩(wěn)定，失去第2個(gè)電子較難，因此第二電離個(gè)電子較難，因此第二電離能能ICuINi。【考法訓(xùn)練【考法訓(xùn)練1】 (2017課標(biāo)全國(guó)課標(biāo)全國(guó)，35)研究發(fā)現(xiàn)，在研究發(fā)現(xiàn)，在CO2低壓合成甲醇反應(yīng)低壓合成甲醇反應(yīng)(CO23H2=CH3OHH2O)中，中，Co氧化物負(fù)載的氧化物負(fù)載的Mn氧化物納米粒子催化劑具有高活性，氧化物納米粒子催化劑具有高活性，顯示出良好的應(yīng)用前景?；卮鹣铝袉栴}：顯示出良好的應(yīng)用前景。回答下列問題：(1)Co基態(tài)原子核外電子排布式為基態(tài)原子核外電子排布式為_。元素元素Mn與與O中，第一電離能較大的是中，第一電離能較大的是_，基態(tài)原子核，基態(tài)原子核外未成對(duì)電子數(shù)較多的是外未成對(duì)電子數(shù)較多的是_。(2)CO2和和CH3OH分子中分子中C原子的雜化形式分別為原子的雜化形式分別為_和和_。(3)在在CO2低壓合成甲醇反應(yīng)所涉及的低壓合成甲醇反應(yīng)所涉及的4種物質(zhì)中，沸點(diǎn)從高到種物質(zhì)中，沸點(diǎn)從高到低的順序?yàn)榈偷捻樞驗(yàn)開，原因是原因是_。(4)硝酸錳是制備上述反應(yīng)催化劑的原料，硝酸錳是制備上述反應(yīng)催化劑的原料，Mn(NO3)2中的化學(xué)鍵中的化學(xué)鍵除了除了鍵外，還存在鍵外，還存在_。(5)MgO具有具有NaCl型結(jié)構(gòu)型結(jié)構(gòu)(如圖如圖)，其中陰離子采用面心立方最密，其中陰離子采用面心立方最密堆積方式，堆積方式，X射線衍射實(shí)驗(yàn)測(cè)得射線衍射實(shí)驗(yàn)測(cè)得MgO的晶胞參數(shù)為的晶胞參數(shù)為a0.420 nm，則則r(O2)為為_nm。MnO也屬于也屬于NaCl型結(jié)構(gòu)，晶胞參數(shù)型結(jié)構(gòu)，晶胞參數(shù)為為a0.448 nm，則，則r(Mn2)為為_nm。解析解析(1)Co為為27號(hào)元素，號(hào)元素，Co的基態(tài)原子核外電子排布式為：的基態(tài)原子核外電子排布式為：1s22s22p63s23p63d74s2或或Ar3d74s2；金屬性越強(qiáng)，第一電離能越小，而金屬性：；金屬性越強(qiáng)，第一電離能越小，而金屬性：MnO，故第一電離能較大，故第一電離能較大的為的為O。Mn原子的價(jià)電子排布式為原子的價(jià)電子排布式為3d54s2，根據(jù)洪特規(guī)則，有，根據(jù)洪特規(guī)則，有5個(gè)未成對(duì)電子，而個(gè)未成對(duì)電子，而O原子的價(jià)電子排布式為原子的價(jià)電子排布式為2s22p4，僅有，僅有2個(gè)未成對(duì)電子，故基態(tài)原子核外未成對(duì)電子數(shù)個(gè)未成對(duì)電子，故基態(tài)原子核外未成對(duì)電子數(shù)較多的是較多的是Mn；(2)根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論，根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論，CO2中中C原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)為原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)為2，為，為sp雜化，而雜化，而CH3OH中中C原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4，為，為sp3雜化；雜化；(3)影響分子晶體沸點(diǎn)的因素有范德華力和氫鍵，影響分子晶體沸點(diǎn)的因素有范德華力和氫鍵，H2O與與CH3OH均為極性分子，均為極性分子，H2O中氫鍵比甲醇多，故中氫鍵比甲醇多，故H2O的沸點(diǎn)高，的沸點(diǎn)高，CO2與與H2均為非極性分子，均為非極性分子，CO2相對(duì)分子質(zhì)量較相對(duì)分子質(zhì)量較大，范德華力大，沸點(diǎn)更高。大，范德華力大，沸點(diǎn)更高。答案答案(1)1s22s22p63s23p63d74s2或或Ar3d74s2OMn(2)spsp3(3)H2OCH3OHCO2H2水含氫鍵比甲醇中多；水含氫鍵比甲醇中多；CO2與與H2均為非極性分子，均為非極性分子，CO2相相對(duì)分子質(zhì)量較大，范德華力大對(duì)分子質(zhì)量較大，范德華力大(4)離子鍵、離子鍵、鍵鍵(5)0.148 0.076【典例演示【典例演示2】 (2016四川高考，四川高考，8)M、R、X、Y為原子序數(shù)依次增大的短周期主為原子序數(shù)依次增大的短周期主族元素，族元素，Z是一種過渡元素。是一種過渡元素。M基態(tài)原子基態(tài)原子L層中層中p軌道電子數(shù)是軌道電子數(shù)是s軌道電子數(shù)的軌道電子數(shù)的2倍，倍，R是同周期元素中最活潑的金屬元素，是同周期元素中最活潑的金屬元素，X和和M形成的一種化合物是引起酸雨的主要形成的一種化合物是引起酸雨的主要大氣污染物，大氣污染物，Z的基態(tài)原子的基態(tài)原子4s和和3d軌道半充滿。請(qǐng)回答下列問題：軌道半充滿。請(qǐng)回答下列問題：(1)R基態(tài)原子的電子排布式是基態(tài)原子的電子排布式是_，X和和Y中電負(fù)性較大中電負(fù)性較大的是的是_(填元素符號(hào)填元素符號(hào))。以推斷元素為背景的以推斷元素為背景的“拼盤式拼盤式”考查考查(難度系數(shù)難度系數(shù))(2)X的氫化物的沸點(diǎn)低于與其組成相似的的氫化物的沸點(diǎn)低于與其組成相似的M的氫化的氫化物，其原因是物，其原因是_。(3)X與與M形成的形成的XM3分子的空間構(gòu)型是分子的空間構(gòu)型是_。(4)M和和R所形成的一種離子化合物所形成的一種離子化合物R2M晶體的晶胞晶體的晶胞如圖所示，則圖中黑球代表的離子是如圖所示，則圖中黑球代表的離子是_(填離填離子符號(hào)子符號(hào))。(5)在稀硫酸中，在稀硫酸中，Z的最高價(jià)含氧酸的鉀鹽的最高價(jià)含氧酸的鉀鹽(橙色橙色)氧化氧化M的一種的一種氫 化 物 ，氫 化 物 ， Z被 還 原 為 被 還 原 為 3價(jià) ， 該 反 應(yīng) 的 化 學(xué) 方 程 式 是價(jià) ， 該 反 應(yīng) 的 化 學(xué) 方 程 式 是_。解析解析M基態(tài)原子的核外電子排布式為基態(tài)原子的核外電子排布式為1s22s22p4，為氧元素，為氧元素，R為鈉元素，為鈉元素，X的原子的原子序數(shù)大于序數(shù)大于R，為硫元素，則，為硫元素，則Y為氯元素，為氯元素，Z基態(tài)原子的核外電子排布式為基態(tài)原子的核外電子排布式為Ar3d54s1，為為24號(hào)元素鉻。號(hào)元素鉻。(1)11號(hào)元素鈉的基態(tài)原子的電子排布式為號(hào)元素鈉的基態(tài)原子的電子排布式為1s22s22p63s1。同一周期元。同一周期元素，隨原子序數(shù)遞增，電負(fù)性增大，素，隨原子序數(shù)遞增，電負(fù)性增大，Cl的電負(fù)性強(qiáng)于的電負(fù)性強(qiáng)于S。(2)H2S分子間不存在氫鍵，分子間不存在氫鍵，H2O分子間存在氫鍵，所以分子間存在氫鍵，所以H2O的沸點(diǎn)高于的沸點(diǎn)高于H2S。(3)SO3的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為3，無孤對(duì)，無孤對(duì)電子，為平面正三角形。電子，為平面正三角形。答案答案(1) 1s22s22p63s1或或Ne3s1Cl(2)H2S分子間不存在氫鍵，分子間不存在氫鍵，H2O分子間存在氫鍵分子間存在氫鍵(3)平面三角形平面三角形(4)Na(5)K2Cr2O73H2O24H2SO4=Cr2(SO4)33O2K2SO47H2O【考法指導(dǎo)】【考法指導(dǎo)】這是一種較為典型的命題形式?；谠咏Y(jié)構(gòu)和元素周期表這是一種較為典型的命題形式。基于原子結(jié)構(gòu)和元素周期表(或元素周期律或元素周期律)等背景進(jìn)等背景進(jìn)行元素推斷，從而呈現(xiàn)出幾種元素，這些元素往往含有主族元素和過渡元素。命題行元素推斷，從而呈現(xiàn)出幾種元素，這些元素往往含有主族元素和過渡元素。命題時(shí)，并不完全圍繞各元素獨(dú)立進(jìn)行，同時(shí)也依托這些元素之間組成的物質(zhì)展開，從時(shí)，并不完全圍繞各元素獨(dú)立進(jìn)行，同時(shí)也依托這些元素之間組成的物質(zhì)展開，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)原子結(jié)構(gòu)、分子結(jié)構(gòu)和晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的綜合考查。而實(shí)現(xiàn)對(duì)原子結(jié)構(gòu)、分子結(jié)構(gòu)和晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的綜合考查?！究挤ㄓ?xùn)練【考法訓(xùn)練2】 現(xiàn)有現(xiàn)有A、X、Y、Z、W五種元素，它們的原子序數(shù)依次增大。五種元素，它們的原子序數(shù)依次增大。A元素元素原子的核外電子總數(shù)與其周期數(shù)相同；原子的核外電子總數(shù)與其周期數(shù)相同；X基態(tài)原子的基態(tài)原子的L層中有層中有3個(gè)未成對(duì)電子；個(gè)未成對(duì)電子；Y基基態(tài)原子的態(tài)原子的2p軌道上有一個(gè)電子的自旋方向與軌道上有一個(gè)電子的自旋方向與2p軌道上其他電子的自旋方向相反；軌道上其他電子的自旋方向相反；Z基態(tài)原子的基態(tài)原子的3p軌道上得到兩個(gè)電子后不能再容納外來電子；軌道上得到兩個(gè)電子后不能再容納外來電子；W基態(tài)原子的最外基態(tài)原子的最外層電子數(shù)為層電子數(shù)為1，其余各電子層均充滿電子。請(qǐng)回答下列問題：，其余各電子層均充滿電子。請(qǐng)回答下列問題：(1)這五種元素中，電負(fù)性最大的元素基態(tài)原子的電子排布式這五種元素中，電負(fù)性最大的元素基態(tài)原子的電子排布式是是_，W位于周期表的位于周期表的_(填填“s”、“p”、“d”或或“ds”)區(qū)。區(qū)。(2)已知已知X2Y分子中分子中Y原子只與一個(gè)原子只與一個(gè)X原子相連，請(qǐng)根據(jù)等電子原原子相連，請(qǐng)根據(jù)等電子原理，寫出理，寫出X2Y的電子式：的電子式：_，其中心原子的雜化軌道類型是其中心原子的雜化軌道類型是_，1 mol X2Y含有的含有的鍵鍵數(shù)目為數(shù)目為_。(3)W可以形成配合物?？梢孕纬膳浜衔?。A、X、Y、Z、W五種元素五種元素形成的一種形成的一種11型離子化合物中，陰離子呈正四面型離子化合物中，陰離子呈正四面體結(jié)構(gòu)，該陰離子的化學(xué)式為體結(jié)構(gòu)，該陰離子的化學(xué)式為_；其陽離子；其陽離子呈軸向呈軸向 狹長(zhǎng)的八面體結(jié)構(gòu)狹長(zhǎng)的八面體結(jié)構(gòu)(如圖所示如圖所示)，該陽離子的，該陽離子的化學(xué)式為化學(xué)式為_；該化合物加熱時(shí)首先失去的組；該化合物加熱時(shí)首先失去的組分是分是_，判斷理由是，判斷理由是_。(4)W、X形成的某種化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示的立方晶胞形成的某種化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示的立方晶胞(其其中中X顯顯3價(jià)價(jià))，則其化學(xué)式為，則其化學(xué)式為_。設(shè)阿伏加德羅常數(shù)的值為設(shè)阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，距離最近的兩個(gè)，距離最近的兩個(gè)W的核間距為的核間距為a cm，則該晶體的密度為，則該晶體的密度為_ gcm3。(用含有用含有a和和NA的代數(shù)的代數(shù)式表示式表示)解析解析A、X、Y、Z、W五種元素的原子序數(shù)依次增大。五種元素的原子序數(shù)依次增大。A元素原子的核外電子總數(shù)元素原子的核外電子總數(shù)與其周期數(shù)相同，故與其周期數(shù)相同，故A為為H；X基態(tài)原子的基態(tài)原子的L層中有層中有3個(gè)未成對(duì)電子，故個(gè)未成對(duì)電子，故X為為N；Y基態(tài)基態(tài)原子的原子的2p軌道上有一個(gè)電子的自旋方向與軌道上有一個(gè)電子的自旋方向與2p軌道上其他電子的自旋方向相反，故軌道上其他電子的自旋方向相反，故Y為為O；Z基態(tài)原子的基態(tài)原子的3p軌道上得到兩個(gè)電子后不能再容納外來電子，故軌道上得到兩個(gè)電子后不能再容納外來電子，故Z為為S；W基態(tài)基態(tài)原子的最外層電子數(shù)為原子的最外層電子數(shù)為1，其余各電子層均充滿電子，故，其余各電子層均充滿電子，故W為為Cu。(1)電負(fù)性最大的電負(fù)性最大的元素為元素為O，其基態(tài)原子的電子排布式為，其基態(tài)原子的電子排布式為1s22s22p4。Cu為為29號(hào)元素，在元素周期表中號(hào)元素，在元素周期表中屬于屬于ds區(qū)。區(qū)。