可編程只讀存儲器

本文格式為Word版，下載可任意編輯可編程只讀存儲器 1.一次編程型只讀存儲器（PROM) 我們已經(jīng)知道ROM是一個“與”、“或”、規(guī)律陣列結(jié)構(gòu)，當(dāng)ROM制造完畢，用戶不能轉(zhuǎn)變其已經(jīng)存儲的內(nèi)容。而PROM則不同，制造這種器件時，使存儲陣列（“或”陣列）的全部存儲單元的內(nèi)容全為1（或0），用戶依據(jù)自己的需要可以對全部的存儲單元進行一次性改寫。圖1是熔斷絲結(jié)構(gòu)的PROM基本存儲單元示意圖。出廠時全部的基本存儲單元為1，即存儲陣列中的熔絲都是通的。若用戶通過大電流將當(dāng)熔絲燒斷，則該基本存儲單元改寫成為0。PROM的熔絲燒斷不能再接上，因而只能編程一次，故稱為一次編程型只讀存儲器。 圖1 熔斷絲構(gòu)成的PROM基本存儲單元圖2 PROM的陣列圖為了表明PLD存儲內(nèi)容狀況，經(jīng)常用陣列圖表示。圖2所示的是PROM陣列圖。它由一個固定的“與”陣列（地址譯碼器）和一個可編程的“或”陣列（存儲陣列）構(gòu)成。同ROM相比，二者差別在于“或”陣列是否能用戶編程。圖中黑點表示固定連接，叉點表示編程點。為了表示的便利，經(jīng)常把PROM不行編程的“或”陣列（地址譯碼器）表示成象ROM那樣，用一方框示出。圖3 用PROM構(gòu)成階梯波發(fā)生器圖4 階梯波 圖5 PROM編程陣列圖同ROM一樣，利用PROM可以實現(xiàn)任何組合規(guī)律函數(shù)。二者區(qū)分在于前者由制造器件時確定，后者可以由用戶一次性編程確定。PROM廣泛應(yīng)用于波形轉(zhuǎn)換、字符集組建等。如圖3，利用PROM構(gòu)成的階梯波信號發(fā)生器，輸出電壓vO的波形由PROM存儲內(nèi)容打算。PROM的四個輸出端掌握反相比例運算的運放輸入端的四個電子開關(guān)（實際中可可由D/A轉(zhuǎn)換器實現(xiàn)，見第11章）。當(dāng)D=1時，開關(guān)接基準(zhǔn)電壓-VR；當(dāng)D=0時，開關(guān)接“地”。若要產(chǎn)生如圖4所示的周期階梯波信號，則PROM的編程表如下表所示。PROM的編程陣列圖如圖6所示。 圖6中PROM包含了一個4/16線固定的“與”陣列地址譯碼器及一個16字×4位的可編程“或”存儲陣列。2.可改寫型只讀存儲器（EPROM） 圖7 EPROM2716管腳排列及功能說明PROM只能一次編程，而可改寫型只讀存儲器可多次擦除并重新寫入新內(nèi)容。最為典型的是紫外線擦除，在EPROM器件外殼上有透亮的石英窗口，用紫外線（或X射線）照耀，來完成擦除操作。EPROM2716是一種常見的容量為2K（2048×8Bit）的可改寫型只讀存儲器。圖7是其外引線排列和功能說明。編程時，VPP接25V電源，片選信號端 接高電平，在編程掌握端PD/PGM加脈寬為50ms的正脈沖。工作使用中，VPP與VCC一起接5V電源，PD/PGM與 連接一起作為片選信號，當(dāng)消失低電平0時便選中該片，可從該片讀取數(shù)據(jù)。在實際設(shè)計的工業(yè)掌握機等應(yīng)用中,經(jīng)常是RAM和EPROM（往往固化系統(tǒng)程序）一起使用，完成信息處理任務(wù)。如圖8，采納1片EPROM2716和3片RAM6116將字?jǐn)?shù)擴展8K存儲器的接線圖，圖中4個芯片由2/4線譯碼器低電平有效輸出端選擇，各芯片所占據(jù)的地址范圍和對應(yīng)單元號見表2。 端、I/O（數(shù)據(jù)）端、A10A0地址輸入端都對應(yīng)并聯(lián)在一起。 圖8 由1片EPROM2716和4片RAM6116組成的64K存儲器 表2 各芯片所占據(jù)的地址范圍和對應(yīng)單元號 3.電擦除型只讀存儲器（EEPROM）EEPROM是在EPROM基礎(chǔ)上進展而來的一種可以實現(xiàn)快速擦除只讀存儲器。它克服了EPROM對比射時間和照s度的技術(shù)要求及擦除的速度也比較慢的缺陷，所以這種擦除方式操作起來非常便利。EEPROM的內(nèi)部“與”陣列和“或”陣列和EPROM相像，只是寫入方式不同。第 2 頁 共 2 頁