湖北省黃岡市2019高考化學(xué)一輪復(fù)習(xí) 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)導(dǎo)學(xué)案.doc

物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)李仕才一、考綱解讀對(duì)照2017年考試大綱和2018年考試大綱，我們會(huì)發(fā)現(xiàn)該兩年的考試大綱基本一致，特別是選修三物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)部分內(nèi)容完全一樣。新課標(biāo)高考中對(duì)本模塊能力要求多為理解層次，近三年考查選修試題難度中等，總體平穩(wěn)，呈適度創(chuàng)新的態(tài)勢(shì)。物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)這一模塊，知識(shí)抽象，理論性較強(qiáng)，知識(shí)點(diǎn)零碎。但只要復(fù)習(xí)全面、細(xì)致、到位，在考試中學(xué)生還是比較容易拿到理想分?jǐn)?shù)。二、考情分析考查內(nèi)容1、原子結(jié)構(gòu)，電子排布式1、原子軌道式1、電子排布圖1、電子排布式、軌道式2、原子結(jié)構(gòu)分析2、第一電離能2、電子對(duì)構(gòu)型2、價(jià)層電子對(duì)數(shù)判斷3、利用結(jié)構(gòu)判斷熔沸點(diǎn)3、原子結(jié)構(gòu)判斷3、軌道雜化，鍵和鍵3、利用物質(zhì)結(jié)構(gòu)判斷性質(zhì)4、電負(fù)性4、鍵和鍵4、第一電離能、鍵能4、分子的立體構(gòu)型，軌道雜化理論5、軌道雜化5、氫鍵5、晶胞計(jì)算5、晶胞計(jì)算6、晶胞計(jì)算6、晶胞計(jì)算三、學(xué)情分析（2015全國(guó)卷 37）碳及其化合物廣泛存在于自然界中。回答下列問(wèn)題：（1）處于一定空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子在原子核外出現(xiàn)的概率密度分布可用形象化描述。在基態(tài)原子中，核外存在對(duì)自旋相反的電子。（2）碳在形成化合物時(shí)，其鍵型以共價(jià)鍵為主，原因是。（3）CS2分子中，共價(jià)鍵的類型有，C原子的雜化軌道類型是，寫出兩個(gè)與CS2具有相同空間構(gòu)型和鍵合形式的分子或離子。（4）CO能與金屬Fe形成Fe(CO)5，該化合物的熔點(diǎn)為253K，沸點(diǎn)為376K，其固體屬于晶體。（5）碳有多種同素異形體，其中石墨烯與金剛石的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示：在石墨烯晶體中，每個(gè)C原子連接個(gè)六元環(huán)，每個(gè)六元環(huán)占有個(gè)C原子。在金剛石晶體中，C原子所連接的最小環(huán)也為六元環(huán)，每個(gè)C原子連接個(gè)六元環(huán)，六元環(huán)中最多有個(gè)C原子在同一平面。學(xué)生答題情況（1）“電子云”，術(shù)專業(yè)術(shù)語(yǔ)，丟分的學(xué)生多是忘了名稱。（2）描述“碳易形成共價(jià)化合物”的原因，使學(xué)生的易錯(cuò)點(diǎn)，學(xué)生很難從“價(jià)電子數(shù)”和“原子半徑”兩個(gè)角度全面回答。（3）要求寫出CS2的兩個(gè)等電子體，部分學(xué)生很難得全分。（5）晶體類型回歸“常規(guī)”，難度不大，但“每一個(gè)碳原子連接的六元環(huán)數(shù)”是一個(gè)難點(diǎn)，取決于評(píng)時(shí)訓(xùn)練的深廣度。四、課時(shí)設(shè)計(jì)本專題計(jì)劃課時(shí)2224課時(shí)（含機(jī)動(dòng)課時(shí)）原子結(jié)構(gòu)構(gòu)造原理（1-36號(hào)元素的核外電子排布、價(jià)電子軌道示意圖）元素性質(zhì)（原子半徑、主要化合價(jià)、原子第一電離能、電負(fù)性周期性變化規(guī)律）要點(diǎn)梳理：3課時(shí) 鞏固訓(xùn)練：2課時(shí) 自我整理：1課時(shí) 共6課時(shí)分子結(jié)構(gòu)共價(jià)鍵（包括極性鍵、非極性鍵、配位鍵、鍵和鍵）鍵參數(shù)（鍵能、鍵長(zhǎng)、鍵角）分子立體結(jié)構(gòu)（等電子體、價(jià)層電子互斥理論、雜化軌道理論）分子的極性分子間的作用力（氫鍵、范德華力）分子的穩(wěn)定性、熔沸點(diǎn)、溶解性、酸性的大小判斷）要點(diǎn)梳理：3課時(shí) 鞏固訓(xùn)練：3課時(shí) 自我整理：1課時(shí) 共7課時(shí)晶體結(jié)構(gòu)晶體微粒（晶胞）典型晶體（金剛石、石墨的原子晶體、冰、CO2的分子晶體、NaCl、CsCl、CaF2的離子晶體、鉀、鎂、銅、簡(jiǎn)單立方的金屬晶體）結(jié)構(gòu)微粒間作用晶體性質(zhì)（硬度、熔點(diǎn)、導(dǎo)電性）要點(diǎn)梳理：4課時(shí) 鞏固訓(xùn)練：3課時(shí) 自我整理：1課時(shí) 共8課時(shí)五、教學(xué)內(nèi)容高考選修 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)常考考點(diǎn)分析及應(yīng)對(duì)策略： 高考復(fù)習(xí)應(yīng)該有的放矢，根據(jù)考情和學(xué)情合理安排復(fù)習(xí)內(nèi)容和練習(xí)，做到有備無(wú)患，針對(duì)高考要求和本校學(xué)生基本情況，我們重點(diǎn)復(fù)習(xí)內(nèi)容作如下安排：（1） 電子排布式（圖）的書寫，如：【2016】(1)基態(tài)Ge原子的核外電子排布式為Ar_；【2017 II】（1）氮原子價(jià)層電子對(duì)的軌道表達(dá)式（電子排布圖）為_。【2018 】（1）下列Li原子電子排布圖表示的狀態(tài)中，能量最低和最高的分別為_、_（填標(biāo)號(hào)），【2018 II】（1）基態(tài)Fe原子價(jià)層電子的電子排布圖（軌道表達(dá)式）為_，基態(tài)S原子電子占據(jù)最高能級(jí)的電子云輪廓圖為_形。 1.電子排布式（圖）的書寫是選修3出現(xiàn)的一種新的化學(xué)用語(yǔ)，是高考熱點(diǎn)，需關(guān)注 。涉及元素?cái)U(kuò)充到前36號(hào)元素，即第一過(guò)渡系元素成為高考命題的熱點(diǎn)：Fe、Cu、Co、Ni、Zn，及常見的貴金屬金等。復(fù)習(xí)中要求學(xué)生能熟練寫出1-36號(hào)元素的電子排布式，注意按照構(gòu)造原理中電子填充能級(jí)的先后順序把握電子排布規(guī)律性和特殊性。2. 化學(xué)基本用語(yǔ)的規(guī)范性很強(qiáng)，解答此類題目的關(guān)鍵是：細(xì)審題明要求重規(guī)范，看清題目要寫電子排布式、價(jià)層電子排布式還是某一能層電子排布式，是寫電子排布式還畫電子排布圖。二要熟記兩個(gè)特殊原子Cu、Cr的價(jià)層電子排布。關(guān)注21-30元素名稱和符號(hào)（2） 微粒的空間構(gòu)型和原子雜化方式，如：【2016】(5)Ge單晶具有金剛石型結(jié)構(gòu),其中Ge原子的雜化方式為,【2018 】（3）LiAlH4是有機(jī)合成中常用的還原劑，LiAlH4中的陰離子空間構(gòu)型是_【2018II】（4）氣態(tài)三氧化硫以單分子形式存在，其分子的立體構(gòu)型為_形，微粒的空間構(gòu)型和原子雜化方式判斷的核心內(nèi)容是價(jià)層電子對(duì)互斥理論，復(fù)習(xí)中要求學(xué)生熟練掌握價(jià)層電子對(duì)的計(jì)算方法，再由價(jià)層電子對(duì)推及粒子的空間構(gòu)型或其中心原子雜化軌道數(shù)及雜化軌道形式。 1.熟悉典型分子的價(jià)層電子對(duì)模型和立體結(jié)構(gòu)2.識(shí)記常見分子、離子的立體構(gòu)型和規(guī)律3.對(duì)于一些難以用公式計(jì)算價(jià)層電子對(duì)數(shù)目微粒，可靈活的從中心原子核外電子排布結(jié)合成鍵情況判斷雜化軌道數(shù)和雜化方式。 4.掌握有機(jī)物C原子中雜化方式的判斷規(guī)律 在一般情況下，有機(jī)物分子中C原子是沒(méi)有孤對(duì)電子的，全部用來(lái)形成鍵或鍵了。要確定C原子雜化形式，只需要看它與幾個(gè)原子結(jié)合。若結(jié)合4個(gè)原子，則為sp3雜化，如： CH4 ；若結(jié)合3個(gè)原子，則為sp2雜化，如： C2H4， C6H6，CH2O ；若結(jié)合2個(gè)原子則為sp雜化，如：C2H2 。 （三）晶體的結(jié)構(gòu)、均攤法確定晶體化學(xué)式或原子數(shù)、晶胞的有關(guān)計(jì)算，如：【2014 I】（3）Cu2O為半導(dǎo)體材料，在其立方晶體內(nèi)部有4個(gè)氧原子，其余氧原子位于面心和頂點(diǎn)，該晶胞中有_個(gè)銅原子。 （4）Al單質(zhì)為面心立方晶體，其晶胞參a=0.405nm，晶胞中鋁原子的配位數(shù)為_，列式表示Al單質(zhì)的密度_g/cm3。 【2014 II】（4）e和c形成的一種離子化合物的晶體結(jié)構(gòu)如圖1，則e離子的電荷為 。 1.在復(fù)習(xí)晶體結(jié)構(gòu)時(shí)，可以NaCl晶體的晶胞為模型，搞清楚Na+和Cl-的排列情況，Na + 、 Cl-的配位數(shù)， 與Na+ （ Cl-）等距Na+ （ Cl-）的數(shù)目，一個(gè)NaCl晶胞含Na+ 和 Cl-個(gè)數(shù)，還可將Na+ 和Cl-用其他微粒代換，遷移轉(zhuǎn)化變成CsCl 、立方ZnS 、CaF2 、金剛石、CO2各類晶體代表物晶胞結(jié)構(gòu)，充分挖掘典型晶胞的價(jià)值，起到舉一反三的作用。 2.晶體化學(xué)式或原子數(shù)的確定、晶胞的有關(guān)計(jì)算都與均攤法的應(yīng)用有關(guān)，從學(xué)生學(xué)習(xí)情況反饋，晶體原子數(shù)的確定難度不大。晶胞的計(jì)算通常涉及晶胞的密度、體積、摩爾質(zhì)量等物理量的求算。識(shí)記一些常見晶胞含有的粒子數(shù)：ANaCl(含4個(gè)Na，4個(gè)Cl) BZnS(含4個(gè)Zn 2，4個(gè)S2)CCaF2(含4個(gè)Ca2，8個(gè)F) D干冰(含4個(gè)CO2)E . 金剛石(含8個(gè)C) FBN (含4個(gè)B和4個(gè)N)G. 體心立方(含2個(gè)原子) H. 面心立方(含4個(gè)原子)（四）粒子的相互作用力及化學(xué)鍵、用化學(xué)鍵或作用力解釋物質(zhì)性質(zhì)，如：【2017 】(2)Ge與C是同族元素,C原子之間可以形成雙鍵、叁鍵,但Ge原子之間難以形成雙鍵或叁鍵。從原子結(jié)構(gòu)角度分析,原因是【2018 I】 （2）Li+與H具有相同的電子構(gòu)型，r(Li+)小于r(H)，原因是_。【2018 II】（3）圖（a）為S8的結(jié)構(gòu)，其熔點(diǎn)和沸點(diǎn)要比二氧化硫的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)高很多，主要原因?yàn)開。掌握物質(zhì)中作用力的類型，學(xué)會(huì)利用共價(jià)鍵參數(shù)鍵能、鍵長(zhǎng)和鍵角知識(shí)比較共價(jià)鍵的強(qiáng)弱，解釋物質(zhì)的穩(wěn)定性，能用分子間氫鍵知識(shí)解釋對(duì)物質(zhì)熔沸點(diǎn)和溶解性的影響，能靈活運(yùn)用氫鍵的知識(shí)解決陌生的題目。 這就要求學(xué)生對(duì)物質(zhì)中的作用力類型和特點(diǎn)徹底的清析，能從物質(zhì)結(jié)構(gòu)決定性質(zhì)的視角解釋分子的某些性質(zhì)，我們?cè)诮虒W(xué)中應(yīng)注意根據(jù)高考試題這一命題軌跡進(jìn)行變式訓(xùn)練，使學(xué)生能把知識(shí)融會(huì)貫通。六、復(fù)習(xí)方法及學(xué)法指導(dǎo)1、高頻考點(diǎn)必須重點(diǎn)落實(shí)，力爭(zhēng)得全分。幾乎必考的知識(shí)點(diǎn)有：（1）基態(tài)原子、離子電子（價(jià)電子）排布式（圖）。（2）元素電負(fù)性的大小比較及其它應(yīng)用（3）用共價(jià)鍵的鍵能、鍵長(zhǎng)、鍵角等說(shuō)明簡(jiǎn)單分子的某些性質(zhì) 知識(shí)點(diǎn)方面涉及到解釋共價(jià)化合物的穩(wěn)定性、酸性等；考查方式方面以文字描述為主。（4）與金剛石結(jié)構(gòu)相似的原子晶體的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)（5）常見的雜化軌道類型（sp,sp2,sp3）（6）常見的簡(jiǎn)單分子或離子的空間結(jié)構(gòu)（7）分子晶體、原子晶體、離子晶體、金屬晶體的結(jié)構(gòu)微粒、微粒間作用力的區(qū)別（8）根據(jù)晶胞確定晶體的組成并進(jìn)行相關(guān)的計(jì)算。2、對(duì)比考試說(shuō)明、高考試題、教材中出現(xiàn)但高考新課標(biāo)全國(guó)卷較少考查的知識(shí)點(diǎn)有：（1）元素周期表的分區(qū) （2）配合物理論（3）鍵的極性和分子的極性 （4）手性（5）分子晶體晶胞結(jié)構(gòu)分析（6）用金屬鍵理論解釋金屬的一些物理性質(zhì)“電子云、等電子原理、鍵和鍵、范德華力對(duì)物質(zhì)性質(zhì)的影響、金屬晶體晶胞結(jié)構(gòu)分析”等考點(diǎn)考查頻率較低。教材中提到的四種科學(xué)儀器的使用(光譜儀、質(zhì)譜儀、紅外光譜儀、X-射線衍射儀)的使用也極少考查。這些考點(diǎn)也要引起一定重視，不能因?yàn)榭嫉纳倬秃雎浴?、值得重點(diǎn)關(guān)注的其它考點(diǎn)：（1）元素第一電離能(I1)的大小比較并能用以說(shuō)明元素的某些性質(zhì)；（2）金屬晶體常見的堆積方式； （3）善于處理信息，能分析給定結(jié)構(gòu)的分子或離子的結(jié)構(gòu)；（4）能列舉含有氫鍵的物質(zhì)并能分析氫鍵的存在對(duì)物質(zhì)性質(zhì)的影響；（5）晶格能對(duì)離子晶體性質(zhì)的影響。歸納起來(lái)，最終對(duì)學(xué)生能力的要求就是“四會(huì)”1.會(huì)書寫電子排布式(圖)，電子式，化學(xué)式、結(jié)構(gòu)式、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式原子（離子）結(jié)構(gòu)示意簡(jiǎn)圖2.會(huì)判斷鍵的極性和分子極性，微粒的互斥模型和空間構(gòu)型，化學(xué)鍵類型，中心原子雜化方式，手性碳，手性分子，等電子體，配合物內(nèi)界、外界、中心原(離)子、配體、配位原子、配位數(shù)，晶體、非晶體。3.會(huì)比較并解釋溶解性，熔沸點(diǎn)，第一電離能，電負(fù)性，鍵角，含氧酸的酸性，氫化物分子的穩(wěn)定性，分子的極性。4. 會(huì)計(jì)算晶胞中微粒數(shù)目，配位數(shù)，空間利用率，密度?？傊?，合理的引導(dǎo)，足夠的訓(xùn)練，幫學(xué)生夯實(shí)基礎(chǔ)，這樣才能以不變應(yīng)萬(wàn)變，讓學(xué)生考出理想的成績(jī)。