（新課改省份專用）2022年高考化學一輪復習 跟蹤檢測（十七）晶體結構與性質(zhì)（含解析）

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1、（新課改省份專用）2022年高考化學一輪復習 跟蹤檢測（十七）晶體結構與性質(zhì)（含解析）1(1)氯酸鉀熔化，粒子間克服了_的作用力；二氧化硅熔化，粒子間克服了_的作用力；碘的升華，粒子間克服了_的作用力。三種晶體的熔點由高到低的順序是_。(2)下列六種晶體：CO2，NaCl，Na，Si，CS2，金剛石，它們的熔點從低到高的順序為_(填序號)。(3)在H2、(NH4)2SO4、SiC、CO2、HF中，由極性鍵形成的非極性分子有_，由非極性鍵形成的非極性分子有_，能形成分子晶體的物質(zhì)是_，含有氫鍵的晶體的化學式是_，屬于離子晶體的是_，屬于共價晶體的是_，五種物質(zhì)的熔點由高到低的順序是_。(4)A、

2、B、C、D為四種晶體，性質(zhì)如下：a固態(tài)時能導電，能溶于鹽酸b能溶于CS2，不溶于水c固態(tài)時不導電，液態(tài)時能導電，可溶于水d固態(tài)、液態(tài)時均不導電，熔點為3 500 試推斷它們的晶體類型：A._；B._；C._；D._。(5)圖中AD是中學化學教科書上常見的幾種晶體結構模型，請?zhí)顚懴鄳镔|(zhì)的名稱：A_；B._；C._；D._。解析：(1)氯酸鉀是離子晶體，熔化時破壞離子鍵；二氧化硅是共價晶體，熔化時破壞共價鍵；碘是分子晶體，升華時粒子間克服分子間作用力；熔點：原子晶體離子晶體分子晶體，所以熔點大小順序為SiO2KClO3I2。(2)根據(jù)晶體類型分析，熔點：原子晶體離子晶體分子晶體，Si和金剛石都是

3、原子晶體，原子半徑越小，共價鍵越強，熔點越高，CO2和CS2都是分子晶體，相對分子質(zhì)量越大熔點越高，所以熔點從低到高的順序為。答案：(1)離子鍵共價鍵分子間SiO2KClO3I2(2)(3)CO2H2H2、CO2、HFHF(NH4)2SO4SiCSiC(NH4)2SO4HFCO2H2(4)金屬晶體分子晶體離子晶體共價晶體(5)氯化銫氯化鈉二氧化硅金剛石2O2、O3、N2、N4是氧和氮元素的幾種單質(zhì)?；卮鹣铝袉栴}：(1)O原子中價電子占據(jù)的軌道數(shù)目為_。(2)第一電離能I1：N_O(填“”或“O；O失去一個電子后O的2p處于半充滿狀態(tài)，更加穩(wěn)定，再失去一個電子消耗能量更高，所以第二電離能I2：O

4、N。(3)O3看成一個O原子是中心原子，其他兩個O原子為配原子的三原子分子，價電子對數(shù)2(622)3，有一個孤電子對，屬于sp2雜化，空間構型為V形；因為V形空間構型正負電荷重心不重合，所以是極性分子；O原子的軌道表示式為，O3中心氧原子采取sp2雜化，其中兩個單電子軌道與另外兩個原子形成兩個鍵，第三個軌道有一對孤電子對，與另兩個氧原子的各1個電子形成三中心四電子大鍵，可用符號表示。(4)因為O、N原子有比較強的吸電子能力，所以NH3和H2O既會吸引同種分子的H，又會吸引對方分子的H，從而形成氫鍵，所以在氨水中存在4種分子間氫鍵，可以表示為H3NHN、H3NHO、H2OHN、H2OHO。(5)

5、因為N4是正面體構型，N原子占據(jù)四面體的四個頂點，所以N4中只存在NN，而N2中只存在，由表中數(shù)據(jù)可知，NN鍵長大于鍵長，NN鍵能小于鍵能，且二者鍵能差距較大，所以N4分子穩(wěn)定性遠小于N2。(6)分析Na2O的晶胞結構圖可得，處于面心上的O2被2個晶胞共用，以圖中上面的面心O2為例，在其上方還有一個同樣的晶胞與其緊鄰，所以每個O2周圍有8個Na與之距離最近，則O2的配位數(shù)為8；Na2O晶胞中Na數(shù)為8，O2數(shù)為864，根據(jù)r(Na)x pm、r(O2)y pm及球體的體積公式可得這12個原子總體積V18x34y3，根據(jù)該晶胞的棱長為a pm，則晶胞體積V2a3，所以該晶胞的原子空間利用率為10

6、0%100%100%。答案：(1)4(2)失去一個電子后O的2p處于半充滿狀態(tài)，更加穩(wěn)定，再失去一個電子消耗能量更高(3)V形極性(4)H3NHO、H2OHN、H2OHO(任寫兩種)(5)N4中NN鍵鍵能小于N2中的NN鍵鍵能，鍵長大于NN鍵鍵長(6)8100%3(2019武漢模擬)砷(As)是第A族元素，砷及其化合物被應用于農(nóng)藥和合金中?；卮鹣铝袉栴}：(1)基態(tài)砷原子的電子排布式為_，第四周期元素中，第一電離能低于砷原子的p區(qū)元素有_(填元素符號)。(2)氮原子間能形成氮氮三鍵，而砷原子間不易形成三鍵的原因是_。(3)AsH3分子為三角錐形，鍵角為91.80，小于氨分子鍵角107，AsH3分

7、子鍵角較小的原因是_。(4)亞砷酸(H3AsO3)分子中，中心原子砷的VSEPR模型是_，砷原子雜化方式為_。(5)砷化鎳的晶胞如圖所示。晶胞參數(shù)a360.2 pm, c500.9 pm, 120。該晶體密度的計算式為_gcm3。解析：(1)砷原子核電荷數(shù)為33，基態(tài)原子的電子排布式為Ar3d104s24p3；同一周期，從左到右，第一電離能呈現(xiàn)增大的趨勢，第A族元素p為半充滿狀態(tài)，第一電離能大于鄰近元素的第一電離能；因此第四周期元素中，第一電離能低于砷原子的p區(qū)元素有Ga、Ge、Se。(2)由于砷原子半徑較大，原子間形成的鍵較長，pp軌道肩并肩重疊程度較小或幾乎不能重疊，難以形成鍵，所以氮原子

8、間能形成氮氮三鍵，而砷原子間不易形成三鍵。(3)AsH3分子鍵角較小的原因是砷原子電負性小于氮原子，其共用電子對離砷核距離較遠，斥力較小，鍵角較小。(4)亞砷酸(H3AsO3)分子結構式為，砷原子的價層電子對數(shù)為4，屬于sp3雜化，中心原子砷的VSEPR模型是四面體形。(5)根據(jù)砷化鎳的晶胞可知：含有的鎳原子個數(shù)為842，含有砷原子個數(shù)為2，所以該晶胞中含有2個砷化鎳，該晶胞的質(zhì)量為2 g，根據(jù)晶胞的俯視圖可以求出xa pm360.21010 cm；該晶胞的體積為360.21010360.21010500.91010 cm3； gcm3。答案：(1)1s22s22p63s23p63d104s2

9、4p3(或Ar3d104s24p3)Ga、Ge、Se(2)砷原子半徑較大，原子間形成的鍵較長，pp軌道肩并肩重疊程度較小或幾乎不能重疊，難以形成鍵(3)砷原子電負性小于氮原子，其共用電子對離砷核距離較遠，斥力較小，鍵角較小(4)四面體形sp3(5)4(2019岳陽模擬)碳和硅是自然界中大量存在的元素，硅及其化合物是工業(yè)上最重要的材料。粗硅的制備有二種方法：方法一：SiO22CSi2CO；方法二：SiO22MgSi2MgO。(1)基態(tài)硅原子中存在_對自旋相反的電子，基態(tài)Mg的最外層電子所占據(jù)的能級的電子云輪廓圖是_。(2)上述反應中所有元素第一電離能最小的元素是_(填元素符號)。(3)試比較C(

10、金剛石)、晶體Si、CO 三種物質(zhì)的熔沸點從高到低的順序_，試解釋原因：_。(4)CO在配合物中可作為配體，在Cr(CO)6配合物中配位原子是_(填元素符號)，1 mol該配合物中含有鍵的數(shù)目是_。(5)SiO2晶胞(如圖1)可理解成將金剛石晶胞(如圖2)中的C原子置換成Si原子，然后在SiSi之間插入O原子而形成。推測SiO2晶胞中Si采用_雜化，OSiO的鍵角為_。SiO2晶胞中，含有Si原子_個和O原子_個。假設金剛石晶胞的邊長為a pm，試計算該晶胞的密度_gcm3(寫出表達式即可)。解析：(1)基態(tài)硅原子核外電子排布式為1s22s22p63s23p2，每一個s能級有1個軌道，s軌道全

11、滿，有3對自旋相反的電子，2p能級有3個軌道，全充滿電子，2p軌道有3對自旋相反的電子，所以基態(tài)硅原子中存在6對自旋相反的電子；Mg的基態(tài)核外電子排布式為1s22s22p63s2,3s軌道是最外層，s能級的電子云圖是球形的，所以基態(tài)Mg的最外層電子所占據(jù)的能級的電子云輪廓圖是球形。(2)第一電離能是原子失去最外層的一個電子所需能量，第一電離能數(shù)值越小，原子越容易失去一個電子，上述反應中涉及的元素有C、O、Mg、Si，其中C、O、Si是非金屬元素，較難失去電子，Mg元素的金屬性最強，最易失去電子，所有元素第一電離能最小的是Mg。(3)C(金剛石)、晶體Si都是原子晶體，熔點高，它們結構相似，但碳

12、原子的半徑比硅原子半徑小，共價鍵的鍵能大，所以C(金剛石)的熔點比晶體Si高，而CO是分子晶體，熔沸點低，所以三種物質(zhì)的熔沸點從高到低的順序：CSiCO。(4)配體中給出孤對電子與中心離子直接形成配位鍵的原子叫配位原子；CO在Cr(CO)6中可作為配體，配位原子是C，CO與N2是等電子體，其結構式是,1 mol CO中含鍵的數(shù)目是2NA，所以1 mol該配合物中含有鍵的數(shù)目是12NA。(5)在SiO2晶體中每個硅原子與周圍的4個氧原子的成鍵情況與金剛石晶體中的碳原子與周圍4個碳原子連接的情況是相同的。所以SiO2晶胞中Si采用sp3雜化，金剛石是正四面體結構單元，其鍵角是10928，所以SiO

13、2晶胞中OSiO的鍵角也是10928。SiO2晶體為面心立體結構，每個SiO2晶胞含有Si原子的個數(shù)為8648，按Si、O原子個數(shù)比，O原子數(shù)是16。一個金剛石晶胞含有8個C原子結構，所以一個晶胞的質(zhì)量為 g g，晶胞邊長為a pm，所以SiO2晶體的密度： gcm3。答案：(1)6球形(2)Mg(3)CSiCO金剛石和晶體硅都是共價晶體且晶體結構相似，C的原子半徑小于硅的原子半徑，所以金剛石中CC鍵鍵長短，鍵能大，所以金剛石的熔沸點比晶體硅大，CO是分子晶體，熔沸點最小(4)C12NA(5)sp3109288165(2019重慶診斷)C、N、O、Si、P、Ge、As及其化合物在科研和生產(chǎn)中有

14、許多重要用途。請回答下列問題：(1)基態(tài)氮原子核外電子占據(jù)的原子軌道數(shù)目為_。(2)圖1表示碳、硅和磷三種元素的四級電離能變化趨勢，其中表示磷的曲線是_(填標號)。(3)NH3的沸點比PH3高，原因是_。(4)Na3AsO4中AsO的空間構型為_，As4O6的分子結構如圖2所示，則在該化合物中As的雜化方式是_。(5)鍺的某種氧化物晶胞結構如圖3所示，該物質(zhì)的化學式為_。已知該晶體密度為7.4 gcm3，晶胞邊長為4.311010 m。則鍺的相對原子質(zhì)量為_(保留小數(shù)點后一位)。(已知：O的相對原子質(zhì)量為16,4.31380，NA6.021023mol1)解析：(1)N的原子序數(shù)為7，基態(tài)氮原

15、子核外電子排布式為1s22s22p3，占據(jù)5個原子軌道。(2)同主族自上而下第一電離能減小，P元素3p能級為半滿穩(wěn)定狀態(tài)，第一電離能高于同周期相鄰元素，故Si的第一電離能最小，由圖中第一電離能可知，c為Si，P原子第四電離能為失去4s2能級中1個電子，為全滿穩(wěn)定狀態(tài)，與第三電離能相差較大，可知b為P、a為C。(3)NH3分子間存在較強的氫鍵作用，而PH3分子間僅有較弱的范德華力，因此NH3的沸點比PH3高。(4)AsO中As與周圍4個O原子相連，采用sp3雜化，空間構型為正四面體，根據(jù)As4O6的分子結構圖，As與周圍3個O原子相連，含有1個孤電子對，采用sp3雜化。(5)晶胞中Ge原子數(shù)目為

16、4，O原子數(shù)目為864，則化學式為GeO，設鍺的相對原子質(zhì)量為M，則晶胞質(zhì)量為g7.4 gcm3(4.31108 cm)3，解得M73.1。答案：(1)5(2)b(3)NH3分子間存在較強的氫鍵作用，而PH3分子間僅有較弱的范德華力(4)正四面體sp3(5)GeO73.16硒化鋅是一種半導體材料，回答下列問題。(1)鋅在周期表中的位置_；Se基態(tài)原子價電子排布圖為_。元素鋅、硫和硒第一電離能較大的是_(填元素符號)。(2)Na2SeO3分子中Se原子的雜化類型為_；H2SeO4的酸性比H2SeO3強，原因是_。(3)氣態(tài)SeO3分子的立體構型為_。(4)硒化鋅的晶胞結構如圖所示，圖中X和Y點所

17、堆積的原子均為_(填元素符號)；該晶胞中硒原子所處空隙類型為_(填“立方體”“正四面體”或正八面體”)；若該晶胞密度為 gcm3，硒化鋅的摩爾質(zhì)量為M gmol1。用NA代表阿伏加德羅常數(shù)的數(shù)值，則晶胞參數(shù)a為_nm。解析：(1)Zn的原子序數(shù)是30，其電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s2，在周期表中的位置是第四周期第B族；Se的原子序數(shù)是34，原子核外有34個電子，最外層電子排布式為4s24p6，基態(tài)原子價電子排布圖為。元素鋅金屬性較強，第一電離能較小，硫和硒為同主族元素，同主族元素由上到下非金屬性逐漸減弱，所以硫的非金屬性強于Se，所以第一電離最大的是S。(2)Na2S

18、eO3分子中Se原子的價電子對數(shù)為4，所以Se原子的雜化類型為sp3；H2SeO4的非羥基氧比H2SeO3多(或H2SeO4中Se的化合價更高)，所以H2SeO4酸性比H2SeO3強。(3)氣態(tài)SeO3分子的價層電子對數(shù)為3，Se沒有孤電子對，故分子的立體構型為平面三角形。(4)硒化鋅的晶胞結構中原子個數(shù)比為11，其中Se原子4個，若X和Y點所堆積的原子均為鋅原子，則864，符合；則圖中X和Y點所堆積的原子均為Zn原子，根據(jù)圖中原子的位置可知，該晶胞中硒原子所處空隙類型為正四面體；若該晶胞密度為 gcm3，硒化鋅的摩爾質(zhì)量為M gmol1。用NA代表阿伏加德羅常數(shù)的數(shù)值，根據(jù)，則V，則晶胞的邊長為a為 107 nm。答案：(1)第四周期第B族S(2)sp3H2SeO4的非羥基氧比H2SeO3多(或H2SeO4中Se的化合價更高)(3)平面三角形(4)Zn正四面體107