存儲器和可編程邏輯器件231只讀存儲器

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1、下一頁總目錄章目錄返回上一頁下一頁總目錄章目錄返回上一頁下一頁總目錄章目錄返回上一頁下一頁總目錄章目錄返回上一頁下一頁總目錄章目錄返回上一頁下一頁總目錄章目錄返回上一頁11 A0 A1 字線位線讀出電路地址譯碼器存儲矩陣存儲輸出地址輸入 W0W1W2W3 D0D1D2D3A 1A0 +U A0 A1 下一頁總目錄章目錄返回上一頁下一頁總目錄章目錄返回上一

2、頁下一頁總目錄章目錄返回上一頁 010 AAW 011 AAW 012 AAW 013 AAW 下一頁總目錄章目錄返回上一頁 01 AA 01 AA 01 AA 01 AA 010 AAW 011 AAW 012 AAW 013 AAW 下一頁總目錄章目錄返回上一頁11 A0 A1 字線位線讀出電路地址譯碼器存儲矩陣地址輸入 W0W1W2W3 D0D1D2D3A 1A0 +U A0 A1“0”“0” 0 0 0 1 0 1 0 1 下一頁總目錄章目錄返回上一頁

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4、0” 0 0 1 0 1 1 0 1 下一頁總目錄章目錄返回上一頁 A 加數(shù)B 加數(shù)C0 低位進位數(shù)S 本位和C0 向高位進位數(shù) 下一頁總目錄章目錄返回上一頁 A B C0 下一頁總目錄章目錄返回上一頁根據(jù) 表 23.1.2可得： 7421 0000 mmmm CBACBACBACBAS 7653 0000 mmmm CBACBACBACBAC WO m 0W1 m 1W2 m 2W3 m 3W 4 m 4W5 m 5W6 m 6W7 m7S CABC 0CBA 0CBA 0CBA 0CB

5、A 0CBA 0CBA 0CBA 0CBA 下一頁總目錄章目錄返回上一頁 WO m 0W1 m 1W2 m 2W3 m 3W4 m 4W5 m 5W6 m 6W7 m 7S CABC 最小項譯碼器 0CBA 下一頁總目錄章目錄返回上一頁下一頁總目錄章目錄返回上一頁下一頁總目錄章目錄返回上一頁下一頁總目錄章目錄返回上一頁(b) WOW1W2W3W4W5W6(a)000001010011100101110 D 4D3D2D1D0 行譯碼器A2A1A0 讀出電路下一

6、頁總目錄章目錄返回上一頁由圖可看出該字符顯示器由 7行 5 列構(gòu) 成存儲矩陣，將字母 R的形狀分割成若干部分并在相應(yīng) 的單元存入信息 “ 1”。當(dāng) 地址輸入由 000110周期地循環(huán) 變化時 , 即可逐行掃描各字線 , 把字線 W0 W7所存儲的字母 “ R”的字形信息從位線 D0 D4讀出。使顯示設(shè) 備一行行的顯示出圖 23.1.8(b)的字形。下一頁總目錄章目錄返回上一頁下

7、一頁總目錄章目錄返回上一頁地址輸入An-1A0A1 地址譯碼器存儲矩陣數(shù) 據(jù) 線讀寫 /控制電路讀 /寫控制 (R/W)片選 (CS) 輸入 /輸出 I/O. . . . . 下一頁總目錄章目錄返回上一頁下一頁總目錄章目錄返回上一頁下一頁總目錄章目錄返回上一頁9GNDCS 8A2 7 A1 6A0 5A3 4A4 3A5 2A6 1 I/O0A9A8A7UCC121011141315161718 I/O1I/O2I/O3R/WRAM2114 容量： 102

8、4字 4位地址線： A9A0(210=1024)數(shù) 據(jù) 線： I/O3 I/O0 下一頁總目錄章目錄返回上一頁將幾片的地址端、 R/W端、 CS端并接在一起A9 A0 R/W CSRAM2114(1)I/O3I/O 7 I/O6I/O2 IO/5I/O1 I/O4I/O0 A9 A0 R/W CSI/O3 I/O2RAM2114(2)I/O1 I/O0I/O0I/O3 I/O2 I/O1高四位低四位A9A0R/W CS地址碼下一頁總目錄章目錄返回上一頁 . RAM 21114(1)I/O (2)

9、I/O (3)I/O (4)I/OA11A10A11A10 2/4線譯碼器R/WA0A9I/O3I/O2I/O1I/O0 A11A10A11A10A11A10A9 A0R/W CS A9 A0R/W CS A9 A0R/W CS A9 A0R/W CS 下一頁總目錄章目錄返回上一頁 . RAM 21114(1)I/O (2)I/O (3)I/O (4)I/OA11A10A11A10 2/4線譯碼器R/WA0A9I/O3I/O2I/O1I/O0 A11A10A11A10A11A10A9 A0R/W CS A9 A0R/W CS A9 A0R/W CS A9 A0R/W C

10、S00 0 下一頁總目錄章目錄返回上一頁輸入電路與陣列或陣列輸出電路 . 下一頁總目錄章目錄返回上一頁A B C & YY=AC(a) A CB 1 Y(b)Y=A+C 1 Y(c)Y1=A Y2=AA Y1Y2 下一頁總目錄章目錄返回上一頁熔斷絲位線字線存儲 “ 1”存儲 “ 0” 下一頁總目錄章目錄返回上一頁 A21 1A1 1A0 & 1D2D1 1 D0 1或陣列與陣列 WOW1W2W3W4W5W6W7固定 “ 與 ”陣列可編程

11、“ 或 ”陣列下一頁總目錄章目錄返回上一頁)24(8 I0I1I2I3 uuuu )248( I0I1I2I30 uRRuR/RuR/RuR/Ru R0123 )24(8 UDDDD 下一頁總目錄章目錄返回上一頁 u10 RR/2u11R/4u12R/8u13A0 D0D1A1 D2A2 D3A3 PROM二進制計數(shù)器C UR RR2 + + +-u0RD 電子開關(guān)uO 10 2 3 4 5 6 7 8 9 10111213141516 C4UR8UR 下一頁總目錄章目錄返回上一頁 uo 下一頁總目錄章

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13、DBADBCABCDA DDCBADDBCABBCAY 下一頁總目錄章目錄返回上一頁 13121 )(mm DCBADCBADDCABY 1410762 )(mmmm DBCADABCBCDADCBA AADBCBCDADCBAY 下一頁總目錄章目錄返回上一頁固定 “ 與 ”陣列DCBA A 11B 1C 1D Y0Y1Y2m 2 m 3m 6 m 7 m 10m 12m 13m 14可編程 “ 或 ”陣列 1312 mm 下一頁總目錄章目錄返回上一頁下一頁總目錄章目錄返回上一頁 1A

14、2 1A1 1A0 & 1D 2 D11 D01 可編程 “ 或 ”陣列可編程 “ 與 ”陣列下一頁總目錄章目錄返回上一頁 CAY 0 CBAY 1 DCBDCBADCBAY 2 CAY 0 CBAY 1BCADAC DBCADABCBCDADCBA AADBCBCDADCBAY )(2 下一頁總目錄章目錄返回上一頁 1A 1B 1C 1D Y0Y 1Y2可編程 “ 與 ”陣列與 PROM陣列的編程相比 PLA的編程簡捷得多可編程 “ 與 ”陣列下一頁總目錄章目錄返回上一頁

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