《離子鍵離子晶體》導(dǎo)學(xué)案2

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1、離子鍵離子晶體導(dǎo)學(xué)案【學(xué)習(xí)目標(biāo)】1、理解離子晶體的概念、構(gòu)成及物理性質(zhì)特征，掌握常見(jiàn)的離子晶體的類(lèi)型及有關(guān)晶胞的計(jì)算。2、進(jìn)一步認(rèn)識(shí)晶體的內(nèi)部特征。【課前預(yù)習(xí)】1、什么是離子鍵？作用力的實(shí)質(zhì)是什么？2、什么是晶格能？影響因素有哪些？3、晶格能的大小與離子晶體的熔沸點(diǎn)、硬度的關(guān)系怎樣？4、指出下列物質(zhì)中的化學(xué)鍵類(lèi)型。KBrCCI4N2CaONaOH5、下列物質(zhì)中哪些是離子化合物？哪些是只含離子鍵的離子化合物？哪些是既含離子鍵又含共價(jià)鍵的離子化合物？KCI HCINa2SO4 HNO3 NH4CIO2Na2O2【新課學(xué)習(xí)】板塊一、離子晶體概念【自主學(xué)習(xí)】閱讀課本離子晶體的內(nèi)容，思考離子晶體的特征。

2、思考1離子晶體能否導(dǎo)電，主要的物理共性有哪些？思考2判斷下列每組物質(zhì)的熔沸點(diǎn)的高低，影響離子晶體的熔沸點(diǎn)高低的因素有哪些？(1) NaFNaCINaBrNaI(2) MgONa2O思考3哪些物質(zhì)屬于離子晶體？【歸納整理】1、定義2、特點(diǎn):3、離子晶體熔沸點(diǎn)高低的影響因素：4、物質(zhì)的類(lèi)別：板塊二、離子晶體的結(jié)構(gòu)【講述】邊展示模型邊講解離子晶體的空間結(jié)構(gòu)1、NaCI型：觀察NaCI的晶體結(jié)構(gòu)示意圖，思考后填空：(1) 每個(gè)Na+同時(shí)吸引個(gè)CI-，每個(gè)CI-同時(shí)吸引個(gè)Na+，而Na+數(shù)目與CI-數(shù)目之比為，化學(xué)式為。(2) 根據(jù)氯化鈉的結(jié)構(gòu)模型確定晶胞，并分析其構(gòu)成。每個(gè)晶胞中有 個(gè)Na，有一個(gè) c

3、i-。(3) 在每個(gè)Na+周?chē)c它最近的且距離相等的Na+有個(gè)。在每個(gè)Na+周?chē)c它最近的且距離相等的Cl-所圍成的空間結(jié)構(gòu)為體。(5)已知氯化鈉的摩爾質(zhì)量為 ，阿伏加德羅常數(shù)取6.02氷023mol-1，則食鹽晶 體中兩個(gè)距離最近的 Na+的核間距離最接近下面四個(gè)數(shù)據(jù)中的哪一個(gè)？()-8 -8 -8 -8A、3.0 10 cmB、3.5 10 cm C、4.0 10 cm D、5.0 10 cm2、CsCl型：觀察CsCl的晶體結(jié)構(gòu)示意圖，思考后填空：(1) 每個(gè)Cs+同時(shí)吸引 個(gè)Cl-,每個(gè)Cl-同時(shí)吸引 個(gè)Cs+,而Cs+數(shù)目與Cl-數(shù)目之為，化學(xué)式為。(2) 根據(jù)氯化銫的結(jié)構(gòu)模型確定晶

4、胞，并分析其構(gòu)成。每個(gè)晶胞中有Cs，有個(gè) Cl-。(3) 在每個(gè)Cs+周?chē)c它最近的且距離相等的 Cs+有個(gè)【鞏固練習(xí)】1、某離子晶體的結(jié)構(gòu)(局部如圖)，X位于立方體的頂點(diǎn)，Y位于立方體的中心，則該晶體的化學(xué)式是 。板塊三、離子晶體的配位數(shù)【交流與討論】氯化鈉與氯化銫均為AB型離子晶體，但兩者的陰、陽(yáng)離子周?chē)鷰喾措姾呻x子的數(shù)目卻不同，你認(rèn)為造成這一差異的可能原因是什么？離子晶體中一種離子周?chē)h(huán)繞的帶相反電荷的離子的數(shù)目的多少，與有關(guān)?！局v述】離子晶體的配位數(shù)以及與r+/r-的關(guān)系NaCl六配體，CsCl八配體，ZnS四配體， 均為AB型晶體， 為何配位數(shù)不同？【歸納整理】1、離子晶體穩(wěn)定存

5、在的條件：離子形成晶體時(shí)，陰、陽(yáng)離子總是盡可能緊密地排列，且一種離子周?chē)h(huán)繞的帶相反電荷的離子越多，體系能量越低，所構(gòu)成的離子晶體就越穩(wěn)定。2、離子晶體的配位數(shù)： NaCl型離子配位數(shù)為 , CsCI型離子配位數(shù)為 。【交流與討論】NaCl和CsCl均為AB型離子晶體，但兩者的陰、陽(yáng)離子周?chē)鷰喾措姾?離子的數(shù)目卻不同，你認(rèn)為造成這一差異的可能原因是什么？【講述】3、r+/r-與配位數(shù)：從六配位的介穩(wěn)狀態(tài)出發(fā)，進(jìn)行半徑比與配位數(shù)之間關(guān)系的探討。(ABCD為正方形)陰、陽(yáng)離子半徑比與配位數(shù)的關(guān)系+r /r配位數(shù)實(shí)例0.2250.4144ZnS0.4140.7326NaCl0.7321.08Cs

6、Cl 1.012CsF【課時(shí)訓(xùn)練】 1已知Cd2+半徑為97pm, S2-半徑為184pm，按正負(fù)離子半徑比，CdS0 bt C應(yīng)具有 型晶格，正、負(fù)離子的配位數(shù)之比應(yīng)是 ;但CdS卻具有立方ZnS型晶格，正負(fù)離子的配位數(shù)之比是 ，這主要是由 造成的。2、某離子晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示：則該離子晶體的化學(xué)式為（）A. abc B、abc3 C. ab2C3 D. ab3C3、在NaCl晶體中，與每個(gè)Na+距離相等且最近的Cl所圍成的空間為（）A .正四面體B.正六面體C.正八面體D .正十二面體4、下面有關(guān)離子晶體的敘述中，不正確的是（）A . 1mol氯化鈉中有NA個(gè)NaCl分子B .氯化鈉晶

7、體中，每個(gè) Na+周?chē)嚯x相等的Cl 共有6個(gè)C.氯化銫晶體中，每個(gè) CS+周?chē)o鄰8個(gè)ClD .平均每個(gè)NaCl晶胞中有4個(gè)Na+、4個(gè)Cl5、離子晶體熔點(diǎn)的咼低決定于晶體中陽(yáng)離子與陰離子之間的靜電引力，靜電引力大則熔點(diǎn)高，引力小則反之，判斷KCl、NaCl、CaO、BaO四種晶體熔點(diǎn)的高低順序B. NaCIKCICaOBaOD. CaOBaOKCINaCI)A. KCINaCIBaOCaOC. CaOBaONaCIKCI6、含有共價(jià)鍵的離子晶體是)A. MgCl2B. NaOHC. H2SD. (NH4)2S7、已知：元素X的電負(fù)性數(shù)值為2.5，元素Y的電負(fù)性數(shù)值是3.5，元素Z的電負(fù)性數(shù)

8、值 為1.2,元素W的電負(fù)性數(shù)值為2.4。你認(rèn)為上述四種元素中，哪兩種最容易形成離子化合物（ ）A . X 與 YB . X 與 WC . Y 與 ZD . Y 與 W&某物質(zhì)的晶體中，含 A、B、C三種元素，其排列方式如右圖所示（其中前后兩面心上的B原子不能畫(huà)出），晶體中A、B、C的原子個(gè)數(shù)比依次為（）A. 1： 3: 19、下表為周期表的一部分，其中的字母代表對(duì)應(yīng)的元素請(qǐng)回答下列問(wèn)題：(1) 寫(xiě)出元素I的基態(tài)原子的價(jià)電子排布式 ;已知M2+離子3d軌道中有6個(gè)電子，試推出M元素位于周期表的 周期族。(2) 請(qǐng)列舉F的金屬性比C強(qiáng)的實(shí)驗(yàn)事實(shí)：，并用原子結(jié)構(gòu)理論解釋其原因： (3) H、A、G三種元素形成的晶體是一種礦物的主要成分，其晶胞結(jié)構(gòu)如左圖，則該晶體的化學(xué)式為 ;在該晶體中，G離子的配位數(shù)為 _3;若晶胞的邊長(zhǎng)為 acm，則晶體的密度為 g/cm