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模擬電子技術試題匯編成都理工大學工程技術學院電子技術基礎教研室2010-9模擬電子技術試題匯編第一章 半導體器件一、填空題1、本征硅中若摻入5價元素的原子，則多數(shù)載流子應是 電子 ，少數(shù)載流子應是 空穴 。2、 在N型半導體中，電子濃度 大于 空穴濃度，而在P型半導體中，電子濃度 小于 空穴濃度。 3、PN結反向偏置時，空間電荷區(qū)將變 寬 。4、雙極型三極管輸出特性的三個區(qū)域分別是_飽和_區(qū)、_放大_區(qū)、_截止_區(qū)。5、場效應管分為兩大類：一類稱為_結型場效應管_，另一類稱為_ 絕緣柵場效應管_。6、PN結外加反向電壓，即電源的正極接N區(qū)，電源的負極接P區(qū),這種接法稱為_反向接法_或_反向偏置_。7、半導體二極管的基本特性是 單向導電性 _，在電路中可以起_整流_和_檢波_等作用。8、雙極型半導體三極管按結構可分為_NPN_型和_PNP_型兩種，它們的符號分別為_和_。9、PN結中進行著兩種載流子的運動：多數(shù)載流子的 擴散 運動和少數(shù)載流子的_漂移_運動。10、硅二極管的死區(qū)電壓約為_0.5_V，鍺二極管的死區(qū)電壓約為_0.1_V。11、晶體管穿透電流是反向飽和電流的_1+_倍，在選用晶體管的時候，一般希望盡量_小_。12、場效應管實現(xiàn)放大作用的重要參數(shù)是_跨導_。13、PN結具有_單向導電_特性。14、雙極型三極管有兩個PN結，分別是_集電結_和_發(fā)射結_。15、為了保證三極管工作在放大區(qū)，應使發(fā)射結_正向_偏置，集電路_反向_偏置。16、場效應管是_電壓_控制型元件，而雙極型三極管是_電流_控制型元件。17、本征硅中若摻入3價元素的原子，則多數(shù)載流子應是 空穴 ，少數(shù)載流子應是 電子 。18、P型半導體的多數(shù)載流子是 空穴 ，少數(shù)載流子是 電子 。19、PN結外加正向電壓，即電源的正極接P區(qū)，電源的負極接N區(qū),這種接法稱為 正向接法 或_正向偏置_。20、從雙極型三極管內部三個區(qū)引出三個電極，分別是_集電極_、_發(fā)射極_和_基極_。21、雙極型三極管起放大作用的外部條件是：（1）發(fā)射結外加_正_向電壓；（2）集電結外加_反_向電壓。22、N型半導體可用_正_離子和等量的_負電子_來簡化表示。23、PN結正向偏置時，空間電荷區(qū)將變_窄_。24、二極管的兩個電極分別稱為_陽_極和_陰_極，二極管的符號是_。25、當溫度升高時，三極管的輸入特性曲線會_左_移，輸出特性曲線會 上 _移，而且輸出特性曲線之間的間隔將_增大_。26、影響雙極型三極管參數(shù)變化的主要因素是_溫度_。27、P型半導體可用_負_離子和等量的_空穴_來簡化表示。28、主要半導體材料是_硅_和_鍺_；兩種載流子是_空穴_和_電子_；兩種雜質半導體是_P型_和_N型_。 29、二極管外加 正 向電壓導通，外加 反 向電壓截止。30、當溫度升高時，三極管的參數(shù)會 變大 _，會 增加 _，導通電壓會 變小 _ 。31、雙極型三極管有兩種載流子導電，即_多數(shù)載流子_和_少數(shù)載流子_導電，而單極型三極管只有一種載流子導電，即_多數(shù)載流子_導電。32、N型半導體的多數(shù)載流子是 電子 ，少數(shù)載流子是_空穴_。33、某晶體管的極限參數(shù)，。若它的工作電壓，則工作電流不得超過_15_；若工作電壓，則工作電流不得超過_100_；若工作電流，則工作電壓不得超過_30_。34、放大電路中，已知三極管三個電極的對地電位為=9V， =6.2V， =6V，則該三極管是_PNP_型三極管，A為_集電_極，B為_基_極，C為_發(fā)射_極。35、雙極型三極管實現(xiàn)放大作用的重要參數(shù)是_。36、場效應管輸出特性的三個區(qū)域分別是_恒流_區(qū)、_可變電阻_區(qū)、_夾斷_區(qū)。37、純凈的、不含其他雜質的半導體稱為_本征半導體_。38、場效應管與晶體管比較， 場效應 管的熱穩(wěn)定好，輸入電阻高， 晶體 管的放大能力強。39、雙極型三極管內部有三個摻雜區(qū)域，分別是_發(fā)射區(qū)_、_基區(qū)_和_集電區(qū)_。二、選擇題1、從二極管伏安特性曲線可以看出，二極管兩端壓降大于（ B ）時處于正偏導通狀態(tài)。A0 B死區(qū)電壓 C反向擊穿電壓 D正向壓降2、雜質半導體中（ A ）的濃度對溫度敏感。A少子 B多子 C雜質離子 D空穴3、晶體管的集電結反向偏置、發(fā)射結正向偏置，它的工作狀態(tài)是（ B ），若集電結和發(fā)射結都反向偏置，它的工作狀態(tài)是（ A ），若集電結和發(fā)射結均正向偏置，則它的工作狀態(tài)是（ C ）。A截止 B放大 C飽和 D損毀4、當晶體管工作在放大區(qū)時，發(fā)射結電壓和集電結電壓應為( B )。A前者反偏、后者也反偏 B前者正偏、后者反偏C前者正偏、后者也正偏 D前者反偏、后者也正偏5、雙極型晶體管工作時有（ A ）和（ B ）兩種載流子參與導電,而場效應管所導電過程僅僅取決于（ A ）的流動。A多子 B少子 C自由電子 D.空穴6、當NPN型晶體管工作在放大區(qū)時，各極電位關系為（A）（A）。A B C = D 7、對二極管正向電阻和反向電阻的要求是（ C ）A、都大 B、都小 C很小，很大 D大，小8、穩(wěn)壓二極管動態(tài)電阻（ B ），穩(wěn)壓性能愈好。A愈大 B 愈小 C為任意值9、 三極管當發(fā)射結和集電結都正偏時工作于（ C ）狀態(tài)。A 放大 B 截止 C 飽和 D 無法確定10結型場效應管放大電路的偏置方式是（ A、D ）A自給偏壓電路 B外加偏壓電路 C無須偏置電路D柵極分壓與源極自偏結合11、在雜質半導體中，多數(shù)載流子的濃度主要取決于（ A ），而少數(shù)載流子的濃度與（ B ）有很大關系。A溫度 B摻雜工藝 C雜質濃度 D晶體管缺陷12、場效應管屬于（ B ）控制型器件，而晶體管若用簡化h參數(shù)來分析，則可認為是（ C ）控制型器件。A電荷 B電壓 C電流13、當PN節(jié)外加反向電壓時，擴散電流（ B ）漂移電流，耗盡層（D ）。A大于 B小于 C等于 D變寬 E變窄 F不變14、當溫度升高時，二極管正向特性和反向特性曲線分別（ D ）。A左移，下移 B右移，上移 C左移，上移 D右移，下移15、PN結加正向電壓時導通，此時空間電荷區(qū)將（ A ）。A變窄 B基本不變 C變寬 D.先變窄，后變寬16、 在25C時，某二極管的死區(qū)電壓Uth0.5V，反向飽和電流Is0.1pA，則在35C時，下列哪組數(shù)據(jù)可能正確：（ D ）。A Uth0.575V，Is0.05pA B Uth0.575V，Is0.2pAC Uth0.475V，Is0.05pA D Uth0.475V，Is0.2pA17、用萬用表判斷放大電路中處于正常工作的某個晶體管的類型（NPN或PNP）與三個電極時，最為方便的測試方法為（ B ）。A測試各極間電阻 B測試各極間、對地電壓C測試各極電流 三、判斷題1、 三極管在工作頻率大于最高工作頻率時會損壞。 （ ）2、 穩(wěn)壓管正常穩(wěn)壓時應工作在正向導通區(qū)域。 （ ）3、與三極管放大電路相比，場效應管放大電路具有輸入電阻很高、噪聲低、溫度穩(wěn)定性好等優(yōu)點。（ ）4、P型半導體可通過在純凈半導體中摻入五價磷元素而獲得。（ ）5、有人測得晶體管在=0.6V時，=5，因此認為在此工作點上的大約為。 （ ）6、通常結型場效應管JFET在漏極和源極互換使用時，仍有正常的放大作用。（ ）7、通常的雙極型晶體管BJT在集電極和發(fā)射極互換使用時，仍有較大的電流放大作用。 （ ）8、在N型半導體中，摻入高濃度的三階雜質可以改型為P型半導體。（ ）9、P型半導體帶正電，N型半導體帶負電。（ ）10、PN結內擴散電流是載流子在電場作用下形成的。（ ）11、漂移電流是少數(shù)載流子在電場作用下形成的。（ ）12、由于PN結交界面兩邊存在電位差，所以當把PN結兩端短路時，就有電流流過。（ ）13、PN結方程可以描述PN結的正向特性和反向特性，也可以描述PN結的反向擊穿特性。（ ）14、場效應管的突出優(yōu)點是具有特別高的輸出電阻（ ）15、有人測試晶體管的，方法是通過測得晶體管的，推算出 。 （ ）四、綜合題1、放大電路中測得晶體管各電極電位如下表所示，試將表格填寫完整。（10分）管腳（各電極）電位晶體管1晶體管23V3.7V6V-4V-1.2V-1.4V電極(e或b或c)ebccbeNPN或PNPNPNPNP材料（Si或Ge）SiGe2、判斷下列管子的工作狀態(tài)（a.飽和；b.放大；c.截止；d.損壞）（共8分）管子類型NPNPNPNPNPNP各電極電位（V）UeUbUcUeUbUcUeUbUcUeUbUc21.76-0.1-0.3-30461.31.11.2狀態(tài)cbda3、如下圖，試確定二極管D是正偏還是反偏？設二極管正偏時的正向壓降為0.7V,試計算UX和UY的值（共9分） （a）（b）答案：（a）D正偏導通I=2RI=6.2V（b）D僅偏截止I=0=0=10V4、如下圖，設硅穩(wěn)壓管、的穩(wěn)壓值分別為6V和9V， 求Uo為多少？（共3分）答：=9-6=3V5、（3分）圖示電路中二極管為理想二極管，請判斷它是否導通，并求出u0。D導通，6、判斷下列電路能否放大電壓信號。（設圖中所有電容對交流信號視為短路）（9分）都不能放大電壓信號（a） （b） （c）輸入交流短路無直流基極偏壓 輸入交流短路7、如下圖，設硅穩(wěn)壓管、的穩(wěn)壓值分別為6V和9V，穩(wěn)壓管的正向壓降為0.7V，試寫出輸出電壓Uo為多少？（共8分） （a） （b） （c） （d）8、設二極管理想化，試判斷下列各圖二極管是否導通還是截止？并求出UO=？ （a）D導通 （b）D截止 （c）導通截止 （d）先導通截止 =0V =-3V- 22 -第二章 放大電路原理一、填空題1、BJT放大電路的三種基本組態(tài)中，_共集_組態(tài)帶負載能力強，_共基_組態(tài)頻率響應好，_共射_組態(tài)有倒相作用，_共集_組態(tài)向信號源索取的電流小。2、多級放大電路的對數(shù)增益等于其各級對數(shù)增益的_之和_。3、BJT放大電路的三種組態(tài)是_共射_、_共基_、_共集_。4、影響放大電路工作點穩(wěn)定的主要原因是_溫度變化_。5、三極管_共集_組態(tài)的放大電路具有輸入電阻高、輸出電阻低的特點。6、放大電路最常用的基本分析方法，就是_圖解法_和_微變等效電路法_。7、共集電極放大電路又稱為_射極輸出器或射隨器_。8、多級放大電路常用的耦合方式有三種：即_阻容耦合_、_直接耦合_、_變壓器耦合_。9、放大電路的三種基本組態(tài)中，_共射_組態(tài)既具有電壓放大能力又具有電流放大能力，_共集_只具有電流放大能力，_共基_組態(tài)只具有電壓放大能力。10、放大的本質首先是實現(xiàn)_能量_的控制；所謂放大作用，其放大的對象是_變化量_。11、產生零點漂移的主要原因是放大器件的參數(shù)受_溫度_的影響而發(fā)生波動，導致放大電路的_靜態(tài)工作點_不穩(wěn)定。12、輸出電壓離開零點，緩慢地發(fā)生不規(guī)則的變化，這種現(xiàn)象稱為_零點漂移_。二、選擇題1、關于BJT放大電路中的靜態(tài)工作點（簡稱Q點），下列說法中不正確的是（ D ）。AQ點過高會產生飽和失真 BQ點過低會產生截止失真C導致Q點不穩(wěn)定的主要原因是溫度變化 DQ點可采用微變等效電路法求得2、雙極型三極管放大電路中，輸入電阻最大的是_B_電路。A 共發(fā)射極 B 共集電極 C共基極 D不能確定3、晶體管放大電路中，高頻特性最好的電路是（ D ） 。A.共射電路 B.共集電路 C.共源電路 D.共基電路4、有兩個放大倍數(shù)（電路相同，采用同一晶體管）相同，輸入和輸出電阻不同的放大電路A和B，對同一個具有內阻的信號源電壓進行放大，在負載開路的條件下測得A的輸出電壓小，這說明A的（ B ）。A輸入電阻大 B輸入電阻小 C輸出電阻大 D 輸出電阻小 5、多極放大電路的增益是（ B ）、輸入電阻是（ A ）、輸出電阻是（ C ）。A由第一級確定 B.由各級共同確定 C.由末級電路確定6、某放大電路在負載開路時的輸出電壓為4V，接入3K的負載電阻的輸出電壓降為3V，這說明放大電路的輸出電阻為（C ）A10K B2K C 1K D 0.5K7、放大電路產生零點漂移的主要原因是（ A ）。A環(huán)境溫度變化引起參數(shù)變化 B放大倍數(shù)太大C晶體管的噪聲太大 D外界存在干擾源8、在多級放大電路常見的三種耦合方式中選擇合適者：（本題可多選）（1）要求各級靜態(tài)工作點互不影響，可選用（A,C ）。（2）要求能放大直流信號，可選用（B ）。（3）要求能放大高頻交流信號，可選用（A,B ）。（4）要求電路的溫漂小，可選用（A,C ）。（5）為了實現(xiàn)阻抗交換，使信號與負載間有較好的耦合，應采用（C ）。A阻容耦合 B直接耦合 C變壓器耦合9、用微變等效電路法分析放大電路（ B ）A只能分析靜態(tài)工作點 B.只能分析動態(tài)參數(shù)C既可分析靜態(tài)，也能分析動態(tài)10、在下列電路中輸入電阻最大的電路是（ B ）； 既能放大電流，又能放大電壓的電路是（ C ）。A 共基放大電路 B共集放大電路 C共射放大電路11、對于基本共射放大電路，如下圖，試判斷某一參數(shù)變化時放大電路動態(tài)性能的變化情況,選擇正確答案填入空格（1）減小時，輸入電阻 _B_。（2）增大時，輸出電阻 _A_。（3）信號源內阻增大時，輸入電阻_C_。（4）信號源遠內阻減小時，電壓放大倍數(shù) _A_。（5）負載電阻增大時，電壓放大倍數(shù)_A_；（6）負載電阻減小時，輸出電阻Ro _C_; (7) 若Rb減小，則靜態(tài)的將_A_，將_B_電壓放大倍數(shù) 將_A_。(8)若換一個值較小的晶體管，則靜態(tài)的將_C_。(9) 增大時， 將_A_。(10) 增大時，將_B_。(11) 增大時，將_C_。(12) 增大時，將_C_。A.增大 B.減小 C.不變12、由NPN晶體管組成的基本放大電路，如圖：輸出電壓波形出現(xiàn)了頂部削平的失真，則：（1）這種失真是_B_ A.飽和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.頻率失真。 （2）為了消除這種失真，應_D_ A減小集電極電阻 B.改換小的管子 C.增大基極偏置電阻Rb D減小基極偏置電阻Rb, E.減小電源電壓。13、由PNP晶體管組成的基本放大電路，如圖：電壓波形出現(xiàn)了頂部削平的失真:則(1) 這種失真是_A_ A.飽和失真 B.截止失真 C 交越失真 D 頻率失真。（2）為了消除這種失真，應_A，B，C_ A減小集電極電阻 B.改換小的管子 C增大基極偏置電阻Rb D.減小基極偏置電阻Rb E.減小電源電壓。14、如下圖，選擇正確答案填空（1） 要使靜態(tài)工作電流減小，則應_A_ 。（2）在適當范圍內增大，則| _B_， _A_， _C_。（3) 在適當范圍內增大，則| _C_， _C_， _C_。 (4) 從輸出端開路，到接上，靜態(tài)工作點將_C_， _B_，（設靜態(tài)工作點偏低） (5) 減小時，直流負載線斜率_C_。(6)減小時，直流負載線斜率_A_。 A.增大 B.減小 C.不變(7) 若=10V, =4，=6，=3.3，=2，、足夠大，設則: Vi=0，管壓降大約是_B_ （A 4V B 4.7V C 7V D 5V) 使管子由50改為100，則|是 _A_ （A.約為原來的2倍 B.約為原來的 C.基本不變 D 約為原來的4倍） 保持=50不變，將由3.3改為6.6，則| _C_ 。（A 約為原來的2倍 B 約為原來的 C 基本不變 D 約為原來的4倍 E 約為原來的）15、兩級放大電路=-40，=-50，若輸入電壓,則輸出電壓為_C_ A-200mV B.-250mV C.10V D.100V三、判斷題1、試判斷圖示各電路能否放大交流電壓信號（能放大的，不能正常放大的畫）。 2、測得某些電路中幾個三極管各極的電位如下圖所示，試判斷各三極管晶體管分別工作在截止區(qū)、放大區(qū)還是飽和區(qū)。 放大 截止 飽和 放大 3、判斷三極管的工作狀態(tài)（放大、截止、飽和）。（6分） (a) 放大 (b) 截止4、判斷圖示電路是否有信號放大作用（用“”，“”表示。每圖3分，共12分） (a) (b) (c) （d） (e) (f) 5、判斷下列電路能否放大電壓信號。（設圖中所有電容對交流信號視為短路）（6分） (a) (b) (c) 6、如下圖，判斷是否正確：（1）=/（+）（ ）（2） =/+(1+) （ ）（3） =/ （ ）（4） =/ （ ）（5） = （ ）（6） = - （ ）（7） = （ ）（8） = - （ ）7、判斷下列說法是否正確，對的畫，錯誤的畫 (1) 晶體管的輸入電阻是一個動態(tài)電阻，故它與靜態(tài)工作點無關。（） (2) 在基本共射放大電路中，為得到較高的輸入電阻，在固定不變的條件下，晶體管的電流放大系數(shù)應該盡可能大些。（ ）(3) 在基本共射放大電路中，若晶體管的增大一倍，則電壓放大倍數(shù)也相應增大一倍。（ ）(4) 對于基極分壓式工作點穩(wěn)定電路來說，其電壓放大倍數(shù)也隨的增大成正比的增大。（ ）(5) 共集放大電路的電壓放大倍數(shù)是小于1，故不能用來實現(xiàn)功率放大。（ ）(6) 共射放大電路既能放大電壓，也能放大電流。（ ）(7) 共集放大電路可放大電壓，但不能放大電流。（ ）(8) 共基放大電路只能放大電流，但不能放大電壓。（ ）四 分析題1、試指出下圖中電路的錯誤，并畫出正確的電路（圖中晶體管類型不允許改變）有三個錯誤：（1）：電源極性錯（2）：極性錯（3）：位置接錯2、 分析下圖有何錯誤，應如何改正才能使電壓正常放大，畫出更改后的電路，要求所用的晶體管不變以及其他元件不增減。有三個錯（1）位置接錯（2）位置接錯（3）位置接錯3、 分析下圖能否對的正弦電壓進行線性放大，如不能指出錯在哪里，并進行改正，要求不增減元件，且電壓放大倍數(shù)絕對值要大于1，無直流成分。答：不能正常放大。 錯誤有：（1）位置接錯。 （2）位置接錯。 （3）、極性接反。 （4）若要，則不能從射極輸出。= , 且無直流成分。4、有兩個放大電路如下圖所示，向各是什么組態(tài)？（共射，共基，共集）若晶體管都工作在放大區(qū)，輸入端均加上正弦小信號電壓，請問圖中所示的輸出波形是否正確？若有錯誤，應如何改正？設電容都很大。均為共基組態(tài)。波形有錯。（a）圖波形應與波形相同。（b）圖波形應無直流分量五、計算題1、在下圖的放大電路中,設三極管的=30，=0.7V，= 1,=10,=1.3,=5,=12V。（1）試估算靜態(tài)時的、；（5分）（2）設電容、和均足夠大，試估算放大電路的中頻電壓放大倍數(shù)；（5分）（3）估算放大電路的輸入電阻和輸出電阻；（5分）（4）如果去掉旁路電容，寫出此時放大電路的中頻電壓放大倍數(shù)和輸入電阻和輸出電阻的表達式（可不計算出具體數(shù)值）。（5分）（1） （2）(3)(4)斷開，有電流串聯(lián)負反饋，（下降），增加，不變；2、（20分）圖示電路中，已知UBEQ=0.7V，=100，=374，RB1=5 k，RB2=15 k，RE=2.3 k，RC=RL=3 k，VCC=12V。（1）估算電路的靜態(tài)工作點UBQ、ICQ、UCEQ（2）畫出微變等效電路，計算電壓放大倍數(shù)、 輸入電阻Ri、輸出電阻Ro（3）若信號源內阻為RS=1k時，求 的數(shù)值。（1） （2）圖略 （3）3、如下圖，足夠大，（1）畫出直流通路和微變等效電路（6分）。（2）設，求靜態(tài)工作點、（4分）（3）求、，設=30，=194（6分）（4）、忽略不計，估算最大不失真輸出電壓峰值（4分）（總共20分）解:（1）圖略（2）（3）（4）不飽和失真 不截止失真 最大不是真輸出電壓峰值 4、如圖所示電路中，已知三極管T為硅管 =337,UBEQ=0.7V,=50；Rb1=51K , Rb2=15K , RE=1K, Rc=2K,RL=2K,VCC=12V。(共18分) 試求： （1）靜態(tài)工作點Q（IBQ.ICQ.UCEQ）？ （2）電壓放大倍數(shù)AU？輸入電阻Ri? 輸出電阻Ro?解：（1）（2）5、電路如下圖（a）所示，圖（b）是晶體管的輸出特性，靜態(tài)時UBEQ0.7V。利用圖解法分別求出RL和RL3k時的靜態(tài)工作點和最大不失真輸出電壓Uom。（共15分）解：6.根據(jù)圖示放大電路及晶體管的輸出特性曲線。（共15分）（1）圖解法靜態(tài)工作點Q（、）。（設=40uA,=50）（6分）（2）畫出微變等效電路，估算放大器的動態(tài)參數(shù)、（設=340，=60）（9分）解: 相交Q點，得(2)7、如下圖，足夠大，（1）畫出直流通路和微變等效電路（4分）。（2）求靜態(tài)工作點、。（4分）（3）求輸入、輸出電阻、及電壓放大倍數(shù)各自的表達式。（4分）（總共12分） (1)略（2）（3）=/ R=R/R=-=+(1+)=+8電路如下圖所示，晶體管的100， rbb=100， =0.7V。（共20分）（1）畫直流通路和微變等效電路。（6分）（2）求電路的Q點、Au、Ri和Ro；（9分）（3）若電容Ce開路，則將引起電路的哪些動態(tài)參數(shù)發(fā)生變化？如何變化？（5分）(2) =2V =1mA=12-1(5+1.3)=5.7v=100+(1+100)=2.7k=-=-7.64=/+(1+)=3.66k=5k(3) Ce開路，Au下降，Ri上升，不變9 如圖所示的放大電路（10分）（1）寫出輸出，輸出時，電路的電壓放大倍數(shù)、的表達式。（2）根據(jù)輸入波形，當時，畫出、的波形。10. 如下圖，的=10ms, 的=100，=，試估算：（1）的值；(2) ；（3） 。(C1到C4足夠大）11. 如下圖，求（1）接在A(斷開）時，（2）接在B點時的，設=，=100，并求這時的，。C足夠大。（1）=（2）12. 如下圖：（1） 推導出飽和條件（與電路參數(shù)關系式）（2） 若=120K，=100，=0.7V,試問電路工作在什么狀態(tài)(放大，飽和，截止）（3) 應如何改變電路參數(shù)，使之脫離上述工作狀態(tài)？(1)NPN管發(fā)射結正偏，要使集電結也正偏，必須,即得為飽和條件。（2）此時電路工作在飽和狀態(tài)。（3）為了脫離飽和狀態(tài)，有三個方法：，不變，不變，不變，換管子使