第7章 靜電場(chǎng) 復(fù)習(xí)題(1)

《第7章 靜電場(chǎng) 復(fù)習(xí)題(1)》由會(huì)員分享，可在線閱讀，更多相關(guān)《第7章 靜電場(chǎng) 復(fù)習(xí)題(1)（8頁(yè)珍藏版）》請(qǐng)?jiān)谘b配圖網(wǎng)上搜索。

1、 第七章 電場(chǎng) 填空題 1、兩無(wú)限大平行平面的電荷面密度分別為和，則兩無(wú)限大帶電平面外的電場(chǎng)強(qiáng)度大 小為 ，方向?yàn)? 。 2、在靜電場(chǎng)中，電場(chǎng)強(qiáng)度E沿任意閉合路徑的線積分為 0 ，這叫做靜電場(chǎng)的 環(huán)路定理 。 3、靜電場(chǎng)的環(huán)路定理的數(shù)學(xué)表達(dá)式為，該式可表述為 在靜電場(chǎng)中，電場(chǎng)強(qiáng)度E沿任意閉合路徑的線積分為0 。 4、只要有運(yùn)動(dòng)電荷，其周圍就有 電場(chǎng) 產(chǎn)生；而法拉弟電磁感應(yīng)定律表明，只要 電流 發(fā)生 變化，就有 磁場(chǎng) 產(chǎn)生。 5、一平行板電容器，若增大兩極板的帶電量，則其

2、電容值會(huì) 增大 ；若在兩極板間充入均 勻電介質(zhì)，會(huì)使其兩極板間的電勢(shì)差 。（填“增大”，“減小”或“不變”） 9題圖 6、在靜電場(chǎng)中，若將電量為q=2×108庫(kù)侖的點(diǎn)電荷從電勢(shì)VA=10伏的A 點(diǎn)移到電勢(shì)VB = -2伏特的B點(diǎn)，電場(chǎng)力對(duì)電荷所作的功Aab= 焦耳。 7、當(dāng)導(dǎo)體處于靜電平衡時(shí)，導(dǎo)體內(nèi)部任一點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng) 相等 。 8、電荷在磁場(chǎng)中 不一定 （填一定或不一定）受磁場(chǎng)力的作用。 9、如圖所示，在電場(chǎng)強(qiáng)度為E的均勻磁場(chǎng)中，有一半徑為R的半球面， E與半球面軸線的夾角為

3、。則通過該半球面的電通量為 。 10、真空中兩帶等量同號(hào)電荷的無(wú)限大平行平面的電荷面密度分別為和，則兩無(wú)限大帶電 平面之間的電場(chǎng)強(qiáng)度大小為 ，兩無(wú)限大帶電平面外的電場(chǎng)強(qiáng)度大小為 。 11、在靜電場(chǎng)中，電場(chǎng)力所做的功與 路徑 無(wú)關(guān)，只與 初始位置電勢(shì) 和 末位置電勢(shì) 有關(guān)。 12、由高斯定理可以證明，處于靜電平衡態(tài)的導(dǎo)體其內(nèi)部各處無(wú) 電場(chǎng) ，電荷只能分布于 導(dǎo)體 表面 。因此，如果把任一物體放入空心導(dǎo)體的空腔內(nèi)，該物體就不受任何外 電場(chǎng)的影響，這就是 靜電屏蔽

4、 的原理。 13、靜電場(chǎng)的高斯定理和環(huán)路定理表明靜電場(chǎng)是 有源 場(chǎng)，靜電場(chǎng)與感生電場(chǎng)的相同之是 。 14、帶均勻正電荷的無(wú)限長(zhǎng)直導(dǎo)線，電荷線密度為λ。它在空間任意一點(diǎn)（距離直導(dǎo)線的垂直距 離為處）的電場(chǎng)強(qiáng)度大小為 ，方向?yàn)? 。 15、靜電場(chǎng)的環(huán)路定理的數(shù)學(xué)表達(dá)式為 ，該式可表述為 。 16、靜電場(chǎng)中a、b兩點(diǎn)的電勢(shì)為,將正電荷從a點(diǎn)移到b點(diǎn)的過程中，電場(chǎng)力做 負(fù) 功， 電勢(shì)能 增加 。 17、帶電體處于靜電平衡狀態(tài)時(shí)，它所帶的電荷只分布

5、在表面，導(dǎo)體內(nèi)部無(wú)運(yùn)動(dòng)電荷，且 越尖的表面處電場(chǎng)強(qiáng)度 最強(qiáng) 。 18、在靜電場(chǎng)中，導(dǎo)體處于靜電平衡的條件是 閉合 和 。 19、在靜電場(chǎng)中作一球形高斯面，A、B分別為球面內(nèi)的兩點(diǎn)，把一個(gè)點(diǎn)電荷從A點(diǎn)移到B點(diǎn)時(shí)， 高斯面上的電場(chǎng)強(qiáng)度的分布 ，通過高斯面的電通量 。 (填改變或不改變) 20、在靜電場(chǎng)中各點(diǎn)的電場(chǎng)場(chǎng)強(qiáng)E等于該點(diǎn)電勢(shì)梯度的 ，其數(shù)學(xué)表達(dá)式為 。 判斷題 1、靜電場(chǎng)高斯定理表明，閉合曲面上的電場(chǎng)強(qiáng)度只由曲

6、面內(nèi)的電荷決定。 × 2、安培環(huán)路定理說(shuō)明電場(chǎng)是保守力場(chǎng)。 3、感生電場(chǎng)和靜電場(chǎng)是完全一樣的電場(chǎng)。 4、均勻帶電圓環(huán)中心的電勢(shì)為零。 5、通過一閉合曲面的電通量為該曲面所包圍的所有電荷的代數(shù)和除以真空電容率。 6、在靜電場(chǎng)中，電場(chǎng)強(qiáng)度大的點(diǎn)，電勢(shì)一定高。 7、靜電場(chǎng)力所作的功等于電勢(shì)能的增量。

7、 8、通過任一閉合曲面的電場(chǎng)強(qiáng)度通量等于零。 9、勻強(qiáng)電場(chǎng)的電力線是等間距的互相平行的直線。 10、有人認(rèn)為：(1)如果高斯面上E處處為零，則高斯面內(nèi)必?zé)o電荷；(2)如果高斯面內(nèi)無(wú)電荷， 則高斯面上E處處為零。 單項(xiàng)選擇題 1、（簡(jiǎn)單）兩條無(wú)限長(zhǎng)平行直導(dǎo)線相距為r，均勻帶有等量同種電荷，電荷線密度為λ。兩導(dǎo)線構(gòu)成的平面上任意一點(diǎn)x處的電場(chǎng)強(qiáng)度為 （A）； （B）； （C）； （D）0 2、（簡(jiǎn)單）電量為Q的兩等量同號(hào)點(diǎn)電荷相距為2d，當(dāng)選擇無(wú)窮遠(yuǎn)處的電勢(shì)為零時(shí),它們連線中點(diǎn)的電勢(shì)為

8、( A ) （A） ； （B）0； （C）； （D）。 3、（一般綜合）邊長(zhǎng)為a的正方體中心放置一個(gè)點(diǎn)電荷Q，則通過任一側(cè)面的電通量為 （ B ） （A） （B） （C） （D） 4、（簡(jiǎn)單）若通過某一閉合曲面的電通量為零時(shí)，下列說(shuō)法正確的是 （ B ） （A）閉合曲面上的場(chǎng)強(qiáng)為零； （B）閉合面內(nèi)的電荷代數(shù)和為零； （C）閉合曲面內(nèi)的場(chǎng)強(qiáng)為零； （D）無(wú)法判斷。 5、（簡(jiǎn)單）在靜電場(chǎng)中，若高斯面內(nèi)凈電荷為零，下列說(shuō)法正確

9、的是： B A、高斯面上各點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)只能由高斯面外的電荷產(chǎn)生。 B、表達(dá)式仍成立。 C、高斯面上各點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)E處處為零。 D、以上說(shuō)法都不正確。 6、（簡(jiǎn)單）當(dāng)一個(gè)帶電導(dǎo)體達(dá)到靜電平衡時(shí)： A、表面上電荷密度較大處電勢(shì)較高。 B、表面曲率較大處電勢(shì)較高。 C、導(dǎo)體內(nèi)部電勢(shì)比導(dǎo)體表面的電勢(shì)高。D、導(dǎo)體內(nèi)任一點(diǎn)與其表面上任一點(diǎn)的電勢(shì)差等于零 7、（簡(jiǎn)單）高斯面內(nèi)的凈電荷為零，則在高斯面上所有各處的電場(chǎng)強(qiáng)度E是： A、處處為零； B、處處不為零； C、不一定為零； D、以上說(shuō)法都不對(duì)。 8、（簡(jiǎn)單）在靜電場(chǎng)中，關(guān)于場(chǎng)強(qiáng)和電勢(shì)的關(guān)系說(shuō)法

10、正確的是： A、場(chǎng)強(qiáng)E大的點(diǎn)，電勢(shì)一定高；電勢(shì)高的點(diǎn)，場(chǎng)強(qiáng)E也一定大。 B、場(chǎng)強(qiáng)E為零的點(diǎn)，電勢(shì)一定為零；電勢(shì)為零的點(diǎn)，場(chǎng)強(qiáng)E也一定為零。 C、場(chǎng)強(qiáng)E大的點(diǎn)，電勢(shì)一定高；場(chǎng)強(qiáng)E小的點(diǎn)，電勢(shì)卻一定低。 D、場(chǎng)強(qiáng)E為零的地方,電勢(shì)不一定為零;電勢(shì)為零的地方，場(chǎng)強(qiáng)E也不一定為零. 9題圖 9、（一般綜合）（如圖所示）閉合曲面S內(nèi)有—點(diǎn)電荷q，P為S面上一點(diǎn)，在S面外A 點(diǎn)有—點(diǎn)電荷，若將移至B點(diǎn)，則（　?。? (A)穿過S面的電通量改變、P點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度不變； (B)穿過S面的電通量不變，P點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度改變； (C)穿過S面的電通量和P點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度都不變； (D)穿過S面

11、的電通量和P點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度都改變。 10、（綜合）導(dǎo)體處于靜電平衡狀態(tài)時(shí)：（ ） （A）導(dǎo)體所帶的電荷均勻的分布在導(dǎo)體內(nèi)； （B）表面曲率較大處電勢(shì)較高； （C）導(dǎo)體內(nèi)部任何一點(diǎn)處的電場(chǎng)強(qiáng)度為零，導(dǎo)體表面處電場(chǎng)強(qiáng)度的方向都與導(dǎo)體表面垂直； （D）導(dǎo)體內(nèi)部的電勢(shì)比導(dǎo)體表面的電勢(shì)低。 11、（簡(jiǎn)單）電量為q的兩等量同種點(diǎn)電荷相距為2 ，它們連線中點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度大小為：（ A ） （A）0 （B） （C） （D） 12、（簡(jiǎn)單）電場(chǎng)的環(huán)路定理說(shuō)明了靜電場(chǎng)是 （ C ）； （A）無(wú)源場(chǎng)； （B）在

12、閉合回路中各點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度為零； （C）有源場(chǎng)； （D）電場(chǎng)是閉合場(chǎng)； 13、（一般綜合）一條無(wú)限長(zhǎng)的直導(dǎo)線帶均勻的正電荷，電荷線密度為λ。它在空間任意一點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度（設(shè)該點(diǎn)到導(dǎo)線的垂直距離為x）：（ B ） （A）0 ； （B）大小為，方向垂直背離直導(dǎo)線； （C）無(wú)法確定； （D）大小為，方向垂直指向直導(dǎo)線 14、（簡(jiǎn)單）關(guān)于高斯定理得出的下述結(jié)論正確的是 ( )。 (A)閉合曲面內(nèi)的電荷代數(shù)和為零，則閉合曲面上任一點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度必為零； (B)閉合曲面上各點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度為零，則

13、閉合曲面內(nèi)一定沒有電荷； (C)閉合曲面上各點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度僅由曲面內(nèi)的電荷決定； (D)通過閉合曲面的電通量?jī)H由曲面內(nèi)的電荷決定。 15、（簡(jiǎn)單）取無(wú)限遠(yuǎn)處為零電勢(shì)點(diǎn)，在一對(duì)等量同號(hào)點(diǎn)電荷連線的中點(diǎn)處 [ ] （A）點(diǎn)0的電場(chǎng)強(qiáng)度和電勢(shì)均為零； （B）點(diǎn)0的電場(chǎng)強(qiáng)度和電勢(shì)均不為零； （C）點(diǎn)0的電場(chǎng)強(qiáng)度為零，電勢(shì)不為零； （D）點(diǎn)0的電場(chǎng)強(qiáng)度不為零，電勢(shì)為零。 16、（一般綜合）在負(fù)點(diǎn)電荷激發(fā)的電場(chǎng)中，將一個(gè)電子從電場(chǎng)中某點(diǎn)移到無(wú)限遠(yuǎn)的過程中下述結(jié)論正確的是 （ ） （A）電場(chǎng)力對(duì)電子做正功，電子的電勢(shì)能減少； （A）電場(chǎng)力對(duì)電子做正功，電子的電

14、勢(shì)能增加； （C）電場(chǎng)力對(duì)電子做負(fù)功，電子的電勢(shì)能減少； （D）電場(chǎng)力對(duì)電子做負(fù)功，電子的電勢(shì)能不變。 17、（一般綜合）已知空間某區(qū)域?yàn)閯驈?qiáng)電場(chǎng)區(qū)，下面說(shuō)法中正確的是( )。 (A)該區(qū)域內(nèi)，電勢(shì)差相等的各等勢(shì)面距離不等； (B)該區(qū)域內(nèi)，電勢(shì)差相等的各等勢(shì)面距離不一定相等； (C)該區(qū)域內(nèi)，電勢(shì)差相等的各等勢(shì)面距離一定相等； (D)該區(qū)域內(nèi)，電勢(shì)差相等的各等勢(shì)面一定相交。 18、（一般綜合）兩個(gè)同號(hào)的點(diǎn)電荷相距r，要使它們的電勢(shì)能增加一倍，則應(yīng)該 [ ] （A）電場(chǎng)力做功使點(diǎn)電荷之間的距離增大為2r （B）電場(chǎng)力做功使點(diǎn)電荷之間的距離增大為4r （C

15、）外力做功使點(diǎn)電荷之間的距離減少為r／2 （D）外力做功使點(diǎn)電荷之間的距離減少為r／4 19、（一般綜合）一平行板電容器充電以后與電源斷開，然后減小兩極板之間的距離，則[ ] （A）極板上的電荷減少． （B）兩極板之間的電場(chǎng)強(qiáng)度不變 （C）電容器的電容量減少 （D）電容器儲(chǔ)存的能量不變 20、（簡(jiǎn)單）在任意靜電場(chǎng)中，下列說(shuō)法正確的是 [ ]. （A） 通過某一面元的電場(chǎng)線數(shù)越多，面元所在處的電場(chǎng)越強(qiáng)； （B） 通過與電場(chǎng)線垂直的面元的電場(chǎng)線數(shù)越多，面元所在處的電場(chǎng)越強(qiáng)； （C） 面元所在處的電場(chǎng)線越密，該處

16、的電場(chǎng)越強(qiáng)； （D）通過與電場(chǎng)線垂直的單位面積的電場(chǎng)線越多，則該處的電場(chǎng)越強(qiáng)． 計(jì)算題 1、（一般綜合）求無(wú)限長(zhǎng)載流圓柱體內(nèi)、外的磁場(chǎng)分布。設(shè)圓柱體半徑為，電流均勻流過圓柱體截面。 計(jì)算題1圖 計(jì)算題2圖 計(jì)算題3圖 2、（綜合）在半徑為R1和R2的兩個(gè)同心球面上，分別均勻地分布著電荷Q1和Q2，如圖所示。試分別求：Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ三個(gè)區(qū)域的電勢(shì)分布。 3、（一般綜合）（如圖）一半徑為R1的實(shí)心球體均勻帶有電量+Q（電荷為體積分布），若其外還有一半徑為R2的同心球面，也均勻帶有電量-Q，求其周圍空間的電場(chǎng)分布 4、（綜合）電量Q均

17、勻分布在一半徑為R的實(shí)心球體內(nèi)，試求該點(diǎn)電球體內(nèi)、外空間中的電勢(shì)分布。 5、（一般綜合）如圖所示一半徑為R的半圓細(xì)環(huán)上均勻地分布電荷Q，求環(huán)心處的電場(chǎng)強(qiáng)度， 5題圖 7題圖 6題圖 6、（一般綜合）如圖示，，是以為中心、為半徑的半圓，點(diǎn)有點(diǎn)電荷，點(diǎn)有點(diǎn)電荷。求（1）把單位正電荷從O點(diǎn)沿OCD移到D點(diǎn)，電場(chǎng)力對(duì)它做了多少功?（2）單位負(fù)電荷從D點(diǎn)沿AB延長(zhǎng)線移到無(wú)窮遠(yuǎn)處，電場(chǎng)力對(duì)它做了多少功? 7、（一般綜合）由細(xì)導(dǎo)線作成的圓環(huán)，半徑為R，其上均勻分布著電荷q(如圖)。試求在通過環(huán)心垂直環(huán)面的直線上與環(huán)心相距a處的p點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)。 8、（一般綜合）求無(wú)限長(zhǎng)均勻帶電圓柱面內(nèi)、外場(chǎng)強(qiáng)

18、E的空間分布。設(shè)圓柱面半徑為R，電荷面密度為。 10題圖 9、（綜合）求均勻帶電球體的電勢(shì)。已知電荷q均勻地分布在半徑為R的球體上，求空間各點(diǎn)的電勢(shì)。 10、（綜合）如圖所示的電荷線密度為的無(wú)限長(zhǎng)均勻帶電直線，其旁垂直放置電荷線密度為的有限長(zhǎng)均勻帶電直線AB，兩者位于同一平面內(nèi)。則AB所受靜電作用力的大小為多少？ 簡(jiǎn)答 1、如果通過閉合面S的電通量為零，能否肯定S面的場(chǎng)強(qiáng)處處為零? （一般綜合） 2、在一個(gè)等邊三角形的三個(gè)頂角處各放置一個(gè)電荷，電荷的大小和性質(zhì)都相同，如果以這三角形 的中心為球心，作一個(gè)包圍這三個(gè)電荷的球形高斯面，問： (1)能否利用高斯定理求出它們所產(chǎn)生的場(chǎng)強(qiáng)

19、? (2)高斯定理是否仍然成立? （一般綜合） 2、電場(chǎng)中某一點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)的定義為，若該點(diǎn)沒有試驗(yàn)電荷，那么該點(diǎn)的電場(chǎng)如何？為什么？（一般綜合） 參考答案 判斷題 1、×； 2、×； 3、×； 4、×； 5、√ ； 6、×； 7、√ ； 8、×； 9、√ ； 10、×。 單項(xiàng)選擇題 1、（3）； 2、（1）； 3、（2）； 4、（2）； 5、（B）； 6、（D）； 7、（C）； 8、（D）； 9、（D）； 10、（3）； 11、（1）； 12、（3）； 13、（2）； 14、（D）； 15、（C）； 16、（A）； 17、（C）； 18、（C）； 19、（B）； 20、（D）；