新編高中化學(xué) 第3章 復(fù)習(xí)課 魯科版選修3

新編化學(xué)精品資料第3課時(shí) 習(xí)題課練基礎(chǔ)落實(shí)知識(shí)點(diǎn)一物質(zhì)熔、沸點(diǎn)高低的比較1下列各組物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)高低比較不正確的是()A金剛石>二氧化硅>晶體硅BMgO>MgCl2>NaClC金剛石>食鹽>干冰DH2Se>H2S>H2O2下列化合物，按其晶體的熔點(diǎn)由高到低排列正確的是()ASiCNaClCCl4CF4BSiCNaClCF4CCl4CNaClSiCCCl4CF4DCF4CCl4NaClSiC3下列各物質(zhì)中，按熔點(diǎn)由高到低的順序排列正確的是()ACH4SiH4GeH4SnH4BKClNaClMgCl2MgOCRbKNaLiD金剛石SiO2>NaCl>鈉知識(shí)點(diǎn)二晶體的組成和結(jié)構(gòu)4下列有關(guān)晶體的說(shuō)法正確的是()A晶胞是晶體結(jié)構(gòu)的最小重復(fù)單元BA2型最密堆積稱(chēng)為六方最密堆積CNaCl晶體中Cl填在Na所形成的空隙中DZnS晶體中的S2按A3型方式進(jìn)行最密堆積5.石墨晶體是層狀結(jié)構(gòu)(如右圖)，在每一層內(nèi)，每一個(gè)碳原子都跟其他3個(gè)碳原子相結(jié)合，據(jù)圖分析，石墨晶體中碳原子數(shù)和共價(jià)鍵數(shù)之比為()A23 B21C13 D326下列說(shuō)法中正確的是()A金剛石晶體中的最小碳原子環(huán)由6個(gè)碳原子構(gòu)成BNa2O2晶體中陰離子與陽(yáng)離子數(shù)目之比為11C1 mol SiO2晶體中含2 mol SiO鍵D金剛石化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，即使在高溫下也不會(huì)和O2反應(yīng)知識(shí)點(diǎn)三晶體類(lèi)型與結(jié)構(gòu)、性質(zhì)的關(guān)系7下表是幾種氯化物的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)：物質(zhì)NaClMgCl2AlCl3SiCl4熔點(diǎn)/801714190(5×101 kPa)70沸點(diǎn)/1 4131 41218057.57據(jù)表中所列數(shù)據(jù)判斷下列敘述與表中相吻合的是()AAlCl3在加熱條件下不能升華BSiCl4晶體屬于原子晶體CAlCl3晶體是典型的離子晶體DSiCl4在晶體中有分子存在8石墨晶體具有一些獨(dú)特的性質(zhì)，質(zhì)地較柔軟但熔點(diǎn)很高，還具有導(dǎo)電性，這主要是因?yàn)槭w具有一種獨(dú)特的結(jié)構(gòu)，石墨晶體是()A原子晶體 B金屬晶體C分子晶體 D混合鍵型晶體9離子晶體一般不具有的特征是()A熔點(diǎn)較高、硬度較大B易溶于水而難溶于有機(jī)溶劑C干燥時(shí)不能導(dǎo)電D離子間距離較大，其密度較小練綜合拓展10已知A、B、C、D、E、F都是周期表中前四周期的元素，它們的核電荷數(shù)A<B<C<D<E<F。其中A原子核外有三個(gè)未成對(duì)電子；化合物B2E的晶體為離子晶體，E原子核外的M層中只有兩個(gè)成對(duì)電子；C元素是地殼中含量最高的金屬元素；D單質(zhì)的晶體類(lèi)型在同周期的單質(zhì)中沒(méi)有相同的；F原子核外最外層電子數(shù)與B相同，其余各層電子均充滿(mǎn)。請(qǐng)根據(jù)以上信息，回答下列問(wèn)題(答題時(shí)，A、B、C、D、E、F用所對(duì)應(yīng)的元素符號(hào)表示)：(1)A、B、C、D的第一電離能由小到大的順序?yàn)開(kāi)。(2)B的氯化物的熔點(diǎn)比D的氯化物的熔點(diǎn)_(填“高”或“低”)，理由是_。(3)F的核外電子排布式是_，F(xiàn)的高價(jià)離子與A的簡(jiǎn)單氫化物形成的配離子的化學(xué)式為_(kāi)。(4)A、F形成某種化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如下圖所示(其中A顯3價(jià))，則其化學(xué)式為_(kāi)。(每個(gè)球均表示1個(gè)原子)(5)A、C形成的化合物具有高沸點(diǎn)和高硬度，是一種新型無(wú)機(jī)非金屬材料，則其化學(xué)式為_(kāi)，其晶體中所含的化學(xué)鍵類(lèi)型為_(kāi)，其晶體類(lèi)型是_。11化合物YX2、ZX2中X、Y、Z都是前三周期元素，X與Y同周期，Y與Z同主族，Y元素原子最外層的p軌道中的電子數(shù)等于前一電子層的電子總數(shù)，X原子最外層的p軌道中有一個(gè)軌道填充了2個(gè)電子。(1)X原子的電子排布式是_；Y原子的價(jià)層電子軌道表示式是_。(2)YX2的分子構(gòu)型是_，YX2的溶、沸點(diǎn)比ZX2_(填“高”或“低”)，理由是_。(3)YX2分子中，Y原子的雜化類(lèi)型是_。YX2分子中含_個(gè)鍵。(4)下圖表示一些晶體的結(jié)構(gòu)(晶胞)，其中代表YX2的是_(填序號(hào)，下同)，代表ZX2的是_。 本章復(fù)習(xí)課目標(biāo)落實(shí)金屬晶體：金屬陽(yáng)離子和自由電子，金屬鍵熔、沸點(diǎn)較高，光澤，導(dǎo)電，導(dǎo)熱，延展性離子晶體：陰、陽(yáng)離子，離子鍵熔、沸點(diǎn)較高，不導(dǎo)電，硬而脆，無(wú)延展性原子晶體：原子，共價(jià)鍵熔、沸點(diǎn)高，硬度大，無(wú)延展性分子晶體：分子，分子間作用力熔、沸點(diǎn)較低，硬度小課時(shí)作業(yè)1D2.A3.D4.A5.A6.A7DA項(xiàng)中觀察AlCl3的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)可看出沸點(diǎn)要低于熔點(diǎn)，所以可以升華，A項(xiàng)錯(cuò)誤；B項(xiàng)中SiCl4的熔點(diǎn)是70，由此看熔點(diǎn)低，屬于分子晶體的特征，B項(xiàng)錯(cuò)，D項(xiàng)正確；C項(xiàng)中離子晶體的熔、沸點(diǎn)應(yīng)該較高，而AlCl3的熔、沸點(diǎn)不高，肯定不屬于典型的離子晶體，C項(xiàng)錯(cuò)。答案應(yīng)該是D項(xiàng)。8D石墨晶體中，同一層內(nèi)的原子以共價(jià)健相結(jié)合；而層與層之間又以范德華力相結(jié)合，同時(shí)還有金屬鍵的特性。我們稱(chēng)之為混合鍵型晶體。9D10(1)Na<Al<Si<N(2)高NaCl為離子晶體而SiCl4為分子晶體(3)1s22s22p63s23p63d104s1(或Ar3d104s1)Cu(NH3)42(4)Cu3N(5)AlN共價(jià)鍵原子晶體111s22s22p4(2)直線形低CO2為分子晶體，SiO2為原子晶體(3)sp1雜化2(4)BC解析Y元素的電子排布式為1s22s22p2，是C。X與Y同周期，得X的電子排布式為1s22s22p4，是O。Z是Si，YX2為CO2，ZX2為SiO2。CO2為分子晶體，SiO2為原子晶體。CO2中碳原子為sp1雜化，直線形分子。C與兩個(gè)O之間各有一個(gè)鍵。