微機(jī)保護(hù)裝置電磁兼容要求詳解ppt課件
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微機(jī)保護(hù)裝置電磁兼容性的測(cè)試實(shí)驗(yàn),,1,課程內(nèi)容,電磁兼容的基本概念 EMI測(cè)試 EMS測(cè)試 發(fā)射試驗(yàn)的試驗(yàn)方法,2,電磁兼容的基本概念——EMC,電磁兼容EMC(Electro Magnetic Compatibility),是指電子、電氣設(shè)備或系統(tǒng)在預(yù)期的電磁環(huán)境中,按設(shè)計(jì)要求正常工作的能力。 國(guó)際電工技術(shù)委員會(huì)(IEC)對(duì)電磁兼容的定義是“設(shè)備或系統(tǒng)在其電磁環(huán)境中能正常工作且不對(duì)該環(huán)境中任何事物構(gòu)成不能承受的電磁騷擾的能力”。,3,電磁兼容的基本概念——三要素,電磁兼容三要素是電磁兼容設(shè)計(jì)及測(cè)試的基礎(chǔ),具體指干擾源、敏感源、耦合路徑。 處理電磁兼容測(cè)試問(wèn)題的基本思想:減少干擾源、切斷耦合路徑、提高敏感源的抗干擾能力。,4,電磁兼容的基本概念——三要素,干擾源一般指任何可能引起裝置、設(shè)備、系統(tǒng)性能降低或?qū)τ猩镔|(zhì)或無(wú)生命物質(zhì)產(chǎn)生損害的電磁現(xiàn)象。 隨著生活中的電磁產(chǎn)品日益增多,電磁污染也不容忽視,電子設(shè)備的工作環(huán)境日益惡化。 所以要求電子設(shè)備具有很好的抗干擾性,又要求電子設(shè)備的電磁發(fā)射指標(biāo)滿足相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)要求。,5,電磁兼容的基本概念——三要素,本質(zhì)上說(shuō),電磁干擾的耦合路徑有兩種:傳導(dǎo)和輻射。 傳導(dǎo)干擾:通過(guò)導(dǎo)線傳輸,即通過(guò)電子設(shè)備的電源線、通信線、信號(hào)線等直接侵入敏感設(shè)備。 輻射干擾:干擾源周?chē)嬖诘碾妶?chǎng)和磁場(chǎng)會(huì)對(duì)電子設(shè)備附近的敏感設(shè)備產(chǎn)生干擾,同時(shí)干擾會(huì)以電磁波的方式向遠(yuǎn)處空間傳播,從而影響遠(yuǎn)處的敏感設(shè)備工作。,6,電磁兼容的基本概念——三要素,電磁干擾敏感源是指容易受到電磁干擾影響的設(shè)備,一般是系統(tǒng)的一部分,主要表現(xiàn)在功能暫時(shí)性異常、通信錯(cuò)誤、指示燈異常閃動(dòng)、錯(cuò)誤輸出、故障燈。 按照影響范圍分為板級(jí)敏感源與系統(tǒng)敏感源。常見(jiàn)的板級(jí)敏感源:晶振、繼電器等。 常見(jiàn)的系統(tǒng)敏感源:電源端口、輸入/輸出端口等。,7,電磁兼容的基本概念——測(cè)試方法,EMC包含兩個(gè)方面:一、設(shè)備對(duì)外界的電磁干擾要有一定的承受能力而不致失效;二、設(shè)備本身在工作中對(duì)周?chē)h(huán)境所產(chǎn)生的電磁干擾不應(yīng)超出一定的量值,以免對(duì)該環(huán)境中的其他設(shè)備造成不良影響。 綜上所述,電磁兼容就是研究設(shè)備或系統(tǒng)的干擾和抗干擾問(wèn)題的一門(mén)學(xué)科,包含電磁干擾EMI和電磁抗擾度EMS兩方面的內(nèi)容。,8,電磁兼容的基本概念——測(cè)試方法,EMI( Electro Magnetic interference),電磁干擾度,是指電子設(shè)備在正常運(yùn)行過(guò)程中對(duì)所在環(huán)境產(chǎn)生的電磁干擾不能超過(guò)一定的限值,不應(yīng)產(chǎn)生超過(guò)相應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)所要求的電磁能量,含義是電子設(shè)備的工作不應(yīng)影響周?chē)渌O(shè)備的工作。 EMI測(cè)試主要包括端口的傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)試和系統(tǒng)的輻射發(fā)射測(cè)試。,9,電磁兼容的基本概念,EMS( Electro Magnetic susceptibility),電磁抗干擾度,是指電子設(shè)備對(duì)所在環(huán)境中存在的電磁干擾具有一定程度的抗擾度,含義是設(shè)備對(duì)周?chē)h(huán)境的適應(yīng)能力,設(shè)備是否能在電磁環(huán)境中正常工作,是否能抵御周?chē)碾姶鸥蓴_。 EMS測(cè)試是測(cè)試電子產(chǎn)品及系統(tǒng)對(duì)電磁干擾的抗擾能力,測(cè)試電子產(chǎn)品及系統(tǒng)在電磁干擾中能否正常工作。,10,課程內(nèi)容,電磁兼容的基本概念 EMI測(cè)試 EMS測(cè)試 總結(jié),11,EMI測(cè)試,EMI測(cè)試主要包括端口的傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)試和系統(tǒng)的輻射發(fā)射測(cè)試。端口的傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)試是指電源、通信或I/O端口通過(guò)線纜傳輸?shù)尿}擾,系統(tǒng)的輻射發(fā)射騷擾是系統(tǒng)通過(guò)空間向空間輻射的騷擾。 電子系統(tǒng)的各種端口(電源端口、通信端口和信號(hào)端口)通過(guò)線纜會(huì)把干擾傳導(dǎo)至電網(wǎng)或其他設(shè)備,電子設(shè)備工作時(shí)會(huì)向空間輻射干擾。EMI測(cè)試就是測(cè)試上述兩部分,通過(guò)測(cè)試,給出一個(gè)具體的定量指標(biāo)。,12,EMI測(cè)試——傳導(dǎo)發(fā)射,系統(tǒng)會(huì)對(duì)輸入電源線產(chǎn)生干擾,通過(guò)傳導(dǎo)至電網(wǎng),影響電網(wǎng)中的其他設(shè)備正常工作。傳導(dǎo)發(fā)射一般的測(cè)試頻段為0.15~30MHz,在此頻段內(nèi),以0.5MHz為界分為兩個(gè)頻段,這兩個(gè)頻段有不同的騷擾限制要求。在進(jìn)行電源線上的傳導(dǎo)騷擾時(shí),分別記錄子啊兩個(gè)頻段內(nèi)的最大值以及所處的頻率點(diǎn),測(cè)試電子產(chǎn)品的騷擾是否滿足測(cè)試要求。 電源線的傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)試是將系統(tǒng)電源通過(guò)人工電源網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行供電,利用接收機(jī)進(jìn)行測(cè)量。使用人工電源網(wǎng)絡(luò)原因是為了在端子電壓測(cè)量點(diǎn)上提供規(guī)定的高頻阻抗,并把被測(cè)電路和電網(wǎng)隔離開(kāi)。,13,EMI測(cè)試——輻射發(fā)射,輻射發(fā)射時(shí)測(cè)試電子產(chǎn)品及系統(tǒng)通過(guò)設(shè)備外殼的電磁泄露及線纜向空間輻射的電磁能量。設(shè)備外殼的縫隙及散熱孔都會(huì)使產(chǎn)品內(nèi)部的電磁能量輻射到空間環(huán)境, 電子產(chǎn)品的線纜一般被認(rèn)為接收天線和發(fā)射天線,其對(duì)一定的電磁能量可以進(jìn)行接收和發(fā)射,接收過(guò)來(lái)的電磁能量屬于輻射抗擾度的范疇,發(fā)射出去的電磁能量就是屬于輻射發(fā)射。 輻射發(fā)射試驗(yàn)要求嚴(yán)格。立式設(shè)備放置在0.1m的絕緣支架上,對(duì)于臺(tái)式設(shè)備放置在0.8m高的非導(dǎo)電桌子上,可以按照3m或10m的距離進(jìn)行測(cè)量。,14,EMI測(cè)試——輻射發(fā)射,輻射發(fā)射一般的測(cè)試頻率范圍為30~1000MHz,用帶有準(zhǔn)峰值檢波器的接收機(jī)進(jìn)行測(cè)量。測(cè)試天線一般選用雙錐天線和周期對(duì)數(shù)天線組成的混合寬帶天線,分別進(jìn)行垂直與水平極化方向測(cè)試。 1GHz以上的頻率測(cè)試就需要選擇喇叭天線,喇叭天線的測(cè)試頻率一般為1~18GHz。 在輻射發(fā)射測(cè)試中,EMI的要求是用限值來(lái)表示的,超過(guò)限值即判定為不合格。,15,課程內(nèi)容,電磁兼容的基本概念 EMI測(cè)試 EMS測(cè)試 總結(jié),16,EMS測(cè)試,一般情況下,國(guó)標(biāo)中進(jìn)行的電磁抗擾度測(cè)試有10項(xiàng),分別為:1靜電放電抗擾度試驗(yàn),2射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn),3電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn),4浪涌(沖擊)抗擾度試驗(yàn),5射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度試驗(yàn),6工頻磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn),7脈沖磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn),8電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化抗擾度試驗(yàn),9振鈴波浪涌抗擾度試驗(yàn),10交流電源端口諧波、諧間波及電網(wǎng)信號(hào)的低頻干擾抗擾度試驗(yàn)。,17,EMS測(cè)試,測(cè)試一般分為電源端口、通信信號(hào)端口、整系統(tǒng),且測(cè)試方法及要求是不一樣的。 電源端口:3、4、5、8、9、10 通信信號(hào)端口:3、4、5 整系統(tǒng):1、2、6、7 EMS測(cè)試考察電子產(chǎn)品系統(tǒng)的抗擾能力,標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)每項(xiàng)測(cè)試的等級(jí)及干擾波形進(jìn)行了細(xì)化說(shuō)明,以下對(duì)每項(xiàng)測(cè)試分別詳細(xì)介紹。,18,1靜電放電抗擾度試驗(yàn),適用于在可能產(chǎn)生靜電放電環(huán)境中使用的所有設(shè)備,應(yīng)考慮直接放電和間接放電,限于在ESD控制環(huán)境下使用的設(shè)備,而非電子設(shè)備類產(chǎn)品可除外。有限選用的實(shí)驗(yàn)方法是在實(shí)驗(yàn)室內(nèi)進(jìn)行的形式試驗(yàn),包括對(duì)導(dǎo)體表面和對(duì)耦合板的接觸放電及在絕緣表面上的空氣放電。 受試設(shè)備保持正常運(yùn)行方式,當(dāng)受試設(shè)備有模擬檢測(cè)設(shè)備時(shí),應(yīng)對(duì)其進(jìn)行隔離和去耦,減少出現(xiàn)設(shè)備故障誤指示的可能性。,19,2射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn),適用于射頻電磁場(chǎng)環(huán)境中使用的所有設(shè)備,非電子設(shè)備除外。試驗(yàn)在電波暗室中進(jìn)行,電波暗室是安裝吸波材料用以降低內(nèi)表面電波反射的屏蔽室。一般采用雙錐和對(duì)數(shù)周期天線進(jìn)行試驗(yàn)。 臺(tái)式應(yīng)防放置在0.8m高的絕緣試驗(yàn)臺(tái)上,落地設(shè)備應(yīng)置于高出地面0.1m的非金屬支撐物上。用1kHz的正弦波對(duì)信號(hào)進(jìn)行80%的幅度調(diào)制后,在預(yù)定的頻率范圍內(nèi)進(jìn)行掃描試驗(yàn),在每一頻點(diǎn)上主流時(shí)間應(yīng)不短于0.5s,一般采用1s。當(dāng)受試設(shè)備能以不同方向放置使用時(shí),應(yīng)對(duì)各個(gè)側(cè)面進(jìn)行試驗(yàn)。每一側(cè)面需在發(fā)射天線的兩種極化狀態(tài)下進(jìn)行試驗(yàn),即垂直極化和水平極化。,20,3電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn),適用于與供電網(wǎng)絡(luò)連接或有電纜(如通信信號(hào)電纜等)靠近供電線路的設(shè)備。受試設(shè)備都應(yīng)放置在接地參考平面上,用厚度為0.1m的絕緣支座與之隔開(kāi)。試驗(yàn)發(fā)生器和耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)直接放置在接地平面上,并與之搭接,接地參考平面的各邊至少應(yīng)比受試設(shè)備超出0.1m,接地參考平面與保護(hù)地相連接。與受試設(shè)備相連接的電纜應(yīng)放置在接地參考平面上方0.1m的絕緣支架上,不經(jīng)手脈沖群測(cè)試的電纜應(yīng)盡量原理受試電纜,減少線間耦合。受試設(shè)備按照實(shí)際應(yīng)用現(xiàn)場(chǎng)的安裝方式進(jìn)行接地,使用耦合夾時(shí),耦合裝置與受試設(shè)備之間的信號(hào)線和電源線的長(zhǎng)度應(yīng)為0.5m±0.05m。,21,3電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn),電源端口采用33nF電容直接注入的方法,輸入、輸出及通信端口采用容性耦合夾耦合的方法進(jìn)行測(cè)試。臺(tái)式設(shè)備電源端口測(cè)試設(shè)備布局示意圖5.5,和利用耦合夾測(cè)試的示意圖5.6分別如下。,22,3電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn),當(dāng)對(duì)兩臺(tái)受試設(shè)備同時(shí)進(jìn)行測(cè)試時(shí),耦合夾和受試設(shè)備之間的距離需要滿足要求(0.5m±0.05m);當(dāng)對(duì)一臺(tái)受試設(shè)備進(jìn)行測(cè)試時(shí),耦合夾與非受試設(shè)備之間必須去耦或隔離。,23,4浪涌(沖擊)抗擾度試驗(yàn),適用于建筑外的網(wǎng)絡(luò)或電網(wǎng)連接的設(shè)備。浪涌抗擾度試驗(yàn)主要模擬電力系統(tǒng)開(kāi)關(guān)瞬態(tài)及雷電瞬態(tài)產(chǎn)生的干擾。 浪涌抗擾度試驗(yàn)需要使用耦合/去耦網(wǎng)絡(luò),將受試設(shè)備與電網(wǎng)或模擬設(shè)備分開(kāi),受試設(shè)備與耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)之間的線纜長(zhǎng)度不應(yīng)超過(guò)2m。產(chǎn)品應(yīng)在產(chǎn)品正常工作范圍內(nèi)所要求的氣候條件下進(jìn)行測(cè)試,如果濕度很高,在產(chǎn)品上產(chǎn)生凝露,則不應(yīng)進(jìn)行試驗(yàn)。,24,4浪涌(沖擊)抗擾度試驗(yàn),試驗(yàn)前應(yīng)確定實(shí)驗(yàn)的等級(jí)(電壓),一般施加在直流電源端口和互連線上的浪涌次數(shù)為正、負(fù)極性各5次,對(duì)交流電源端口,應(yīng)分別在0°、90°、180°、270°相位施加正、負(fù)極性各5次的浪涌脈沖,也就是選擇進(jìn)行0°、90°(正極性狀態(tài)下)和180°、270°(負(fù)極性狀態(tài)下)各5次的浪涌脈沖,也有的只進(jìn)行90°(正極性狀態(tài)下)和270°(負(fù)極性狀態(tài)下)各5次的浪涌脈沖。脈沖間隔時(shí)間一般建議在1min。試驗(yàn)時(shí),受試設(shè)備應(yīng)工作在典型工作狀態(tài)下。,25,5射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度試驗(yàn),適用于有射頻場(chǎng)存在而且連接到電網(wǎng)或其他網(wǎng)絡(luò)的設(shè)備。一般要求對(duì)產(chǎn)品的輸入電源端口、通信及I/O端口進(jìn)行測(cè)試,對(duì)電源端口采用耦合去耦網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行試驗(yàn),對(duì)通信及I/O端口采用電磁鉗耦合方式進(jìn)行試驗(yàn)。 受試設(shè)備應(yīng)在預(yù)期的運(yùn)行和氣候條件下進(jìn)行測(cè)試,依次將試驗(yàn)信號(hào)發(fā)生器連接到耦合裝置上,其他的非測(cè)試電纜或不連接,或使用去耦網(wǎng)絡(luò)去耦。 掃頻范圍從150kHz~80MHz,根據(jù)試驗(yàn)等級(jí)設(shè)置信號(hào)電平,騷擾信號(hào)是經(jīng)過(guò)1kHz正弦波調(diào)制,調(diào)制到80%的射頻信號(hào)。一般情況下,步進(jìn)為先前頻率的1%,在每個(gè)頻率點(diǎn)上駐留時(shí)間為1s,對(duì)敏感的敏感點(diǎn)可以單獨(dú)進(jìn)行測(cè)試。,26,6工頻磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn),宜限于對(duì)磁場(chǎng)敏感的設(shè)備。對(duì)體積小的臺(tái)式設(shè)備采用浸入法進(jìn)行試驗(yàn),即將EUT放置在感應(yīng)線圈中部。對(duì)于體積大的柜式設(shè)備,垂直方向采用浸入法進(jìn)行試驗(yàn),側(cè)面采用鄰近法進(jìn)行試驗(yàn),即感應(yīng)線圈置于測(cè)試附近進(jìn)行試驗(yàn)。常見(jiàn)的感應(yīng)天線大小尺寸為1mx1m。,27,7脈沖磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn),主要適用于安裝在發(fā)電廠的設(shè)備,模擬開(kāi)關(guān)設(shè)備通斷產(chǎn)生的干擾。脈沖磁場(chǎng)抗擾度的測(cè)試方法類似于工頻磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn),根據(jù)受試設(shè)備的大小,分別選擇浸入法和鄰近法進(jìn)行試驗(yàn)。根據(jù)產(chǎn)品的要求選擇試驗(yàn)等級(jí)(電流),分別進(jìn)行正負(fù)各5次的脈沖干擾,一般的脈沖時(shí)間間隔1min。,28,8電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化抗擾度試驗(yàn),適用于連接至交流電網(wǎng)的設(shè)備,對(duì)額定工作電流有所限制,要求額定電流不大于16A的設(shè)備,電流過(guò)大,對(duì)電網(wǎng)及測(cè)試設(shè)備影響很大。它是由電網(wǎng)、電力設(shè)備的故障或負(fù)荷突然出現(xiàn)大的變化引起的。一般情況下會(huì)出現(xiàn)兩次或更多次連續(xù)的暫降或中斷,電壓變化是由連接到電網(wǎng)中的負(fù)荷連續(xù)變化引起的。電壓暫降、短時(shí)中斷在標(biāo)準(zhǔn)中給出電壓降落值及持續(xù)時(shí)間,電壓變化是供選擇進(jìn)行測(cè)試的內(nèi)容。 受試設(shè)備應(yīng)按照試驗(yàn)等級(jí)和持續(xù)時(shí)間進(jìn)行試驗(yàn),進(jìn)行三次電壓暫降或中斷試驗(yàn),最小間隔10s,且應(yīng)在設(shè)備典型的工作模型下進(jìn)行試驗(yàn)。電壓暫降、短時(shí)中斷試驗(yàn)一般在電源電壓過(guò)零時(shí)進(jìn)行試驗(yàn)。,29,9振鈴波浪涌抗擾度試驗(yàn),適用于連接到交流電網(wǎng)的設(shè)備。振鈴波是由電源和控制線開(kāi)關(guān)切換或雷擊引起的,并出現(xiàn)在設(shè)備的端子上。 振鈴波浪涌(第一峰值)的電壓上升時(shí)間為0.5μs±20%,電流上升時(shí)間≤1μs,振蕩頻率為100kHz±10%,衰減為前一峰值的60%。振鈴波浪涌抗擾度試驗(yàn)要求至少進(jìn)行正負(fù)各5次的瞬態(tài)脈沖干擾,一般選擇的時(shí)間間隔為1min。一般只對(duì)電源端口進(jìn)行測(cè)試,試驗(yàn)電壓通過(guò)耦合去耦網(wǎng)絡(luò)施加在受試設(shè)備的電源端口,選擇不同的試驗(yàn)信號(hào)發(fā)生器阻抗進(jìn)行試驗(yàn)。 當(dāng)受試設(shè)備連接在主配電板時(shí),試驗(yàn)信號(hào)發(fā)生器阻抗選用12Ω。當(dāng)連接在引出插座時(shí),選用30Ω。,30,10交流電源端口諧波、諧間波及電網(wǎng)信號(hào)的低頻干擾抗擾度試驗(yàn),適用于對(duì)交流電源過(guò)零時(shí)間準(zhǔn)確性敏感或?qū)μ囟ǖ闹C波分量敏感的設(shè)備。 諧波騷擾通常是由具有非線性電壓-電流特性的設(shè)備或者由于負(fù)荷的周期性及線性同步操作引起的。諧間波是在工頻的諧波電壓和諧波電流之間,不是基波頻率整數(shù)倍的頻率,以離散的頻率或以一個(gè)寬帶頻譜出現(xiàn)。 諧波的測(cè)試分為諧波組合試驗(yàn)和掃描試驗(yàn)。諧波組合試驗(yàn)包括平頂波和尖頂波兩種試。平頂波的每半個(gè)波形由三部分組成。第一部分從零開(kāi)始,按正弦函數(shù)變化,分別達(dá)到試驗(yàn)等級(jí)要求的頂峰,第二部分為一恒定的電壓,第三部分是與第一部分相對(duì)應(yīng)的正弦電壓,31,10交流電源端口諧波、諧間波及電網(wǎng)信號(hào)的低頻干擾抗擾度試驗(yàn),尖頂波是由相應(yīng)相位關(guān)系的離散的3次和5次諧波疊加而產(chǎn)生的。掃描試驗(yàn)方法是在不同的頻段施加不同幅度的諧波進(jìn)行試驗(yàn)。 在進(jìn)行交流電源諧波試驗(yàn)時(shí),按照平頂波、尖頂波和掃描試驗(yàn)的方法進(jìn)行試驗(yàn)。,32,課程內(nèi)容,電磁兼容的基本概念 EMI測(cè)試 EMS測(cè)試 總結(jié),33,總結(jié),電磁兼容測(cè)試是電子產(chǎn)品及系統(tǒng)形式試驗(yàn)中主要的測(cè)試,直接影響系統(tǒng)的穩(wěn)定性、可靠性,因此在產(chǎn)品系統(tǒng)的測(cè)試中,電磁兼容測(cè)試是主要的考察方面。 電磁兼容的標(biāo)準(zhǔn)有國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),等同于IEC標(biāo)準(zhǔn),通用標(biāo)準(zhǔn)及各行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)大都是引用國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定了測(cè)試方法及測(cè)試等級(jí)。,34,總結(jié),電磁兼容測(cè)試主要包括EMI和EMS兩部分測(cè)試,EMI為產(chǎn)品系統(tǒng)對(duì)空間環(huán)境的騷擾,EMS測(cè)試電子產(chǎn)品系統(tǒng)的抗擾性能。EMI測(cè)試在低頻段體現(xiàn)為通過(guò)線纜的傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)試,高頻段體現(xiàn)為通過(guò)系統(tǒng)天線(線纜等)的輻射發(fā)射測(cè)試。 電磁兼容測(cè)試是衡量產(chǎn)品系統(tǒng)可靠性的主要指標(biāo),在產(chǎn)品測(cè)試中應(yīng)綜合接地、濾波、屏蔽技術(shù)進(jìn)行防護(hù)設(shè)計(jì)。,35,結(jié)束語(yǔ),謝謝大家,36,- 1.請(qǐng)仔細(xì)閱讀文檔,確保文檔完整性,對(duì)于不預(yù)覽、不比對(duì)內(nèi)容而直接下載帶來(lái)的問(wèn)題本站不予受理。
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