《真空鍍膜實驗》PPT課件.ppt

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1、 )10760(1010 35 Torrpa )1010(1010 313 Torrpa )1010(1010 8361 Torrpa )1010(1010 128106 Torrpa )10(10 1210 Torrpa 三、薄膜材料的制備 薄膜制備方法有很多種,如液相制備方法、電化學制備方法等，直接制備薄膜以氣相沉積為主.包括： 化學氣相沉積（ CVD) 借助空間氣相化學反應在襯底表面上沉積固態(tài)薄膜。 物理氣相沉積（ PVD) 用物理方法(如電弧、高頻或等離子等高溫熱源）將源物質轉移到氣相中，在襯底表面上沉積固態(tài)薄膜。包括真空蒸發(fā)、真空濺射等。 4 2 真空系統(tǒng)(DM300鍍膜機) 蒸發(fā)源

2、材料和鍍膜材料的選擇搭配原則（1） 蒸發(fā)源有良好的熱穩(wěn)定性，化學性質不活潑，達到蒸發(fā)溫度時加熱器本身的蒸汽壓要足夠低。（2） 蒸發(fā)源的熔點要高于被蒸發(fā)物的蒸發(fā)溫度。加熱器要有足夠大的熱容量。（3） 蒸發(fā)物質和蒸發(fā)源材料的互熔性必須很差，不易形成合金。（4） 要求線圈狀蒸發(fā)源所用材料能與蒸發(fā)材料有良好的浸潤，有較大的表面張力。（5） 對于不易制成絲狀、或蒸發(fā)材料與絲狀蒸發(fā)源的表面張力較小時，可采用舟狀蒸發(fā)源。 五、薄膜厚度的計算：在真空中氣體分子的平均自由程為：L = 0.65 / p (cm)，其中p的單位是Pa。當p = 1.310-3Pa時，L500 cm。L基片到蒸發(fā)源的距離，分子作直線運動。右圖為蒸發(fā)源與任意接收面之間的幾何關系。 dmdm 4 dsrmdm 2cos4 dstdm . 24cosrmt 24cosrmt ,cos rh 222 hr 2/322 )(4 hmht 20 14 hmt 0 2t 待測薄膜基片nmm 53053.0 Amt 謝謝