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1、P1 硅中的點缺陷、線缺陷的種類；硅中雜質(zhì)的類型；雜質(zhì)的固溶度；第1章 單晶硅特點 P2 多晶硅的制備過程；單晶硅的制備方法（3種）；直拉法制備單晶硅的設備、原理、特點；分凝現(xiàn)象、分凝系數(shù)；硅錠的摻雜方法（3種），以及液相摻雜的計算；第2章 硅片的制備 P3 外延的概念、分類（工藝、材料、溫度、電阻率、結(jié)構(gòu)）；硅氣相外延的兩個過程以及基本原理；外延摻雜的兩種效應：自摻雜、互擴散；第3章 外延 P4 二氧化硅的用途；二氧化硅掩蔽的條件；熱氧化的分類及其特點；硅的熱氧化模型以及氧化層生長的兩個階段、計算氧化層厚度；熱氧化中雜質(zhì)的分凝效應；氧化層厚度的測量方法；氧化層中的電荷類型；第4章 熱氧化 P
2、5 擴散機理：三種擴散機構(gòu)；菲克第一、第二定律，擴散系數(shù)；兩種擴散方式以及雜質(zhì)的分布函數(shù)，會計算結(jié)深；兩步擴散工藝原理；結(jié)深的測量方法；第5章 擴散 P6 離子注入的基本原理、幾個概念（射程、投影射程等）；離子注入的兩種能量損失機制（LSS理論）；核阻止和電子阻止與注入離子能量的關(guān)系；離子注入的縱向分布函數(shù)；離子注入的溝道效應，減小溝道效應的方法；退火的概念、工藝、目的；列舉離子注入的幾個應用；第6章 離子注入 P7 CVD的概念；多晶硅薄膜淀積的基本步驟以及兩個過程；溫度對薄膜淀積速率的影響；薄膜的臺階覆蓋特性；低壓化學氣相淀積的氣缺現(xiàn)象以及解決方法；CVD二氧化硅中磷的作用；鎢的主要用途，
3、覆蓋淀積鎢的工藝流程；TiN的主要用途；第7章 化學氣相淀積 P8 PVD的概念；真空蒸鍍概念、基本過程；蒸汽壓、平衡蒸汽壓、蒸發(fā)溫度、成核、成膜的概念；濺射的概念、基本過程；濺射率概念；濺射與蒸鍍薄膜質(zhì)量的比較；改善濺射薄膜的保形覆蓋特性的方法；鋁的“尖楔”現(xiàn)象，解決方法；第8章 物理氣相淀積 P9 光刻、分辨率、焦深的概念；基本光刻工藝流程及其目的；第9章 光刻工藝 P10 光刻膠及其組成、分類；正膠和負膠的特點；幾種光學分辨率增強技術(shù)；幾種光刻機接觸式光刻機、接近式光刻機、掃描投影光刻機、分布重復投影光刻機、步進掃描投影光刻機的原理、特點；第10章 光刻技術(shù) P11 刻蝕技術(shù)的概念，對刻蝕技術(shù)的要求；濕法刻蝕的概念、特點；干法刻蝕的概念、特點；刻蝕的選擇比；刻蝕的終點檢測方法；第11章 刻蝕技術(shù) P12 歐姆接觸；鋁的電遷移現(xiàn)象，以及減小方法；化學機械拋光（CMP）；銅的鑲嵌工藝（雙大馬士革工藝）；局部氧化工藝、淺槽隔離工藝；鳥嘴現(xiàn)象；曲折電阻的計算；簡化的雙阱CMOS工藝流程及剖面圖；簡化是雙極型npn工藝流程及剖面圖；第12章 工藝集成
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