半導(dǎo)體FAB里基本的常識(shí)簡(jiǎn)介

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1、半導(dǎo)體FAB里基本的 常識(shí)簡(jiǎn)介精選文檔 TTMS system office room [TTMS16H-TTMS2A-TTMS8Q8- CVD 晶圓制造廠非常昂貴的原因之一，是需要一個(gè)無(wú)塵室，為何需要無(wú)塵室 答：由于微小的粒子就能引起電子組件與電路的缺陷 何謂半導(dǎo)體？ 答：半導(dǎo)體材料的電傳特性介于良導(dǎo)體如金屬(銅、鋁，以及鋁等)和絕緣和橡 膠、塑料與干木頭之間。最常用的半導(dǎo)體材料是硅及錯(cuò)。半導(dǎo)體最重要的性質(zhì)之一 就是能夠藉由一種叫做摻雜的步驟刻意加入某種雜質(zhì)并應(yīng)用電場(chǎng)來(lái)控制其之導(dǎo)電 性。 常用的半導(dǎo)體材料為何 答:硅(Si)、褚(Ge)和碑化家(AsGa) 何謂VLSI

2、 答：VLSI (Very Large Scale Integration)超大規(guī)模集成電路 在半導(dǎo)體工業(yè)中，作為絕緣層材料通常稱什幺 答：介電質(zhì)(Dielectric) 薄膜區(qū)機(jī)臺(tái)主要的功能為何 答：沉積介電質(zhì)層及金屬層 何謂 CVD (Chemical Vapor Dep.) 答：CVD是一種利用氣態(tài)的化學(xué)源材料在晶圓表面產(chǎn)生化學(xué)沉積的制程 CVD分那兒種？ 答：PE-CVD (電漿增強(qiáng)型)及Thermal-CVD (熱耦式) 為什幺要用鋁銅(AICu)合金作導(dǎo)線？ 答：良好的導(dǎo)體僅次于銅 介電材料的作用為何？ 答：做為金屬層之間的隔離 何謂 PMD(Pre-Me

3、tal Dielectric) 答：稱為金屬沉積前的介電質(zhì)層，其界于多晶硅與第一個(gè)金屬層的介電質(zhì) 何謂 IMD(Inter-Metal Dielectric) 答：金屬層間介電質(zhì)層。 何謂USG? 答：未摻雜的硅玻璃(Undoped Silicate Glass) 何謂FSG? 答：摻雜氟的硅玻璃(Fluorinated Silicate Glass) 何謂BPSG? 答：摻雜硼磷的硅玻璃(Borophosphosilicate glass) 何謂TEOS? 答：Tetraethoxysilane用途為沉積二氧化硅 TEOS在常溫時(shí)是以何種形態(tài)存在？ 答：液體 二氧

4、化硅其K值為表示何義 答：表示二氧化硅的介電質(zhì)常數(shù)為真空的倍 氟在CVD的工藝上，有何應(yīng)用 答：作為清潔反應(yīng)室(Chamber)用之化學(xué)氣體 簡(jiǎn)述Endpoint detector之作用原理. 答：clean制程時(shí),利用生成物或反應(yīng)物濃度的變化,因其特定波長(zhǎng)光線被 detector偵測(cè)到強(qiáng)度變強(qiáng)或變?nèi)?，?dāng)超過(guò)某一設(shè)定強(qiáng)度時(shí)，即定義制程結(jié)束而該點(diǎn) 為 endpoint. 機(jī)臺(tái)使用的管件材料主要有那些？ 答:有不銹鋼制(Stainless Steal),黃銅制(Brass),塑膠制(PVC),特氟隆制 (Teflon)四種. 機(jī)潛維修時(shí)要放置停機(jī)維修告示牌目的為何? 答：告知所有

5、的人勿操作機(jī)臺(tái)，避免危險(xiǎn) 機(jī)臺(tái)維修至少兩人配合，有何目的？ 答：幫忙拆卸重物，并隨時(shí)警戒可能的意外發(fā)生 更換過(guò)任何氣體管路上的零件之后，一定要做何動(dòng)作？ 答：用氮?dú)鉁y(cè)漏機(jī)來(lái)做測(cè)漏 維修尚未降至室溫之反應(yīng)室(Chamber),應(yīng)配帶何種手套 答：石棉材質(zhì)之防熱手套并宜在80攝式度下始可動(dòng)作 何為真空(Vacuum)半導(dǎo)體業(yè)常用真空單位是什幺 答：半導(dǎo)體業(yè)通常用Torr作為真空的壓力單位,一大氣壓相當(dāng)760Torr,低于 760Torr壓力的環(huán)境稱為真空. 真空Pump的作用？ 答：降低反應(yīng)室(Chamber)內(nèi)的氣體密度和壓力 何謂內(nèi)部連鎖(Interlock) 答：機(jī)臺(tái)

6、上interlock有些屬于保護(hù)操作人員的安全，有些屬于水電氣等規(guī)格 訊號(hào)，用以保護(hù)機(jī)臺(tái). 機(jī)臺(tái)設(shè)定許多interlock有何作用？ 答：機(jī)臺(tái)上interlock主要避免人員操作錯(cuò)誤及防止不相關(guān)人員動(dòng)作. Wafer Scrubber的功能為何？ 答：移除芯片表面的污染粒子 ETCH 何謂蝕刻(Etch) 答：將形成在晶圓表面上的薄膜全部，或特定處所去除至必要厚度的制程。 蝕刻種類(lèi)： 答：(1)干蝕刻(2)濕蝕刻 蝕刻對(duì)象依薄膜種類(lèi)可分為： 答：poly, oxide, metal 半導(dǎo)體中一般金屬導(dǎo)線材質(zhì)為何? 答：第線(W)/鋁線(Al)/銅線(Cu) 何謂di

7、electric蝕刻(介電質(zhì)蝕刻) 答：Oxide etch and nitride etch 半導(dǎo)體中一般介電質(zhì)材質(zhì)為何？ 答：氧化硅/氮化硅 何謂濕式蝕刻 答：利用液相的酸液或溶劑;將不要的薄膜去除 何謂電漿Plasma? 答：電漿是物質(zhì)的第四狀態(tài).帶有正,負(fù)電荷及中性粒子之總和;其中包含電子, 正離子，負(fù)離子，中性分子,活性基及發(fā)散光子等，產(chǎn)生電漿的方法可使用高溫或高電 壓. 何謂干式蝕刻？ 答：利用plasma將不要的薄膜去除 何謂Under-etching (蝕刻不足) 答：系指被蝕刻材料，在被蝕刻途中停止造成應(yīng)被去除的薄膜仍有殘留 何謂Over-etchin

8、g (過(guò)蝕刻) 答：蝕刻過(guò)多造成底層被破壞 何謂Etch rate (蝕刻速率) 答：?jiǎn)挝粫r(shí)間內(nèi)可去除的蝕刻材料厚度或深度 何謂Seasoning (陳化處理) 答：是在蝕刻室的清凈或更換零件后，為要穩(wěn)定制程條件，使用仿真 (dummy)晶圓進(jìn)行數(shù)次的蝕刻循環(huán)。 Asher的主要用途： 答：光阻去除 Wet bench dryer 功用為何？ 答：將晶圓表面的水份去除 列舉目前Wet bench dry方法: 答：(1) Spin Dryer (2) Marangoni dry (3) I PA Vapor Dry 何謂 Spin Dryer 答：利用離心力將晶圓表

9、面的水份去除 何謂 Maragoni Dryer 答：利用表面張力將晶圓表面的水份去除 何謂 IPA Vapor Dryer 答：利用IPA（異丙醇）和水共溶原理將晶圓表面的水份去除 測(cè)Particle時(shí)，使用何種測(cè)量?jī)x器？ 答：Tencor Surfscan 測(cè)蝕刻速率時(shí)，使用何者量測(cè)儀潛？ 答：膜厚計(jì)，測(cè)量膜厚差值 何謂AEI 答：After Etching Inspection 蝕刻后的檢查 AEI目檢Wafer須檢查哪些項(xiàng)目： 答：（1）正面顏色是否異常及刮傷（2）有無(wú)缺角及Particle （3）刻號(hào)是否正 金屬蝕刻機(jī)臺(tái)轉(zhuǎn)非金屬蝕刻機(jī)臺(tái)時(shí)應(yīng)如何處理？ 答：

10、清機(jī)防止金屬污染問(wèn)題 金屬蝕刻機(jī)臺(tái)Asher的功用為何? 答：去光阻及防止腐蝕 金屬蝕刻后為何不可使用一般硫酸槽進(jìn)行清洗？ 答：因?yàn)榻饘倬€會(huì)溶于硫酸中 ，zHot Plate〃機(jī)臺(tái)是什幺用途？ 答：烘烤 Hot Plate烘烤溫度為何？ 答:90~120 度 C 何種氣體為Poly ETCH主要使用氣體？ 答：C12, HBr, HC1 用于Al金屬蝕刻的主要?dú)怏w為 答：C12, BC13 用于W金屬蝕刻的主要?dú)怏w為 答：SF6 何種氣體為oxide vai/contact ETCH主要使用氣體? 答：C4F8, C5F8, C4F6 硫酸槽的化學(xué)成份為:

11、答：H2S04/H202 AMP槽的化學(xué)成份為： 答：NH40H/H202/H20 UV curing是什幺用途? 答：利用UV光對(duì)光阻進(jìn)行預(yù)處理以加強(qiáng)光阻的強(qiáng)度 “UV curing”用于何種層次？ 答：金屬層 何謂EMO? 答：機(jī)臺(tái)緊急開(kāi)關(guān) EMO作用為何？ 答：當(dāng)機(jī)臺(tái)有危險(xiǎn)發(fā)生之顧慮或已不可控制，可緊急按下 濕式蝕刻門(mén)上貼有那些警示標(biāo)示？ 答：（D警告.內(nèi)部有嚴(yán)重危險(xiǎn).嚴(yán)禁打開(kāi)此門(mén)（2）機(jī)械手臂危險(xiǎn).嚴(yán)禁打開(kāi) 此門(mén)（3）化學(xué)藥劑危險(xiǎn).嚴(yán)禁打開(kāi)此門(mén) 遇化學(xué)溶液泄漏時(shí)應(yīng)如何處置 答：嚴(yán)禁以手去測(cè)試漏出之液體.應(yīng)以酸堿試紙測(cè)試.并尋找泄漏管路. 遇IPA槽著火時(shí)

12、應(yīng)如何處置? 答：立即關(guān)閉IPA輸送管路并以機(jī)臺(tái)之滅火器滅火及通知緊急應(yīng)變小組 BOE槽之主成份為何？ 答：HF (氫氟酸)與NH4F (氟化鉉). BOE為那三個(gè)英文字縮寫(xiě) 答：Buffered Oxide Etcher 。 有毒氣體之閥柜(VMB)功用為何？ 答：當(dāng)有毒氣體外泄時(shí)可利用抽氣裝置抽走,并防止有毒氣體漏出 電漿的頻率一般MHz,為何不用其它頻率？ 答：為避免影響通訊品質(zhì)，目前只開(kāi)放特定頻率，作為產(chǎn)生電漿之用，如 380~420KHz ,,等 何謂 ESC (electrical static chuck) 答：利用靜電吸附的原理，將Wafer固定在極板(S

13、ubstrate)上 Asher主要?dú)怏w為 答：02 Asher機(jī)臺(tái)進(jìn)行蝕刻最關(guān)鍵之參數(shù)為何? 答：溫度 簡(jiǎn)述TURBO PUMP原理 答：利用渦輪原理,可將壓力抽至10-6T0RR 熱交換涔(HEAT EXCHANGER)之功用為何？ 答：將熱能經(jīng)由介媒傳輸，以達(dá)到溫度控制之目地 簡(jiǎn)述 BACKSIDE HELIUM COOLING 之原理？ 答：藉由氮?dú)庵己弥疅醾鲗?dǎo)特性,能將芯片上之溫度均勻化 ORIENTER之用途為何？ 答：搜尋notch邊，使芯片進(jìn)反應(yīng)腔的位置都固定，可追蹤問(wèn)題 簡(jiǎn)述EPD之功用 答：偵測(cè)蝕刻終點(diǎn);End point detector利用

14、波長(zhǎng)偵測(cè)蝕刻終點(diǎn) 何謂MFC? 答：mass flow controler氣體流量控制器;用于控制 反應(yīng)氣體的流量 GDP為何？ 答：氣體分配盤(pán)(gas distribution plate) GDP有何作用？ 答：均勻地將氣體分布于芯片上方 何謂 isotropic etch? 答：等向性蝕刻;側(cè)壁側(cè)向蝕刻的機(jī)率均等 何謂 anisotropic etch? 答：非等向性蝕刻;側(cè)壁側(cè)向蝕刻的機(jī)率少 何謂etch選擇比？ 答：不同材質(zhì)之蝕刻率比值 何謂AEI CD? 答：蝕刻后特定圖形尺寸之大小，特征尺寸(Critical Dimension) 何謂 CD bia

15、s? 答：蝕刻CD減蝕刻前黃光CD 簡(jiǎn)述何謂田口式實(shí)驗(yàn)計(jì)劃法？ 答：利用混合變因安排輔以統(tǒng)計(jì)歸納分析 何謂反射功率? 答：蝕刻過(guò)程中，所施予之功率并不會(huì)完全地被反應(yīng)腔內(nèi)接收端所接受，會(huì)有部 份值反射掉,此反射之量,稱為反射功率 Load Lock之功能為何？ 答：Wafers經(jīng)由loadlock后再進(jìn)出反應(yīng)腔，確保反應(yīng)腔維持在真空下不受粉 塵及濕度的影響. 廠務(wù)供氣系統(tǒng)中何謂Bulk Gas 答：Bulk Gas為大氣中普遍存在之制程氣體，如N2, 02, Ar等. 廠務(wù)供氣系統(tǒng)中何謂Inert Gas? 答：Inert Gas為一些特殊無(wú)強(qiáng)烈毒性的氣體，如NH3, CF

16、4, CHF3, SF6等. 廠務(wù)供氣系統(tǒng)中何謂Toxic Gas 答：Toxic Gas為具有強(qiáng)烈危害人體的毒性氣體，如SiH4, C12, BC13等. 機(jī)臺(tái)維修時(shí),異常告示排及機(jī)臺(tái)控制權(quán)應(yīng)如何處理？ 答：將告示牌切至異常且將機(jī)臺(tái)控制權(quán)移至維修區(qū)以防有人誤動(dòng)作 冷卻器的冷卻液為何功用 答：傳導(dǎo)熱 Etch之廢氣有經(jīng)何種方式處理 答：利用水循環(huán)將廢氣溶解之后排放至廢酸槽 何謂RPM? 答：即Remote Power Module,系統(tǒng)總電源箱. 火災(zāi)異常處理程序 答：⑴立即警告周?chē)藛T.（2）嘗試3秒鐘滅火.（3）按下EM0停止機(jī)臺(tái). （4）關(guān)閉VMB Valve并通

17、知廠務(wù).（5）撤離. 一氧化碳（CO）偵測(cè)器警報(bào)異常處理程序 答：（1）警告周?chē)藛T.（2）按Pause鍵，暫止Run貨.（3）立即關(guān)閉VMB 閥,并通知廠務(wù).⑷進(jìn)行測(cè)漏. 高壓電擊異常處理程序 答：（1）確認(rèn)安全無(wú)慮下，按EMO鍵（2）確認(rèn)受傷原因（誤觸電源,漏水等）（3） 處理受傷人員 T/C （傳送Transfer Chamber）之功能為何 答：提供一個(gè)真空環(huán)境，以利機(jī)器手臂在反應(yīng)腔與晶舟間傳送Wafer,節(jié)省時(shí) 間. 機(jī)臺(tái)PM時(shí)需佩帶面具否 答：是，防毒面具 機(jī)臺(tái)停滯時(shí)間過(guò)久run貨前需做何動(dòng)作 答：Seasoning (陳化處理) 何謂日常測(cè)機(jī) 答：機(jī)臺(tái)日常

18、檢點(diǎn)項(xiàng)目，以確認(rèn)機(jī)臺(tái)狀況正常 何謂 WAC (Waferless Auto Clean) 答：無(wú)wafer自動(dòng)干蝕刻清機(jī) 何謂 Dry Clean 答：干蝕刻清機(jī) H常測(cè)機(jī)量測(cè)etch rate之目的何在？ 答：因?yàn)橐g刻到多少厚度的film,其中一個(gè)重要參數(shù)就是蝕刻率 操作酸堿溶液時(shí),應(yīng)如何做好安全措施? 答：(1)穿戴防酸堿手套圍裙安全眼鏡或護(hù)目鏡(2)操作區(qū)備有清水與水管以 備不時(shí)之需(3)操作區(qū)備有吸酸棉及隔離帶 如何讓chamber達(dá)到設(shè)定的溫度？ 答：使用 heater 和 chiller Chiller之功能為何？ 答：用以幫助穩(wěn)定chamber溫度 如

19、何在chamber建立真空？ 答：(1)首先確立chamber parts組裝完整(2)以dry pump作第一階段的真 空建立(3)當(dāng)E力到達(dá)lOOmTD寺再以turbo pump抽真空至ImT以下 真空計(jì)的功能為何？ 答：偵測(cè)chamber的壓力，確保wafer在一定的壓力下process Transfer module 之 robot 功用為何？ 答：將wafer傳進(jìn)chamber與傳出chamber之用 何謂MTBC (mean time between clean) 答：上一次wet clean到這次wet clean所經(jīng)過(guò)的時(shí)間 RF Generator是否需要定

20、期檢驗(yàn)？ 答：是需要定期校驗(yàn);若未校正功率有可能會(huì)變化;如此將影響電漿的組成 為何需要對(duì)etch chamber溫度做監(jiān)控？ 答：因?yàn)闇囟葧?huì)影響制程條件；如etching rate/均勻度 為何需要注意dry pump exhaust presure (pump出口端的氣壓) 答：因?yàn)闅鈮喝籼髸?huì)造成pump負(fù)荷過(guò)大;造成pump跳掉，影響chamber的 壓力，直接影響到run貨品質(zhì) 為何要做漏率測(cè)試 (Leak rate ) 答:(1)在PM后PUMP Down 1~2小時(shí)后；為確保chamber Run貨時(shí),無(wú)大氣 進(jìn)入chamble影響chamber GAS成份(2)在

21、口常測(cè)試時(shí)，為確保chamber內(nèi)來(lái)自 大氣的泄漏源,故需測(cè)漏 機(jī)臺(tái)發(fā)生Alarm時(shí)應(yīng)如何處理？ 答：(1)若為火警，立即BE下EMO(緊急按鈕)，并滅火且通知相關(guān)人員與主管⑵ 若是一般異常,請(qǐng)先檢查alarm訊息再判定異常原因,進(jìn)而解決問(wèn)題,若未能處理應(yīng) 立即通知主要負(fù)責(zé)人 蝕刻機(jī)臺(tái)廢氣排放分為那兒類(lèi)? 答：一般無(wú)毒性廢氣/有毒酸性廢氣排放 蝕刻機(jī)臺(tái)使用的電源為多少伏特(V) 答：208V三相 干式蝕刻機(jī)臺(tái)分為那幾個(gè)部份？ 答：(1) Load/Unload 端 (2) transfer module (3) Chamber process module (4)真空系統(tǒng)(5)

22、 GAS system (6) RF system PHOTO PHOTO流程？ 答：上光阻一曝光一顯影一顯影彳爰檢查一CD量測(cè)一Overlay量測(cè) 何為光阻其功能為何其分為哪兩種 答：Photoresist (光阻).是一種感光的物質(zhì)，其作用是將Pattern從光罩 (Reticle)上傳遞到Wafer上的一種介質(zhì)。其分為正光阻和負(fù)光阻。 何為正光阻？ 答：正光阻，是光阻的一種，這種光阻的特性是將其曝光之后，感光部分的性 質(zhì)會(huì)改變，并在之后的顯影過(guò)程中被曝光的部分被去除。 何為負(fù)光阻? 答：負(fù)光阻也是光阻的一種類(lèi)型，將其曝光之后，感光部分的性質(zhì)被改變，但 是這種光阻的特性與

23、正光阻的特性剛好相反，其感光部分在將來(lái)的顯影過(guò)程中會(huì)被 留下，而沒(méi)有被感光的部分則被顯影過(guò)程去除。 什幺是曝光什幺是顯影 答：曝光就是通過(guò)光照射光阻，使其感光；顯影就是將曝光完成后的圖形處 理，以將圖形清晰的顯現(xiàn)出來(lái)的過(guò)程。 何謂Photo? 答：Phot。=Photolithgraphy,光刻，將圖形從光罩上成象到光阻上的過(guò)程。 Photo主要流程為何？ 答：Photo的流程分為前處理，上光阻，Soft Bake,曝光，PEB,顯影，Hard Bake 等。 何謂PHOTO區(qū)之前處理？ 答：在Wafer上涂布光阻之前，需要先對(duì)Wafer表面進(jìn)行一系列的處理工作， 以使光阻能在

24、后面的涂布過(guò)程中能夠被更可靠的涂布。前處理主要包括Bake, HDMS等過(guò)程。其中通過(guò)Bake將Wafer表面吸收的水分去除，然后進(jìn)行HDMS工 作，以使Wafer表面更容易與光阻結(jié)合。 何謂上光阻？ 答：上光阻是為了在Wafer表面得到厚度均勻的光阻薄膜。光阻通過(guò)噴嘴 (Nozzle)被噴涂在高速旋轉(zhuǎn)的Wafer表面，并在離心力的作用下被均勻的涂布在 Wafer的表面。 何謂 Soft Bake? 答：上完光阻之后，要進(jìn)行Soft Bake,其主要目的是通過(guò)Soft Bake將光阻 中的溶劑蒸發(fā)，并控制光阻的敏感度和將來(lái)的線寬，同時(shí)也將光阻中的殘余內(nèi)應(yīng)力 釋放。 何謂曝光？ 答

25、：曝光是將涂布在Wafer表面的光阻感光的過(guò)程，同時(shí)將光罩上的圖形傳遞 到Wafer上的過(guò)程。 何謂 PEB(Post Exposure Bake) 答：PEB是在曝光結(jié)束后對(duì)光阻進(jìn)行控制精密的Bake的過(guò)程。其目的在于使 被曝光的光阻進(jìn)行充分的化學(xué)反應(yīng)，以使被曝光的圖形均勻化。 何謂顯影? 答：顯影類(lèi)似于洗照片，是將曝光完成的Wafer進(jìn)行成象的過(guò)程，通過(guò)這個(gè)過(guò) 程，成象在光阻上的圖形被顯現(xiàn)出來(lái)。 何謂 Hard Bake? 答：Hard Bake是通過(guò)烘烤使顯影完成后殘留在Wafer上的顯影液蒸發(fā)，并且 固化顯影完成之后的光阻的圖形的過(guò)程。 何為BARC何為T(mén)ARC它們分別的

26、作用是什幺 答：BARC=Bottom Anti Reflective Coating, TARC=Top Anti Reflective Coating. BARC是被涂布在光阻下面的一層減少光的反射的物質(zhì)，TARC則是被涂布 在光阻上表面的一層減少光的反射的物質(zhì)。他們的作用分別是減少曝光過(guò)程中光在 光阻的上下表面的反射，以使曝光的大部分能量都被光阻吸收。 何謂 I-line? 答：曝光過(guò)程中用到的光，由Mercury Lamp （汞燈）產(chǎn)生，其波長(zhǎng)為365nm,其 波長(zhǎng)較長(zhǎng)，因此曝光完成后圖形的分辨率較差，可應(yīng)用在次重要的層次。 何謂DUV? 答：曝光過(guò)程中用到的光，其波長(zhǎng)為24

27、8nm,其波長(zhǎng)較短，因此曝光完成后的 圖形分辨率較好，用于較為重要的制程中。 I-line與DUV主要不同處為何? 答：光源不同，波長(zhǎng)不同，因此應(yīng)用的場(chǎng)合也不同?！窵ine主要用在較落后 的制程（微米以上）或者較先進(jìn)制程（微米以下）的Non-Critical layero DUV則 用在先進(jìn)制程的Critical layer _to 何為 Exposure Field? 答：曝光區(qū)域，一次曝光所能覆蓋的區(qū)域 何謂Stepper其功能為何 答：一種曝光機(jī)，其曝光動(dòng)作為Step by step形式，一次曝整個(gè)exposure field, 一個(gè)一個(gè)曝過(guò)去 何謂Scanner其功能為何

28、 答：一種曝光機(jī)，其曝光動(dòng)作為Scanning and step形式，在一個(gè)exposure field曝光時(shí)，先Scan完整個(gè)field, Scan完彳爰再移到下一個(gè)field. 何為象差？ 答：代表透鏡成象的能力,越小越好. Scanner比Stepper優(yōu)點(diǎn)為何？ 答：Exposure Field大，象差較小 曝光最重要的兩個(gè)參數(shù)是什幺？ 答：Energy(曝光量),Focus(焦距)。如果能量和焦距調(diào)整的不好,就不能得 到要求的分辨率和要求大小的圖形，主要表現(xiàn)在圖形的CD值超出要求的范圍。因 此要求在生產(chǎn)時(shí)要時(shí)刻維持最佳的能量和焦距，這兩個(gè)參數(shù)對(duì)于不同的產(chǎn)品會(huì)有不 同。

29、 何為 Reticle? 答：Reticle也稱為Mask,翻譯做光掩模板或者光罩，曝光過(guò)程中的原始圖形 的載體，通過(guò)曝光過(guò)程，這些圖形的信息將被傳遞到芯片上。 何為 Pellicle? 答:Pellicle是Reticle上為了防止灰塵(dust)或者微塵粒子(Particle)落 在光罩的圖形面上的一層保護(hù)膜。 何為0PC光罩？ 答：OPC (Optical Proximity Correction)為了增加曝光圖案的真實(shí)性，做了 一些修正的光罩,例如，微米以下的Poly, Metal layer就是OPC光罩。 何為PSM光罩？ 答：PSM (Phase Shift Mas

30、k)不同于Cr mask,利用相位干涉原理成象，目前 大都應(yīng)用在 contact layer 以及較小 CD 的 Critical layer (如 AA, POLY, METAL 1)以增加圖形的分辨率。 何為 CR Mask? 答:傳統(tǒng)的鋁膜光罩，只是利用光訊0與1干涉成像,主要應(yīng)用在較不 Critical 的 layer 光罩編號(hào)各位代碼都代表什幺？ 答：例如 003700T56AA-1DA, 0037 代表產(chǎn)品號(hào)，00 代表 Special code, 156 代表layer, A代表客戶版本，后一，個(gè)A代表SMIC版本，1代表FAB1, D代表 DUV（如果是J,則代表bli

31、ne）,A代表ASML機(jī)臺(tái)（如果是C,則代表Canon機(jī)臺(tái)） 光罩室同時(shí)不能超過(guò)多少人在其中？ 答：2人，為了避免產(chǎn)生更多的Particle和靜電而損壞光罩。 存取光罩的基本原則是什幺？ 答：（1）光罩盒打開(kāi)的情況下，不準(zhǔn)進(jìn)出Mask Room,最多只準(zhǔn)保持2個(gè)人（2） 戴上手套（3）輕拿輕放 如何避免靜電破壞Mask? 答：光罩夾子上連一導(dǎo)線到金屬桌面，可以將產(chǎn)生的靜電導(dǎo)出。 光罩POD和F0UP能放在一起嗎它們之間至少應(yīng)該保持多遠(yuǎn)距離 答：不能放在一起，之間至少要有30公分的距離，防止搬動(dòng)FOUP時(shí)碰撞光罩 Pod而損壞光罩。 何謂Track? 答：Phot。制程中一系

32、列步驟的組合，其包括：Wafer的前、后處理， Coating （上光阻），和Develop （顯影）等過(guò)程。 In-line Track 機(jī)臺(tái)有幾個(gè) Coater 槽，幾個(gè) Developer 槽? 答：均為4個(gè) 機(jī)臺(tái)上亮紅燈的處理流程？ 答：機(jī)臺(tái)上紅燈亮起的時(shí)候表明機(jī)臺(tái)處于異常狀態(tài)，此時(shí)已經(jīng)不能RUN貨，因 此應(yīng)該及時(shí)Call進(jìn)行處理。若EE現(xiàn)在無(wú)法立即解決，則將機(jī)臺(tái)掛DOWN。 何謂WEE其功能為何 答：Wafer Edge Exposureo由于Wafer邊緣的光阻通常會(huì)涂布的不均勻，因 此一般不能得到較好的圖形，而且有時(shí)還會(huì)因此造成光阻peeling而影響其它部分 的圖形

33、，因此將Wafer Edge的光阻曝光，進(jìn)而在顯影的時(shí)候?qū)⑵淙コ?，這樣便可 以消除影響。 何為PEB其功能為何 答：Post Exposure Bake,其功能在于可以得到質(zhì)量較好的圖形。（消除 standing waves） PHOTO POLY IMIDE所用的光阻是正光阻還是負(fù)光阻 答：目前正負(fù)光阻都有，SMIC FAB內(nèi)用的為負(fù)光阻。 RUN貨結(jié)束后如何判斷是否有wafer被reject? 答：查看RUN之前l(fā)ot里有多少Wafer,再看Run之后lot里的WAFER是否有 少掉，如果有少，則進(jìn)一步查看機(jī)臺(tái)是否有Reject記錄。 何謂Overlay其功能為何 答：迭對(duì)

34、測(cè)量?jī)x。由于集成電路是由很多層電路重迭組成的，因此必須保證每 一層與前面或者后面的層的對(duì)準(zhǔn)精度，如果對(duì)準(zhǔn)精度超出要求范圍內(nèi)，則可能造成 整個(gè)電路不能完成設(shè)計(jì)的工作。因此在每一層的制作的過(guò)程中，要對(duì)其與前層的對(duì) 準(zhǔn)精度進(jìn)行測(cè)量，如果測(cè)量值超出要求，則必須采取相應(yīng)措施調(diào)整process condition. 何謂ADI CD? 答：Critical Dimension,光罩圖案中最小的線寬。曝光過(guò)后，它的圖形也被 復(fù)制在Wafer上，通常如果這些最小的線寬能夠成功的成象，同時(shí)曝光的其它的圖 形也能夠成功的成象。因此通常測(cè)量CD的值來(lái)確定process的條件是否合適。 何謂CD-SEM其功能為

35、何 答：掃描電子顯微鏡。是一種測(cè)量用的儀器，通?？梢杂糜跍y(cè)量CD以及觀察 圖案。 PRS的制程目的為何? 答：PRS (Process Release Standard)通過(guò)選擇不同的條件(能量和焦距)對(duì) Wafer曝光，以選擇最佳的process condition。 何為ADI ADI需檢查的項(xiàng)目有哪些 答：After Develop Inspection,曝光和顯影完成之后，通過(guò)ADI機(jī)臺(tái)對(duì)所產(chǎn) 生的圖形的定性檢查，看其是否正常，其檢查項(xiàng)目包括：Layer ID, Locking Corner, Vernier, Photo Macro Defect 何為 00C, 00S,

36、 OCAP? 答：00C=out of control, 00S=0ut of Spec,0CAP=out of control action plan 當(dāng)需要追貨的時(shí)候，是否需要將ETCH沒(méi)有下機(jī)臺(tái)的貨追回來(lái)？ 答：需要。因?yàn)橥ǔＪ莗rocess出現(xiàn)了異常，而且影響到了一些貨，因此為了 減少損失，必須把還沒(méi)有ETCH的貨追回來(lái)，否則ETCH之后就無(wú)法挽回?fù)p失。 PHOTO ADI檢查的SITE是每片兒個(gè)點(diǎn)？ 答：5點(diǎn)，Wafer中間一點(diǎn)，周?chē)狞c(diǎn)。 PHOTO OVERLAY檢查的SITE是每片兒個(gè)點(diǎn)？ 答：20 PHOTO ADI檢查的片數(shù)一般是哪兒片？ 答：#1, #6

37、, #15, #24;統(tǒng)計(jì)隨機(jī)的考量 何謂RTMS,其主要功能是什幺？ 答：RTMS (Reticle Management System)光罩管理系統(tǒng)用于trace光罩的 History, Status, Location, and Information 以便于光罩管理 PHOTO區(qū)的主機(jī)臺(tái)進(jìn)行PM的周期？ 答：一周一次 PHOTO區(qū)的控片主要有幾種類(lèi)型 答：(1) Particle :作為Particle monitor用的芯片，使用前測(cè)前需小於10 顆⑵Chuck Particle :作為Scanner測(cè)試Chuck平坦度的專用芯片,其平坦度要 求非常高(3) Focus

38、:作為 Scanner Daily monitor best 的 wafer (4) CD :做為 photo區(qū)daily monitor CD穩(wěn)定度的wafer (5) PR thickness :做為光阻厚度測(cè)量 的 wafer (6) PDM :做為 photo defect monitor 的 wafer 當(dāng)TRACK剛顯示光阻用完時(shí)，其實(shí)機(jī)臺(tái)中還有光阻嗎？ 答：有少量光阻 當(dāng)TRACK剛顯示光阻用完時(shí)，其實(shí)機(jī)臺(tái)中還有光阻嗎? 答：有少量光阻 WAFER SORTER有讀WAFER亥I］號(hào)的功能嗎？ 答：有 光刻部的主要機(jī)臺(tái)是什幺它們的作用是什幺 答：光刻部的主要機(jī)臺(tái)是

39、：TRACK（涂膠顯影機(jī)），Sanner（掃描曝光機(jī)） 為什幺說(shuō)光刻技術(shù)最象口常生活中的照相技術(shù) 答：Track把光刻膠涂附到芯片上就等同于底片，而曝光機(jī)就是一臺(tái)最高級(jí)的 照相機(jī).光罩上的電路圖形就是〃人物〃.通過(guò)對(duì)準(zhǔn)，對(duì)焦，打開(kāi)快門(mén)，讓一定量的光 照過(guò)光罩，其圖像呈現(xiàn)在芯片的光刻膠上，曝光后的芯片被送回Track的顯影槽， 被顯影液浸泡，曝光的光刻膠被洗掉，圖形就顯現(xiàn)出來(lái)了. 光刻技術(shù)的英文是什幺 答：Photo Lithography 常聽(tīng)說(shuō)的.18或點(diǎn)13技術(shù)是指什幺？ 答：它是指某個(gè)產(chǎn)品，它的最小〃CD〃的大小為or ,越小集成度可以越高，每 個(gè)芯片上可做的芯片數(shù)量越多，難

40、度也越大.它是代表工藝水平的重要參數(shù). 從點(diǎn)18工藝到點(diǎn)13工藝到點(diǎn)零9.難度在哪里？ 答：難度在光刻部，因?yàn)閳D形越來(lái)越小，曝光機(jī)分辨率有限. 曝光機(jī)的NA是什幺？ 答：NA是曝光機(jī)的透鏡的數(shù)值孔徑;是光罩對(duì)透鏡張開(kāi)的角度的正弦值.最大 是1;先進(jìn)的曝光機(jī)的NA在之間. 曝光機(jī)分辨率是由哪些參數(shù)決定的？ 答：分辨率二kl*Lamda/NA. Lamda是用于曝光的光波長(zhǎng);NA是曝光機(jī)的透鏡的 數(shù)值孔徑；kl是標(biāo)志工藝水準(zhǔn)的參數(shù)，通常在之間. 如何提高曝光機(jī)的分辨率呢？ 答：減短曝光的光波長(zhǎng)，選擇新的光源；把透鏡做大，提高NA. 現(xiàn)在的生產(chǎn)線上，曝光機(jī)的光源有兒種，波長(zhǎng)多少

41、答：有三種：高壓汞燈光譜中的365nm譜線，我們也稱其為-line; KrF激 光器，產(chǎn)生248 nm的光；ArF激光器，產(chǎn)生193 nm的光； 下一代曝光機(jī)光源是什幺？ 答：F2激光器.波長(zhǎng)157nm 我們可否一直把波長(zhǎng)縮短，以提高分辨率困難在哪里 答：不可以.困難在透鏡材料.能透過(guò)157nm的材料是CaF2,其晶體很難生 長(zhǎng).還未發(fā)現(xiàn)能透過(guò)更短波長(zhǎng)的材料. 為什幺光刻區(qū)采用黃光照明？ 答：因?yàn)榘坠庵邪?65nm成份會(huì)使光阻曝光，所以采用黃光；就象洗像的暗 房采用暗紅光照明. 什幺是SEM 答：掃描電子顯微鏡(Scan Electronic Microscope)光刻部常用

42、的也稱道CD SEM.用它來(lái)測(cè)量CD 如何做Overlay測(cè)量呢？ 答：芯片(Waf er)被送進(jìn)Over lay機(jī)臺(tái)中.先確定Waf er的位置從而找到 Overlay MARK.這個(gè)MARK是一個(gè)方塊IN方塊的結(jié)構(gòu).大方塊是前層，小方塊是 當(dāng)層;通過(guò)小方塊是否在大方塊中心來(lái)確定Overlay的好壞. 生產(chǎn)線上最貴的機(jī)器是什幺 答：曝光機(jī);5T5百萬(wàn)美金/臺(tái) 曝光機(jī)貴在哪里？ 答：曝光機(jī)貴在它的光學(xué)成像系統(tǒng)(它的成像系統(tǒng)由15到20個(gè)直徑在200 300MM的透鏡組成.波面相位差只有最好象機(jī)的5比 它有精密的定位系統(tǒng)(使用激 光工作臺(tái)) 激光工作臺(tái)的定位精度有多高？ 答：現(xiàn)用

43、的曝光機(jī)的激光工作臺(tái)定位的重復(fù)精度小于10nm 曝光機(jī)是如何保證0verlay<50nm 答：曝光機(jī)要保證每層的圖形之間對(duì)準(zhǔn)精度<50nm.它首先要有一個(gè)精準(zhǔn)的激 光工作臺(tái)，它把wafer移動(dòng)到準(zhǔn)確的位置.再就是成像系統(tǒng)，它帶來(lái)的圖像變形 <35nm. 在WAFER上，什幺叫一個(gè)Field? 答：光罩上圖形成象在WAFER上，最大只有26X33mm一塊（這一塊就叫一個(gè) Field）,激光工作臺(tái)把WAFER移動(dòng)一個(gè)Field的位置，再曝一次光，再移動(dòng)再曝 光。直到覆蓋整片WAFER。所以，一片WAFER上有約100左右Field. 什幺叫一個(gè)Die? 答：一個(gè)Die也叫一個(gè)Chip;

44、它是一個(gè)功能完整的芯片。一個(gè)Field可包含 多個(gè)Die; 為什幺曝光機(jī)的綽號(hào)是“印鈔機(jī)” 答：曝光機(jī)很貴；一天的折舊有3萬(wàn)-9萬(wàn)人民幣之多；所以必須充份利用它 的產(chǎn)能，它一天可產(chǎn)出1600片WAFERo Track和Scanner內(nèi)主要使用什幺手段傳遞Wafer： 答：機(jī)落人手臂（robot）, Scanner的ROBOT有真空（VACCUM）來(lái)吸住WAFER. TRACK的ROBOT設(shè)計(jì)獨(dú)特，用邊緣HOLD WAFER. 可否用肉眼直接觀察測(cè)量Scanner曝光光源輸出的光 答：絕對(duì)禁止；強(qiáng)光對(duì)眼睛會(huì)有傷害 為什幺黃光區(qū)內(nèi)只有Scanner應(yīng)用Foundation(底座)

45、 答：Scanner曝光對(duì)穩(wěn)定性有極高要求(減震) 近代光刻技術(shù)分哪幾個(gè)階段？ 答：從80 S至今可分4階段:它是由曝光光源波長(zhǎng)劃分的；高壓水銀燈的G- line(438nm), I-line(365nm); excimer laser KrF(248nm), ArF laser(193nm) I-line scanner的工作范圍是多少？ 答：CD ＞以上的圖層(LAYER) KrF scanner的工作范圍是多少？ 答：CD ＞以上的圖層(LAYER) ArF scanner的工作范圍是多少？ 答：CD ＞以上的圖層(LAYER) 什幺是 DUV SCANNER 答：D

46、UV SCANNER是 指所用光源為Deep Ultra Voliet,超紫外線.即現(xiàn)用 的 248nm, 193nm Scanner Scanner在曝光中可以達(dá)到精確度宏觀理解: 答：Scanner是一個(gè)集機(jī)，光，電為一體的高精密機(jī)器；為控制 iverlay〈40nm,在曝光過(guò)程中，光罩和Wafer的運(yùn)動(dòng)要保持很高的同步性.在 250nm/秒的掃描曝光時(shí)，兩者同步位置＜10nm.相當(dāng)于兩架時(shí)速1000公里/小時(shí)的 波音747飛機(jī)前后飛行，相距小于10微米 光罩的結(jié)構(gòu)如何？ 答：光罩是一塊石英玻璃，它的一面鍍有一層銘膜(不透光).在制造光罩 時(shí)，用電子束或激光在銘膜上寫(xiě)上電路圖形(

47、把部分鋁膜刻掉，透光).在距銘膜 5mm的地方覆蓋一極薄的透明膜(叫pellicle),保護(hù)銘膜不受外界污染. 在超凈室(cleanroom)為什幺不能攜帶普通紙 答：普通紙張是由大量短纖維壓制而成，磨擦或撕割都會(huì)產(chǎn)生大量微小塵埃 (particle). 進(jìn) cleanroom 要帶專用的 Cleanroom Paper. 如何做CD測(cè)量呢？ 答：芯片(Wafer)被送進(jìn)CD SEM中.電子束掃過(guò)光阻圖形(Pattern).有光阻 的地方和無(wú)光阻的地方產(chǎn)生的二次電子數(shù)量不同；處理此信號(hào)可的圖像.對(duì)圖像進(jìn) 行測(cè)量得CD. 什幺是DOF 答：DOF也叫Depth Of Focus,與照

48、相中所說(shuō)的景深相似.光罩上圖形會(huì)在 透鏡的另一側(cè)的某個(gè)平面成像，我們稱之為像平面(Image Plan),只有將像平面與 光阻平面重合(In Focus)才能印出清晰圖形.當(dāng)離開(kāi)一段距離后，圖像模糊.這一 可清晰成像的距離叫DOF 曝光顯影后產(chǎn)生的光阻圖形(Pattern)的作用是什幺？ 答：曝光顯影后產(chǎn)生的光阻圖形有兩個(gè)作用：一是作刻蝕的模板，未蓋有光阻 的地方與刻蝕氣體反應(yīng)，被吃掉.去除光阻后，就會(huì)有電路圖形留在芯片上.另一 作用是充當(dāng)例子注入的模板. 光阻種類(lèi)有多少？ 答：光阻種類(lèi)有很多.可根據(jù)它所適用的曝光波長(zhǎng)分為一line光阻,KrF光阻 和ArF光阻 光阻層的厚度大約為

49、多少？ 答：光阻層的厚度與光阻種類(lèi)有關(guān).「line光阻最厚，to 3um. KrF光阻 ArF光阻 哪些因素影響光阻厚度？ 答：光阻厚度與芯片(WAFER)的旋轉(zhuǎn)速度有關(guān)，越快越薄，與光阻粘稠 度有關(guān). 哪些因素影響光阻厚度的均勻度? 答：光阻厚度均勻度與芯片(WAFER)的旋轉(zhuǎn)加速度有關(guān)，越快越均勻， 與旋轉(zhuǎn)加減速的時(shí)間點(diǎn)有關(guān). 當(dāng)顯影液或光阻不慎濺入眼睛中如何處理 答：大量清水沖洗眼睛，并查閱顯影液的C S D S (Chemical Safety Data Sheet ),把它提供給醫(yī)生，以協(xié)助治療 FAC 根據(jù)工藝需求排氣分幾個(gè)系統(tǒng)？ 答：分為一般排氣(Genera

50、l)、酸性排氣(Scrubbers)、堿性排氣 (Ammonia)和有機(jī)排氣(Solvent)四個(gè)系統(tǒng)。 高架地板分有孔和無(wú)孔作用？ 答：使循環(huán)空氣能流通，不起塵，保證潔凈房?jī)?nèi)的潔凈度；防靜電；便于 HOOK-UPo 離子發(fā)射系統(tǒng)作用 答：離子發(fā)射系統(tǒng)，防止靜電 SMIC潔凈等級(jí)區(qū)域劃分 答：Mask Shop class 1 & lOOFabl & Fab2 Photo and process area: Class lOOCu-line Al-Line 0S1 L3 0S1 L4 testing Class 1000 什幺是制程工藝真空系統(tǒng)(PV) 答：是提供廠區(qū)無(wú)塵室生

51、產(chǎn)及測(cè)試機(jī)臺(tái)在制造過(guò)程中所需的工藝真空;如真空 吸筆、光阻液涂布、吸芯片用真空源等。該系統(tǒng)提供一定的真空壓力(真空度大于 80 kpa)和流量，每天24小時(shí)運(yùn)行 什幺是MAU(Make Up Air Unit),新風(fēng)空調(diào)機(jī)組作用 答：提供潔凈室所需之新風(fēng)，對(duì)新風(fēng)濕度，溫度，及潔凈度進(jìn)行控制，維持潔 凈室正壓和濕度要求。 House Vacuum System 作用 答：HV (House Vacuum)系統(tǒng)提供潔凈室制程區(qū)及回風(fēng)區(qū)清潔吸取微塵粒子之真 空源，其真空度較低。使用方法為利用軟管連接事先已安裝在高架地板下或柱子內(nèi) 的真空吸孔，打開(kāi)運(yùn)轉(zhuǎn)電源。此系統(tǒng)之運(yùn)用可減低清潔時(shí)的污染。

52、Filter Fan Unit System(FFU)作用 答：FFU系統(tǒng)保證潔凈室內(nèi)一定的風(fēng)速和潔凈度，由Fan和Filter (ULPA)組 成。 什幺是Clean Room潔凈室系統(tǒng) 答：潔凈室系統(tǒng)供應(yīng)給制程及機(jī)臺(tái)設(shè)備所需之潔凈度、溫度、濕度、正壓、氣 流條件等環(huán)境要求。 Clean room spec：標(biāo)準(zhǔn) 答：Temperature 23 C 1 C (Photo:23 " C C)Humidity 45% 5%(Photo:45% 3% )Class lOOOverpressure +15paAir velocity sis Fab內(nèi)的safety shower

53、的“常維護(hù)及使用監(jiān)督由誰(shuí)來(lái)負(fù)責(zé) 答：Fab內(nèi)的Area Owner (若出現(xiàn)無(wú)水或大量漏水等可請(qǐng)廠務(wù)水課(19105) 協(xié)助) 工程師在正常跑貨用純水做rinse或做機(jī)臺(tái)維護(hù)時(shí)，要注意不能有酸或有機(jī)溶 劑(如IPA等)進(jìn)入純水回收系統(tǒng)中，這是因?yàn)椋? 答：酸會(huì)導(dǎo)致conductivity (導(dǎo)電率)升高，有機(jī)溶劑會(huì)導(dǎo)致TOC升高。兩者 均會(huì)影響并降低純水回收率。 若在Fab內(nèi)發(fā)現(xiàn)地面有水滴或殘留水等，應(yīng)如何處理或通報(bào) 答：先檢查是否為機(jī)臺(tái)漏水或做PM所致，若為廠務(wù)系統(tǒng)則通知廠務(wù)中控室 (12222) 機(jī)臺(tái)若因做PM或其它異常，而要大量排放廢溶劑或廢酸等應(yīng)首先如何通報(bào) 答：通知廠務(wù)主

54、系統(tǒng)水課的值班(19105) 廢水排放管路中酸堿廢水/濃硫酸/廢溶劑等使用何種材質(zhì)的管路 答：酸堿廢水/高密度聚乙烯(HDPE)濃硫酸/鋼管內(nèi)襯鐵福龍(CS-PTFE)廢溶劑/ 不誘鋼管(SUS) 若機(jī)臺(tái)內(nèi)的drain管有接錯(cuò)或排放成分分類(lèi)有誤，將會(huì)導(dǎo)致后端的主系統(tǒng)出現(xiàn) 什幺問(wèn)題？ 答：將會(huì)導(dǎo)致后端處理的主系統(tǒng)相關(guān)指標(biāo)處理不合格，從而可能導(dǎo)致公司排放 口超標(biāo)排放的事故。 公司做水回收的意義如何？ 答：（1）節(jié)約用水，降低成本。重在環(huán)保。（2）符合ISO可持續(xù)發(fā)展的精神 和公司環(huán)境保護(hù)暨安全衛(wèi)生政策。 何種氣體歸類(lèi)為特氣（Specialty Gas） 答：SiH2C12 何種氣

55、體由VMB Stick點(diǎn)供到機(jī)臺(tái)？ 答：H2 何種氣體有自燃性？ 答：SiH4 何種氣體具有腐蝕性？ 答：C1F3 當(dāng)機(jī)臺(tái)用到何種氣體時(shí)，須安裝氣體偵測(cè)器? 答：PH3 名詞解釋GC, VMB, VMP 答：GC- Gas Cabinet 氣瓶柜 VMB- Valve Manifold Box 閥箱，適用于危險(xiǎn) 性氣體。VMP- Valve Manifold Panel閥件盤(pán)面,適用于惰性氣體。 標(biāo)準(zhǔn)大氣環(huán)境中氧氣濃度為多少工作環(huán)靜氧氣濃度低于多少時(shí)人體會(huì)感覺(jué)不適 答：21% 什幺是氣體的LEL H2的LEL為多少 答：LEL- Low Explosive Level

56、 氣體爆炸下限 H2 LEL- 4%. 當(dāng)FAB內(nèi)氣體發(fā)生泄漏二級(jí)警報(bào)（既Leak HiHi）,氣體警報(bào)燈（LAU）會(huì)如 何動(dòng)作FAB內(nèi)工作人員應(yīng)如何應(yīng)變 答：LAU紅、黃燈閃爍、蜂鳴器叫聽(tīng)從ERC廣播命令，立刻疏散。 化學(xué)供應(yīng)系統(tǒng)中的化學(xué)物質(zhì)特性為何？ 答:（1） Acid/Caustic酸性/腐蝕性（2） Solvent有機(jī)溶劑（3） Slurry研磨液 有機(jī)溶劑柜的安用保護(hù)裝置為何？ 答：（1） Gas/Temp. detector;氣體/溫度偵測(cè)器（2） C02 extinguisher;二氧 化碳滅火器 中芯有那幾類(lèi)研磨液（slurry）系統(tǒng)? 答:(1) Oxide

57、 (SiO2) (2) Tungsten (W)金片 設(shè)備機(jī)臺(tái)總電源是幾伏特？ 答：208V OR 380V 欲從事生產(chǎn)/測(cè)試/維護(hù)時(shí)，如無(wú)法就近取得電源供給,可以無(wú)限制使用延長(zhǎng)線嗎? 答：不可以 如何選用電器器材？ 答：使用電器器材需采用通過(guò)認(rèn)證之正規(guī)品牌 機(jī)臺(tái)開(kāi)關(guān)可以任意分/合嗎？ 答：未經(jīng)確認(rèn)不可隨意分/合任何機(jī)臺(tái)開(kāi)關(guān)，以免造成生產(chǎn)損失及人員傷害. 欲從事生產(chǎn)/測(cè)試/維護(hù)時(shí)，如無(wú)法就近取得電源供給,也不能無(wú)限制使用延長(zhǎng)線, 對(duì)嗎？ 答：對(duì) 假設(shè)斷路器啟斷容量為16安培導(dǎo)線線徑，電源供應(yīng)電壓?jiǎn)蜗?20伏特,若使用 單相5000W電器設(shè)備會(huì)產(chǎn)生何種情況？ 答：斷路器跳

58、閘 當(dāng)供電局供電中斷時(shí)，人員仍可安心待在FAB中嗎? 答：當(dāng)供電局供電中斷時(shí),本廠因有緊急發(fā)電機(jī)設(shè)備,配合各相關(guān)監(jiān)視系統(tǒng)，仍 然能保持FAB之Safety,所以人員仍可安心待在FAB中. WET 在半導(dǎo)體程制中，濕制程(wet processing)分那二大米好 答：(1)晶圓洗凈(wafer cleaning) (2)濕蝕刻(wet etching). 晶圓洗凈(wafer cleaning)的設(shè)備有那兒種？ 答：(1) Batch type(immersion type): a) carrier type b)Cassetteless type (2) Single wafe

59、r type (spray type) 晶圓洗凈(wafer cleaning)的目的為何？ 答：去除金屬雜質(zhì)，有機(jī)物污染及微塵. 半導(dǎo)體制程有那些污染源？ 答：(1)微粒子(2)金屬(3)有機(jī)物(4)微粗糙(5)天生的氧化物 RCA清洗制程目的為何？ 答：于微影照像后,去除光阻,清洗晶圓，并做到酸堿中和,使晶圓可進(jìn)行下一個(gè) 制程. 洗凈溶液APM(SC-l)—> NH40H:H202:H20的目的為何？ 答：去除微粒子及有機(jī)物 洗凈溶液SPM—> H2s04:H202:H20的目的為何？ 答：去除有機(jī)物 洗凈溶液 洗M(溶液)一> HCL:溶02:H20的目的為何?

60、答：去除金屬 洗凈溶液DHF—>洗:H溶液：1001：500)的目的為何? 答：去除自然氧化膜及金屬 洗凈溶液FPM—> HF:H202:H20的目的為何？ 答：去除自然氧化膜及金屬 洗凈溶液BHF (BOE) —> HF:NH4F的目的為何？ 答：氧化膜濕式蝕刻 洗凈溶液 熱磷酸一〉H3P04的目的為何？ 答：氮化膜濕式蝕刻 微米邏輯組件有那五種標(biāo)準(zhǔn)清洗方法? 答：(1)擴(kuò)散前清洗(2)蝕刻后清洗(3)植入后清洗(4)沉積前洗清(5) CMP 后清洗 超音波刷洗(ultrasonic scrubbing)目的為何？ 答：去除不溶性的微粒子污染 何謂晶圓盒(POD)清

61、洗？ 答：利用去離子水和界面活性劑(surfactant),除去晶圓盒表面的污染. 高壓噴灑(high pressure spray)或刷洗去微粒子在那些制程之后？ 答：(1)鋸品圓(wafer saw) (2)晶圓磨薄(wafer lapping) (3)晶圓拋光 (wafer polishing) (4)化學(xué)機(jī)械研磨 晶圓濕洗凈設(shè)備有那兒種？ 答：(1)多槽全自動(dòng)洗凈設(shè)備(2)單槽清洗設(shè)備(3)單晶圓清洗設(shè)備. 單槽清洗設(shè)備的優(yōu)點(diǎn)？ 答：(1)較佳的環(huán)境制程與微粒控制能力.(2)化學(xué)品與純水用量少.(3)設(shè) 備調(diào)整彈性度高. 單槽清洗設(shè)備的缺點(diǎn)？ 答：(1)產(chǎn)能較低.(2

62、)晶圓間仍有互相污染 單晶圓清洗設(shè)備未來(lái)有那些須要突破的地方? 答：產(chǎn)能低與設(shè)備成熟度 1 Active Area主動(dòng)區(qū)(工作區(qū))主動(dòng)晶體管(ACTIVE TRANSISTOR)被制造 的區(qū)域即所謂的主動(dòng)區(qū)(ACTIVE AREA)。在標(biāo)準(zhǔn)之MOS制造過(guò)程中ACTIVE AREA 是由一層氮化硅光罩即等接氮化硅蝕刻之后的局部場(chǎng)區(qū)氧化所形成的，而由于利用 到局部場(chǎng)氧化之步驟,所以ACTIVE AREA會(huì)受到鳥(niǎo)嘴(BIRD S BEAK)之影響而比 原先之氮化硅光罩所定義的區(qū)域來(lái)的小，以長(zhǎng)之場(chǎng)區(qū)氧化而言，大概會(huì)有之 BIRD S BEAK存在，也就是說(shuō)ACTIVE AREA比原在之氮化硅光罩

63、所定義的區(qū)域 小。 2 ACTONE丙酮1.丙酮是有機(jī)溶劑的一種，分子式為CH3coeH3。2.性質(zhì)為 無(wú)色，具刺激性及薄荷臭味之液體。3.在FAB內(nèi)之用途，主要在于黃光室內(nèi)正光 阻之清洗、擦拭。4.對(duì)神經(jīng)中樞具中度麻醉性，對(duì)皮膚黏膜具輕微毒性，長(zhǎng)期接 觸會(huì)引起皮膚炎，吸入過(guò)量之丙酮蒸汽會(huì)刺激鼻、眼結(jié)膜及咽喉黏膜，甚至引起頭 痛、惡心、嘔吐、目眩、意識(shí)不明等。5.允許濃度1000PPM。 3 ADI顯影后檢查1.定義:After Developing Inspection之縮寫(xiě)2.目的: 檢查黃光室制程；光阻覆蓋一對(duì)準(zhǔn)一曝光一顯影。發(fā)現(xiàn)缺點(diǎn)后，如覆蓋不良、顯影 不良…等即予修改，以維護(hù)產(chǎn)品

64、良率、品質(zhì)。3.方法：利用目檢、顯微鏡為之。 4 AEI蝕刻后檢查1.定義：AEI即After Etching Inspection,在蝕刻制程 光阻去除前及光阻去除后，分別對(duì)產(chǎn)品實(shí)施全檢或抽樣檢查。2.目的：2T提高產(chǎn) 品良率，避免不良品外流。2-2達(dá)到品質(zhì)的一致性和制程之重復(fù)性。2-3顯示制程 能力之指針2-4阻止異常擴(kuò)大，節(jié)省成本3.通常AEI檢查出來(lái)之不良品，非必要 時(shí)很少作修改，因?yàn)橹厝パ趸瘜踊蛑亻L(zhǎng)氧化層可能造成組件特性改變可靠性變差、 缺點(diǎn)密度增加，生產(chǎn)成本增高，以及良率降低之缺點(diǎn)。 5 AIR SHOWER空氣洗塵室進(jìn)入潔凈室之前，需穿無(wú)塵衣，因在外面更衣室之 故，無(wú)塵衣上沾

65、著塵埃，故進(jìn)潔凈室之前，需經(jīng)空氣噴洗機(jī)將塵埃吹掉。 6 ALIGNMENT對(duì)準(zhǔn)1.定義：利用芯片上的對(duì)準(zhǔn)鍵，一般用十字鍵和光罩上的 對(duì)準(zhǔn)鍵合對(duì)為之。2.目的：在IC的制造過(guò)程中，必須經(jīng)過(guò)6~10次左右的對(duì)準(zhǔn)、 曝光來(lái)定義電路圖案，對(duì)準(zhǔn)就是要將層層圖案精確地定義顯像在芯片上面。3.方 法：A.人眼對(duì)準(zhǔn)B.用光、電組合代替人眼，即機(jī)械式對(duì)準(zhǔn)。 7 ALLOY/SINTER熔合Alloy之目的在使鋁與硅基(Silicon Substrate)之接 觸有Ohmic特性，即電壓與電流成線性關(guān)系。Alloy也可降低接觸的阻值。 8 AL/SI鋁/硅靶此為金屬濺鍍時(shí)所使用的一種金屬合金材料利用Ar游離

66、的 離子，讓其撞擊此靶的表面，把Al/Si的原子撞擊出來(lái)，而鍍?cè)谛酒砻嫔?，一?使用之組成為Al/Si (1%),將此當(dāng)作組件與外界導(dǎo)線連接。 9 AL/SI/CU鋁/硅/銅金屬濺鍍時(shí)所使用的原料名稱，通常是稱為T(mén)ARGET, 其成分為％銅，1%硅及％鋁，一般制程通常是使用99%鋁1%硅，后來(lái)為了金屬 電荷遷移現(xiàn)象(ELEC TROMIGRATION)故滲加％銅，以降低金屬電荷遷移。 10 ALl^IINUN鋁此為金屬濺鍍時(shí)所使用的一種金屬材料，利用Ar游離的離 子，讓其撞擊此種材料做成的靶表面，把A1的原子撞擊出來(lái)，而鍍?cè)谛酒砻?上，將此當(dāng)作組件與外界導(dǎo)線之連接。 11 ANGLE LAPPING角度研磨Angle Lapping的目的是為了測(cè)量Junction的 深度，所作的芯片前處理，這種采用光線干涉測(cè)量的方法就稱之Angle Lappingo 公式為Xj= X/2 NF即Junction深度等于入射光波長(zhǎng)的一半與干涉條紋數(shù)之乘積。 但漸漸的隨著VLSI組件的縮小，準(zhǔn)確度及精密度都無(wú)法因應(yīng)。如SRP（Spreading Resistance Prqb