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模擬電子技術(shù)試題匯編成都理工大學(xué)工程技術(shù)學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)教研室20109第一章半導(dǎo)體器件一填空題1本征硅中若摻入5價(jià)元素的原子，則多數(shù)載流子應(yīng)是電子，少數(shù)載流子應(yīng)是空穴。2 在N型半導(dǎo)體中，電子濃度大于空穴濃度，而在P型半導(dǎo)體,

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1、模擬電子技術(shù)試題匯編成都理工大學(xué)工程技術(shù)學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)教研室20109第一章半導(dǎo)體器件一填空題1本征硅中若摻入5價(jià)元素的原子，則多數(shù)載流子應(yīng)是電子，少數(shù)載流子應(yīng)是空穴。2 在N型半導(dǎo)體中，電子濃度大于空穴濃度，而在P型半導(dǎo)體。

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模擬電子技術(shù)題庫(kù) 答案分解

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