模擬電子技術(shù)題庫

1、模擬電子技術(shù)試題匯編成都理工大學(xué)工程技術(shù)學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)教研室20109模擬電子技術(shù)試題匯編第一章 半導(dǎo)體器件一填空題1本征硅中若摻入5價(jià)元素的原子,則多數(shù)載流子應(yīng)是 電子 ,少數(shù)載流子應(yīng)是 空穴 .2 在N型半導(dǎo)體中,電子濃度 大于 空穴。

2、模擬電子技術(shù)試題匯編成都理工大學(xué)工程技術(shù)學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)教研室20109第一章 半導(dǎo)體器件一填空題1本征硅中若摻入5價(jià)元素的原子，則多數(shù)載流子應(yīng)是 電子 ，少數(shù)載流子應(yīng)是 空穴 。2 在N型半導(dǎo)體中，電子濃度 大于 空穴濃度，而在P型半導(dǎo)體。